专利检索 ap:("Applied Materials Inc;") AND inv:"HILKENE, Martin" 第 1 页

1.

发明公开
ENHANCED PROCESS AND HARDWARE ARCHITECTURE TO DETECT AND CORRECT REALTIME PRODUCT SUBSTRATES 审中-公开

公开(公告)号：EP4233095A1

公开(公告)日：2023-08-30

申请号：EP21883518.9

申请日：2021-09-29

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： SANTHANAM, Kartik , SHAH, Kartik , ADERHOLD, Wolfgang , HILKENE, Martin , MOFFATT, Stephen

IPC分类号： H01L21/67 , G05B13/04 , G06N20/00

2.

发明公开
SCANNING RADICAL SENSOR USABLE FOR MODEL TRAINING 审中-公开

公开(公告)号：EP4445405A1

公开(公告)日：2024-10-16

申请号：EP22904887.1

申请日：2022-11-08

申请人： Applied Materials Inc;

发明人： MOFFATT, Stephen , HILKENE, Martin

IPC分类号： H01J37/32

3.

发明公开
METHOD TO MEASURE RADICAL ION FLUX USING A MODIFIED PIRANI VACUUM GAUGE ARCHITECTURE 审中-公开

公开(公告)号：EP4449084A1

公开(公告)日：2024-10-23

申请号：EP22908204.5

申请日：2022-11-18

申请人： Applied Materials Inc;

发明人： HILKENE, Martin , HOWELLS, Samuel

IPC分类号： G01L21/12 , H01J37/32

4.

发明公开
METHOD TO ELIMINATE FIRST WAFER EFFECTS ON SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBERS 审中-公开

公开(公告)号：EP4437583A1

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：EP22899262.4

申请日：2022-10-21

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： HILKENE, Martin , NGUYEN, Huy, Q. , SHAH, Kartik

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , G05B19/4184 , G05B2219/4503120130101 , G05B2219/3145520130101