公开(公告)号：EP0819780B1

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：EP97305257.4

申请日：1997-07-15

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Redeker, Fred C. ,  Farhad, Moghadam ,  Hanawa, Hiroji ,  Ishikawa, Tetsuya ,  Maydan, Dan ,  Li, Shijian ,  Lue, Brian ,  Steger, Robert ,  Wang, Yaxim ,  Wong, Manus ,  Sinha, Ashok ,  Nowak, Fred Romuald ,  Niazi, Kaveh ,  Smyth, Kenneth ,  Staryuik, Pavel ,  Krishhanaraj, Padmanabham ,  Murugesh, Laxman ,  Rossman, Kent

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32862

公开(公告)号：EP0819780A3

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：EP97305257.4

申请日：1997-07-15

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Redeker, Fred C. ,  Farhad, Moghadam ,  Hanawa, Hiroji ,  Ishikawa, Tetsuya ,  Maydan, Dan ,  Li, Shijian ,  Lue, Brian ,  Steger, Robert ,  Wang, Yaxim ,  Wong, Manus ,  Sinha, Ashok ,  Nowak, Fred Romuald ,  Niazi, Kaveh ,  Smyth, Kenneth ,  Staryuik, Pavel ,  Krishhanaraj, Padmanabham ,  Murugesh, Laxman ,  Rossman, Kent

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32862

摘要： The disclosure relates to an HDP-CVD tool (10) using simultaneous deposition and sputtering of doped and undoped silicon dioxide capable of excellent gap fill and blanket film deposition on wafers. The tool of the present invention includes: two separately powered RF coils (72,74) providing a dual RF zone inductively coupled plasma source; a dual zone gas distribution system; temperature controlled surfaces within the tool; a symmetrically shaped turbomolecular pumped chamber body (12); a dual cooling zone electrostatic chuck; an all ceramic/aluminum alloy chamber; and a remote plasma chamber cleaning system.

摘要翻译： 本公开涉及使用同时沉积和溅射掺杂和未掺杂二氧化硅的HDP-CVD工具（10），其能够在晶片上具有优异的间隙填充和覆盖膜沉积。 本发明的工具包括：两个单独供电的RF线圈（72,74），其提供双RF区电感耦合等离子体源; 双区气体分配系统; 工具内的温度控制表面; 对称成形的涡轮分子泵送室主体（12）; 双冷却区静电吸盘; 全陶瓷/铝合金室; 和远程等离子体室清洁系统。

公开(公告)号：EP0819780A2

公开(公告)日：1998-01-21

申请号：EP97305257.4

申请日：1997-07-15

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Redeker, Fred C. ,  Farhad, Moghadam ,  Hanawa, Hiroji ,  Ishikawa, Tetsuya ,  Maydan, Dan ,  Li, Shijian ,  Lue, Brian ,  Steger, Robert ,  Wang, Yaxim ,  Wong, Manus ,  Sinha, Ashok ,  Nowak, Fred Romuald ,  Niazi, Kaveh ,  Smyth, Kenneth ,  Staryuik, Pavel ,  Krishhanaraj, Padmanabham ,  Murugesh, Laxman ,  Rossman, Kent

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32862

摘要： The disclosure relates to an HDP-CVD tool (10) using simultaneous deposition and sputtering of doped and undoped silicon dioxide capable of excellent gap fill and blanket film deposition on wafers. The tool of the present invention includes: two separately powered RF coils (72,74) providing a dual RF zone inductively coupled plasma source; a dual zone gas distribution system; temperature controlled surfaces within the tool; a symmetrically shaped turbomolecular pumped chamber body (12); a dual cooling zone electrostatic chuck; an all ceramic/aluminum alloy chamber; and a remote plasma chamber cleaning system.

摘要翻译： 本公开涉及使用同时沉积和溅射掺杂和未掺杂二氧化硅的HDP-CVD工具（10），其能够在晶片上具有优异的间隙填充和覆盖膜沉积。 本发明的工具包括：两个单独供电的RF线圈（72,74），其提供双RF区电感耦合等离子体源; 双区气体分配系统; 工具内的温度控制表面; 对称成形的涡轮分子泵送室主体（12）; 双冷却区静电吸盘; 全陶瓷/铝合金室; 和远程等离子体室清洁系统。