公开(公告)号：EP2549558A1

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：EP12188537.0

申请日：2006-09-05

申请人： Canon Kabushiki Kaisha ,  Tokyo Institute of Technology

发明人： Ifuku, Toshihiro ,  Aoki, Katsumi ,  Matsuda, Takanori ,  Funakubo, Hiroshi ,  Yokoyama, Shintaro ,  Kim, Yong Kwan ,  Nakaki, Hiroshi ,  Ikariyama, Rikyu

IPC分类号： H01L41/187 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H02N2/00

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

摘要： Provided are a piezoelectric film, a piezoelectric film element, a liquid discharge head using the piezoelectric film element, and a liquid discharge apparatus. A piezoelectric film element that can be suitably used for a discharge pressure-generating element of a liquid discharge head is obtained by using an epitaxial oxide film composed of a perovskite composite oxide constituted according to a general formula ABO 3 as a piezoelectric film. The epitaxial oxide film has at least an A domain and a B domain having a crystal orientation deviation with respect to each other. The crystal orientation deviation between the A domain and the B domain is less than 2.

摘要翻译： 本发明提供一种压电电影，压电膜元件，使用压电膜元件的液体排出头，以及一种液体排放设备。 的压电薄膜元件也可以适当地使用用于液体排出头的一个压力发生放电元件是通过使用外延氧化物获得膜组成的钙钛矿型复合氧化物的构成雅丁到通式ABO 3作为压电薄膜 - 。 在外延氧化物膜，具有至少在A结构域和具有相对于海誓山盟的晶体取向偏差的B结构域。 在A结构域和B结构域之间的晶体取向差为小于第二

公开(公告)号：EP2549558B1

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：EP12188537.0

申请日：2006-09-05

申请人： Canon Kabushiki Kaisha ,  Tokyo Institute of Technology

发明人： Ifuku, Toshihiro ,  Aoki, Katsumi ,  Matsuda, Takanori ,  Funakubo, Hiroshi ,  Yokoyama, Shintaro ,  Kim, Yong Kwan ,  Nakaki, Hiroshi ,  Ikariyama, Rikyu

IPC分类号： H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/316

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

公开(公告)号：EP1675161A1

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：EP05007865.8

申请日：2005-04-11

申请人： FUJITSU LIMITED ,  TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY

发明人： Kondo, Masao ,  Maruyama, Kenji ,  Ueno, Risako ,  Funakubo, Hiroshi ,  Uchida, Hiroshi ,  Koda, Seiichiro ,  Nakaki, Hiroshi

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  C23C18/02

CPC分类号： C23C18/1275 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/56

摘要： BiFeO 3 precursor solution is coated on the surface of an underlying member (3). Heat treatment is performed after the coating to form a dielectric film (5). The dielectric film is heated in a non-oxidizing atmosphere to crystallize the dielectric film. With this method, a ferroelectric material can be obtained which contains constituent elements of Bi, Fe and O and has crystal lattice of a tetragonal or orthorhombic system. The material can be used to make a lead-free FRAM.

摘要翻译： BiFeO 3前体溶液涂覆在底层构件（3）的表面上。 在涂覆之后进行热处理以形成电介质膜（5）。 将电介质膜在非氧化气氛中加热以使介电膜结晶。 通过这种方法，可以获得含有Bi，Fe和O的构成元素并具有四方晶系或正交晶系的晶格的铁电材料。 该材料可用于制造无铅FRAM。