公开(公告)号：EP1777203B8

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：EP06076868.6

申请日：2002-06-13

申请人： Seiko Epson Corporation

发明人： Natori, Eiji ,  Kijima, Takeshi ,  Tasaki, Yuzo ,  Furuyama, Koichi

IPC分类号： C04B35/45 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A ceramic film comprises first crystals intermittently formed in

公开(公告)号：EP1555678B1

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：EP03758823.3

申请日：2003-10-23

申请人： Seiko Epson Corporation

发明人： KIJIMA, Takeshi, Seiko Epson Corporation ,  HAMADA, Yasuaki, Seiko Epson Corporation ,  NATORI, Eiji, Seiko Epson Corporation ,  OHASHI, Koji, Seiko Epson Corporation

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  H01L27/10 ,  H01L41/18

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

公开(公告)号：EP1394533B1

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：EP03019383.3

申请日：2003-08-27

申请人： Rigaku Corporation

发明人： Yokoyama, Ryouichi ,  Endo, Kamihisa

IPC分类号： G01N23/207

CPC分类号： G01N23/207 ,  H01L21/31691

公开(公告)号：EP2290126A3

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：EP10187947.6

申请日：2006-06-27

申请人： Micron Technology, INC.

发明人： Quick, Timothy, A.

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

摘要： The present invention provides atomic layer deposition systems and methods that include metal compounds with at least one β-diketiminate ligand. Such systems and methods can be useful for depositing metal-containing layers on substrates.

公开(公告)号：EP1452619B1

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：EP02768137.8

申请日：2002-09-30

申请人： National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

发明人： FUKUHISA, Koji, c/o Advanced Systems of Technology ,  NAKAJIMA, Akira, c/o Adv. Systems of Technology ,  SHINOHARA, Kenji, c/o Adv. Systems of Technology ,  WATANABE, Toshiya ,  OHSAKI, Hisashi ,  SERIKAWA, Tadashi

IPC分类号： C23C8/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C23C18/14 ,  H01L21/316 ,  C01B13/28 ,  H01L21/52

CPC分类号： C01B13/145 ,  C01P2002/01 ,  C01P2004/03 ,  C23C8/02 ,  C23C8/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5826 ,  C23C18/14 ,  C23C26/00 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884

摘要： A process for producing a thin film of a crystalline metal oxide, which comprises depositing a film of a metal oxide which is mainly amorphous and then subjecting it to a post-treatment in which the film is exposed to a low-temperature plasma in a high-frequency electric field at a temperature not higher than 180°C; and a thin film of a crystalline metal oxide produced by the process. By the process, a thin crystalline metal oxide film which is dense and homogeneous can be formed on a substrate at a low temperature without the need of a positive heat treatment. A thin metal oxide film having desirable properties can hence be formed even on a substrate having relatively low heat resistance without impairing the material properties of the substrate.

公开(公告)号：EP2343268A1

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：EP10192771.3

申请日：2009-05-28

申请人： Mitsubishi Materials Corporation

发明人： Fujii, Jun ,  Sakurai, Hideaki ,  Noguchi, Takashi ,  Soyama, Nobuyuki

IPC分类号： C04B35/49 ,  C01G25/00 ,  C04B35/46 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

摘要： Disclosed is a composition for ferroelectric thin film formation which is used in the formation of a ferroelectric thin film of one material selected from the group consisting of PLZT, PZT, and PT. The composition for ferroelectric thin film formation is a liquid composition for the formation of a thin film of a mixed composite metal oxide formed of a mixture of a composite metal oxide (A) represented by general formula (1): (Pb x La y )(Zr z Ti( 1-z )O 3 [wherein 0.9

摘要翻译： 公开了一种用于铁电体薄膜形成的所有其在选自PLZT，PZT及PT的选择的一种材料的强电介质薄膜的形成中使用的组合物。 对于强电介质薄膜形成用组合物是用于将形成由通式表示的复合金属氧化物（A）的混合物的混合复合金属氧化物的薄膜的形成的液体组合物（1）：（铅X的La y）的 （锆钛ž（1-Z）O 3 [worin 0.9

公开(公告)号：EP2077257A4

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP07830693

申请日：2007-10-26

申请人： HITACHI METALS LTD

发明人： SHIMADA TAKESHI ,  TOJI KAZUYA

IPC分类号： C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC分类号： H01C7/025 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/1227 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

公开(公告)号：EP1889307B1

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：EP06747256.3

申请日：2006-06-05

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： SAKASHITA, Yukio

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L39/24 ,  H01L41/22

CPC分类号： H01L21/31691 ,  H01L39/2422 ,  H01L41/314 ,  H01L41/331 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1486 ,  Y10T428/31678

摘要： A method of manufacturing a functional film by which the functional film formed on a film formation substrate can be easily peeled from the film formation substrate. The method includes the steps of: (a) forming a separation layer by using an inorganic material on a substrate containing a material having heat tolerance to a predetermined temperature; (b) forming a layer to be peeled containing a functional film, which is formed by using a functional material, on the separation layer; and (c) performing heat treatment on a structure containing the substrate, the separation layer and the layer to be peeled at the predetermined temperature so as to peel the layer to be peeled from the substrate or reducing bonding strength between the layer to be peeled and the substrate.

公开(公告)号：EP1990838A4

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：EP07713728

申请日：2007-01-31

申请人： MURATA MANUFACTURING CO

发明人： ONOUE TOMOAKI ,  YASUDA TAKESHI ,  TSUTSUI TETSUO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0533 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0537

公开(公告)号：EP2053642A4

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：EP07791665

申请日：2007-07-31

申请人： ULVAC INC

发明人： MASUDA TAKESHI ,  KAJINUMA MASAHIKO ,  NISHIOKA YUTAKA ,  KIMURA ISAO ,  KIKUCHI SHIN ,  YAMADA TAKAKAZU ,  SUU KOUKOU

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/787 ,  C23C16/02 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65