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    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    1.
    发明公开
    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 失效
    Halbleiterbauelement和Verfahren zu dessen Herstellung。

    公开(公告)号：EP0311816A1

    公开(公告)日：1989-04-19

    申请号：EP88115346.4

    申请日：1988-09-19

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Abbas, Christian C., Dr. ,  Roggwiller, Peter, Dr. ,  Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L29/91 ,  H01L29/06 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/8611

    摘要： In einem Halbleiterbauelement wird von einer von einer Haupt­fläche (2) des Halbleitersubstrats (1) her eindringenden, seitlich begrenzten hochdotierten Zone (3) und einer die hoch­dotierte Zone umgebende niedrigdotierte Zone ein pn-Uebergang gebildet, welche an einem Rand der hochdotierten Zone (3) an die Hauptfläche (2) des Halbleitersubstrats (1) tritt. Der Rand der hochdotierten Zone (3) wird von einer Schutzzone (6b) gebildet, deren Dotierungsdichte in einer zur Hauptfläche (2) parallelen Richtung von der hochdotierten Zone (3) gegen den pn-Uebergang hin langsam abfällt. Ein Oberflächendurchbruch des pn-Uebergangs wird dadurch verhindert, dass die Schutzzone (6b) nahe bei der hochdotieren Zone (3) eine maximale Ein­dringtiefe hat und dass die maximale Eindringtiefe der Schutz­zone (6b) grösser ist als die Eindringtiefe der benachbarten hochdotierten Zone (3). Die Schutzzone (6b) hat eine maximale Dotierungsdichte, die 10¹⁵ cm⁻³ im wesentlichen nicht über­schreitet, eine Breite die vergleichbar mit einer Dicke der niedrigdotierten Zone ist und eine maximale Eindringtiefe, welche zwischen 40 µm und 80 µm liegt. Die Dotierungsdichte der Schutzzone (6b) fällt in einer zur Hauptfläche (2) paral­lelen Richtung entweder annähernd linear oder stufenförmig ab.

    摘要翻译： 在重掺杂区（3）的边缘处在半导体衬底（1）的主面（2）处出现的pn结通过穿透半导体衬底的重掺杂区（3）形成在半导体元件中 1）从主表面（2）并且被横向限制并且围绕重掺杂区域的轻掺杂区域。 重掺杂区（3）的边缘由保护区（6b）形成，其保护区（6b）的掺杂密度在与重掺杂区（3）平行于主表面（2）的方向朝向p-n结缓慢减小。 通过在重掺杂区（3）附近具有最大穿透深度的防护区（6b）和防护区（6b）的最大穿透深度大于其中的穿透深度来防止pn结的表面击穿 相邻的重掺杂区（3）。 保护区（6b）的最大掺杂密度基本上不超过10 -5 cm -3，其宽度与轻掺杂区的厚度相当，最大穿透深度 在40亩到80亩之间。 保护区（6b）的掺杂密度在平行于主表面（2）的方向上大致线性或逐步下降。 ... ...

    Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
    3.
    发明公开
    Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung 失效
    Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung。

    公开(公告)号：EP0247455A1

    公开(公告)日：1987-12-02

    申请号：EP87107036.3

    申请日：1987-05-15

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/0626

    摘要： Bei einem Halbleiterbauelement mit einem dotierten Halb­leitersubstrat (1), in das von oben eine entgegengesetzt dotierte obere Dotierungszone (3) eingebracht ist, und einen P-N-Uebergang (2) bildet, der im Randbereich an die Oberfläche tritt, wird zur Verbesserung der Sperr­spannungsfähigkeit unterhalb des Oberflächendurchtritts des P-N-Uebergangs (2) eine im Halbleitersubstrat (1) vergrabene, entgegengesetzt dotierte, untere Dotierungs­zone (15) angeordnet, welche die Ladungsträgerkonzentration im kritischen Bereich herabsetzt.
    Diese Struktur zeichnet sich durch eine Beibehaltung der planaren Oberfläche und eine leichte Herstellbarkeit aus.

    摘要翻译： 在具有掺杂半导体衬底（1）的半导体元件中，从上方引入相反掺杂的上掺杂区（3）并形成在边缘区的表面处出现的pn结（2），以改善反向电压 性能，相反掺杂的下掺杂区（15）在表面处埋在pn结（2）的出现点下方的半导体衬底（1）中，并且减小临界区中的电荷载流子浓度。 ... 该结构的显着特征是平坦表面的保持和易于制造性。 ... ...

    Gate-Turn-Off-Thyristor
    4.
    发明公开
    Gate-Turn-Off-Thyristor 失效
    门极可关断晶闸管。

    公开(公告)号：EP0303046A1

    公开(公告)日：1989-02-15

    申请号：EP88110767.6

    申请日：1988-07-06

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Roggwiller, Peter, Dr. ,  Vlasak, Thomas ,  Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L21/225

    CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L21/2252 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/102

    摘要： Bei einem hochsperrenden GTO-Thyristor wird durch Auftrennen der p-Basisschicht in eine zentrale p-Basisschicht (4) geringer Tiefe und hoher Randkonzentration, und p-Basis-Randschicht (5) grösserer Tiefe und geringer Randkonzentration als Randkon­tur eine negative Anschrägung (6) mit vergleichsweise hohem Anschrägungswinkel (α) möglich.
    Die Herstellung der beiden p-Basisschichten (4, 5) erfolgt vorzugweise durch gleichzeitige Diffusion zweier Akzeptoren mit unterschiedlicher Diffusionskonstante.

    摘要翻译： 在具有高反向电压的GTO晶闸管中，具有较高倾斜角（α）的负斜面（6）可以作为边缘轮廓，通过将p型基底层分裂成小的中心p型基底层（4） 深度和高边缘浓度以及更高深度和低边缘浓度的p型基底边缘层（5）。 两种p型基层（4,5）优选通过具有不同扩散常数的两个受体的同时扩散来产生。 ... ...

    Verfahren zum Aetzen von Vertiefungen in ein Siliziumsubstrat
    5.
    发明公开
    Verfahren zum Aetzen von Vertiefungen in ein Siliziumsubstrat 失效
    在硅衬底的蚀刻凹陷的方法。

    公开(公告)号：EP0286855A1

    公开(公告)日：1988-10-19

    申请号：EP88104154.5

    申请日：1988-03-16

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/3085 ,  H01L21/30604

    摘要： Bei einem Verfahren zum Aetzen kompliziert strukturierter Vertie­fungen in ein Siliziumsubstrat (1), bei welchem HF und HNO₃ ent­haltende Säuremischungen verwendet werden, werden die mit einer Maske aus Photolack auftretenden Probleme ungangen, indem einer­seits eine Maskenschicht (2) aus SiO₂ verwendet wird, und ande­rerseits die Maskenschicht (2) mit einem dem zu ätzenden Tiefen­profil entsprechenden Dickenprofil vorfabriziert wird.
    Auf diese Weise können Maskierungs- und Aetzschritte vollstandig voneinander getrennt werden.

    摘要翻译： 在一种用于在硅衬底的蚀刻复杂结构的凹部的方法（1），其中HF和HNO3含酸混合物使用，具有光致抗蚀剂的掩模相关的问题是由一个手ungangen，掩模层（2）由SiO 2使用，并且在另一方面 掩模层（2）被预制有相应的厚度轮廓被蚀刻深度轮廓。 以这种方式，掩模和蚀刻步骤，可以完全分离。

    Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht für die Halbleitertechnik sowie Verwendung der Abdeckschicht
    6.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht für die Halbleitertechnik sowie Verwendung der Abdeckschicht 失效
    一种制备用于半导体技术的覆盖层，以及使用覆盖层的过程。

    公开(公告)号：EP0237844A1

    公开(公告)日：1987-09-23

    申请号：EP87102674.6

    申请日：1987-02-25

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Gobrecht, Jens, Dr. ,  Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/3083 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

    摘要： Eine Abdeckschicht (2) für die Halbleitertechnik mit einer Randkontur, die einen keilförmigen Querschnitt aufweist, wird durch überwiegend anisotropes Trockenätzen der Ab­deckschicht (2) durch eine vor der Abdeckschicht (2) in einem endlichen Maskenabstand (A) angeordnete Maske (4) erzeugt.
    Die auf diese Weise geätzte Abdeckschicht (2) eignet sich bersonders gut als isolierende Unterlage für eine Feld­pltte im Randbereich eines an die Oberfläche tretenden P-N-Uebergangs sowie als Implantationsmaske zur Erzeugung eines P-N-Uebergangs mit lateralem Dotierungsgradienten.

    摘要翻译： 一个盖（2），用于半导体技术与具有楔形横截面中产生了边缘轮廓，通过覆盖层（2）的前部在有限掩模距离（A）掩模布置成通过所述覆盖层（2）的主要各向异性干法刻蚀（4）。 以这种方式（2）的蚀刻的帽层是bersonders以及在传递到P-N-过渡的表面的边缘区域，以及用于形成具有横向掺杂梯度的P-N-过渡的注入掩模对Feldpltte绝缘衬底。

    Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement
    10.
    发明公开
    Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement 失效
    关断功率半导体部件。

    公开(公告)号：EP0178387A2

    公开(公告)日：1986-04-23

    申请号：EP85108766.8

    申请日：1985-07-13

    申请人： BBC Brown Boveri AG

    发明人： Broich, Bruno, Dr. ,  Gobrecht, Jens, Dr. ,  Roggwiller, Peter, Dr. ,  Voboril, Jan

    IPC分类号： H01L29/52 ,  H01L29/743

    CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L29/102 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/744 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/72

    摘要： Bei einem feldgesteuerten Thyristor mit einer Schichtenfolge aus Anodenschicht (6), Kanalschicht (5) und kathodenseitig abwechselnd angeordneten Gatebereichen (8) und Kathodenbereichen (3) wird eine Verbesserung der Blockierverstärkung durch eine p-Dotierung der Seitenwände der die Kathodenbereiche (3) voneinander trennenden Gräben (10), und/oder eine zusätzliche, niedrig p-dotierte Zwischenschicht (9) erreicht, die zwischen benachbarten Gatebereichen (8) angeordnet ist.

    摘要翻译： 在一个场控晶闸管具有阳极层的层的序列（6），沟道层（5）和所述阴极侧，交替地配置栅极区域（8）和阴极区（3）是通过从每个其他阴极区（3）的侧壁的p掺杂阻挡增益的改进，分离 沟槽（10），和/或附加的，低掺杂p中间体（9）层达到，其被设置在相邻的栅极区（8）之间。