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    Gate-Turn-Off-Thyristor
    2.
    发明公开
    Gate-Turn-Off-Thyristor 失效
    门极可关断晶闸管。

    公开(公告)号：EP0303046A1

    公开(公告)日：1989-02-15

    申请号：EP88110767.6

    申请日：1988-07-06

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Roggwiller, Peter, Dr. ,  Vlasak, Thomas ,  Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L21/225

    CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L21/2252 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/102

    摘要： Bei einem hochsperrenden GTO-Thyristor wird durch Auftrennen der p-Basisschicht in eine zentrale p-Basisschicht (4) geringer Tiefe und hoher Randkonzentration, und p-Basis-Randschicht (5) grösserer Tiefe und geringer Randkonzentration als Randkon­tur eine negative Anschrägung (6) mit vergleichsweise hohem Anschrägungswinkel (α) möglich.
    Die Herstellung der beiden p-Basisschichten (4, 5) erfolgt vorzugweise durch gleichzeitige Diffusion zweier Akzeptoren mit unterschiedlicher Diffusionskonstante.

    摘要翻译： 在具有高反向电压的GTO晶闸管中，具有较高倾斜角（α）的负斜面（6）可以作为边缘轮廓，通过将p型基底层分裂成小的中心p型基底层（4） 深度和高边缘浓度以及更高深度和低边缘浓度的p型基底边缘层（5）。 两种p型基层（4,5）优选通过具有不同扩散常数的两个受体的同时扩散来产生。 ... ...

    Gate-Ausschaltthyristor und Verfahren zu dessen Herstellung
    4.
    发明公开
    Gate-Ausschaltthyristor und Verfahren zu dessen Herstellung 失效
    栅极Ausschaltthyristor及其制造方法。

    公开(公告)号：EP0285923A1

    公开(公告)日：1988-10-12

    申请号：EP88104786.4

    申请日：1988-03-25

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Roggwiller, Peter, Dr.

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/74 ,  H01L29/36 ,  H01L21/225

    CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/36

    摘要： Ein Gate-Ausschaltthyristor (GTO) mit einem Halbleitersubstrat (1) mit mindestens einer p-leitenden Anodenschicht (4), einer n-­Basisschicht (6), einer p-Basisschicht (7), welche in elektri­schem Kontakt mit einem Gate steht, und einer n-leitenden Katho­denschicht (8) weist eine Kathodenschicht (8) mit einer als n⁺-­Emitter wirkenden, hochdotierten Zone (10) une einer niedrigdo­tierten Zone (9) auf. Die hochdotierte Zone (10) grenzt an die Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) und hat eine Dotierungs­dichte, welche um mindestens eine Grössenordnung höher ist als diejenige der p-Basisschicht (7). Die niedrigdotierte Zone (9) liegt zwischen einem durch die p-Basisschicht (7) und die Katho­denschicht (8) erzeugten pn-Uebergang J₁ und der hochdotierten Zone (10) der Kathodenschicht (8).
    In einer bevorzugten Ausführung der Erfindung wird die hochdo­tierte Zone (10) so strukturiert, dass die niedrigdotierte Zone (9) bei mesastrukturierten GTO, in einem Mittelstreifen (5) der Kathodenfinger (2) vom pn-Uebergang J₁ bis zur Oberfläche des Halbleitersubstrat (1) reicht.
    Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung von erfindungsgemässen GTO angegeben.

    摘要翻译： 与半导体衬底上的栅Ausschaltthyristor（GTO）（1）与至少一种p型导电阳极层（4），一个n型基极层（6），p型基极层（7），其与栅极的电接触，并 一个n型导电阴极层（8）包括一个阴极层（8）用正<+> - 发射极上作用的，UNE轻度掺杂区的高掺杂区（10）（9）。 高掺杂区（10）邻近于所述半导体衬底（1）的表面，并具有一个掺杂浓度至少是大小比p型基极层的高一个数量级（7）。 轻掺杂区（9）位于一个之间通过p型基极层（7）和阴极层（8）产生的pn结J1和阴极层（8）的重掺杂区（10）。 在本发明的一个优选的实施方案中，高掺杂区（10）被构造成使得在轻掺杂区（9）在mesastrukturierten GTO，在中心条（5）从pn结J1到半导体衬底的表面上的阴极手指（2）根据（1 ）的范围。 此外，对于根据本发明生产的GTO的方法中给出。

    Thyristor mit schaltbarem Emitter-Kurzschluss
    5.
    发明公开
    Thyristor mit schaltbarem Emitter-Kurzschluss 失效
    晶闸管具有可切换发射极短路。

    公开(公告)号：EP0226021A1

    公开(公告)日：1987-06-24

    申请号：EP86115303.9

    申请日：1986-11-05

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Roggwiller, Peter, Dr.

    IPC分类号： H01L29/743 ,  H01L29/08

    CPC分类号： H01L29/0839 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7404 ,  H01L29/744

    摘要： Bei einem Thyristor mit abschaltbaren Emitter-Kurzschlüs­sen durch monolithisch integrierte Transistorstrukturen wird eine vereinfachte Herstellung und verbesserte Steue­rung der Kurzschlüsse dadurch erreicht, dass als Tran­sistorstruktur eine bipolare Struktur in das Bauelement integriert wird. Bei einem bevorzugten Ausführungsbei­spiel ist die n⁺-Emitterschicht (1) des Thyristors durch Zwischenräume unterbrochen, in denen die Transistorstruktur jeweils angeordnet ist.

    摘要翻译： 具有发射器引起的简化的制造和改进的短路的控制的单片集成晶体管结构短路关断晶闸管通过双极结构来实现被集成到装置的晶体管结构。 在一个优选的实施方案中，在n <+> - 通过发射极层中的间隙中断（1）的晶闸管，其中，所述晶体管结构被布置在每种情况下。

    Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    6.
    发明公开
    Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 失效
    功率半导体器件和工艺及其制备。

    公开(公告)号：EP0121068A1

    公开(公告)日：1984-10-10

    申请号：EP84101720.5

    申请日：1984-02-20

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Gobrecht, Jens, Dr. ,  Roggwiller, Peter, Dr. ,  Sittig, Roland, Dr. ,  Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/743

    CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L29/7392

    摘要： Es wird ein solches Bauelement mit mindestens drei aufeinanderfolgenden Schichten vorgestellt, das eine hohe Stromfestigkeit und kleine Verlustleistungen aufweist. Zur Kontaktierung der ersten zwei Schichten (3, 4) besitzt es eine erste(1) und eine zweite metallisierte Kontaktebene (2), die einer ersten Oberfläche eine stufenförmige Struktur aufprägen. Die Stufen sind zwischen 10 und 20 µm hoch und zwischen 20 und 300 µm breit. Das Verhältnis zwischen der Oberfläche der ersten Kontaktebene (1) und der Oberfläche der zweiten Kontaktebene beträgt zwischen 1 und 4. Die erste Schicht (3) ist hochdotiert und maximal 8 µm dick, die zweite Schicht (4) ist niedrigdotiert und maximal 40µcm dick.
    Die erfindungsgemässe Oberflächenstruktur wird im wesentlichen durch ein reaktives lonenätzprozess mit einer einzelnen Aluminium-Maske erzeugt.

    摘要翻译： 这样的设备被呈现有至少三个连续的层，具有高电流容量和小的功率损耗。 对于第一个两层接触（3，4）它具有第一（1）和第二金属化接触平面（2），其赋予第一表面的阶梯状结构。 10个20微米之间的步骤高，和20至300微米之间宽。 第一接触平面（1）的表面和所述第二接触面的表面之间的比率是1和4之间的第一层（3）是高掺杂的和最多8微米厚，第二层（4）是低掺杂和最大为40微米厚。 本发明的表面结构是通过用一个单一的铝掩模的反应离子蚀刻工艺基本上形成。

    Steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement
    9.
    发明公开
    Steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement 失效
    可控功率半导体组件。

    公开(公告)号：EP0283588A2

    公开(公告)日：1988-09-28

    申请号：EP87119302.5

    申请日：1987-12-29

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Jaecklin, André, Dr. ,  Roggwiller, Peter, Dr. ,  Veitz, Rudolf ,  Vlasak, Thomas

    IPC分类号： H01L29/60 ,  H01L29/10 ,  H01L29/74 ,  H01L29/36

    CPC分类号： H01L29/42308 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/744 ,  H01L2924/10157

    摘要： Bei einem steuerbaren Leistungs-Halbleiterbauelement, welches aus einer Mehrzahl nebeneinander angeordneter, parallelge­schalteter Einzelelemente besteht, deren Steuerkontakte mit einem gemeinsamen Steueranschluss in Verbindung stehen, werden unterschiedliche Leitungswiderstände zwischen Steueranschluss und Steuerkontakten kompensiert, um eine gleichmässige Be­lastung aller Einzelelemente zu erreichen.
    Bevorzugt wird bei einem GTO-Thyristor die Kompensation über eine Einstellung des Gategraben-Widerstands (RG) in der p-Basis (3) zwischen Gatekontakt (5) und n-Emitter (2) erreicht. Zu diesem Zweck kann man den elektrisch wirksamen Gateabstand (X g ) beispielsweise durch eine genügend dicke Isolationsschicht (6) oder eine entsprechende Metallisierungs-Atzmaske verändern - Die p-Basis (3) kann auch unterschiedlich dick ausgebildet werden oder ein unterschiedliches Dotierungsprofil mittels stärker dotierter Zusatzschichten (7) aufweisen.

    摘要翻译： 在一个可控功率半导体元件，其由多个相邻设置的，并联连接的单独的元件的，所述控制触点连接到共同的控制端子，所述控制端子和控制触点之间的不同线路电阻被补偿，以实现所有的单个元件的均匀加载。 在栅极触点之间的p型基极（3）补偿栅极沟槽电阻器（RG）的设置优选地由（5）和n型发射极（2），用于一个GTO可控硅来实现。 用于此目的的可以是电有效栅极间距（XG），例如通过足够厚的绝缘层（6）或改变相应的金属化的蚀刻掩模的P - 型基极（3）也不同厚度形成，或者不同的掺杂分布装置更重掺杂的附加层 （7）。