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    Procédé de réalisation de motifs localisés
    1.
    发明公开
    Procédé de réalisation de motifs localisés 审中-公开
    Verfahren zur Herstellung von lokalisierten Strukturmustern

    公开(公告)号：EP2306542A1

    公开(公告)日：2011-04-06

    申请号：EP10354042.3

    申请日：2010-09-03

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Benwadih, Mohamed

    IPC分类号： H01L51/00 ,  B81C1/00

    CPC分类号： H01L51/0004 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0154 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5012

    摘要： Un procédé de réalisation d'au moins un motif sur une face supérieure d'un support 1 en un matériau présentant une première conductivité thermique, comprend la disposition d'un masque 7, en un matériau présentant une deuxième conductivité thermique et comportant au moins un évidement 8 ayant une forme correspondant à celle du motif, en contact avec une face inférieure du support 1, le rapport de la première conductivité sur la seconde conductivité étant supérieur ou égal à 2, ou inférieur ou égal à 1/2, pendant la durée du procédé. Le procédé comprend en outre une étape de dépôt sur la face supérieure d'une solution comprenant un matériau destiné à former le motif, et une étape d'évaporation de la solution.

    摘要翻译： 该方法包括在具有第一导热性的载体（1）的上表面上涂布溶液，并将溶液蒸发在载体上。 空腔（8）放置成与支撑件的下表面接触。 掩模（7）由具有第二导热性的材料制成，其中第一导电率与第二导电率之比在加工时间期间等于或高于2或小于或等于0.5。 空腔由填充材料填充，例如 水，具有第三导热性。 面罩由不锈钢制成，支架由塑料制成。

    Procédé de dépôt d'un matériau à la surface d'un objet
    2.
    发明公开
    Procédé de dépôt d'un matériau à la surface d'un objet 审中-公开
    一个材料沉积到物体的表面的方法

    公开(公告)号：EP2208543A1

    公开(公告)日：2010-07-21

    申请号：EP09306218.0

    申请日：2009-12-11

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Benwadih, Mohamed ,  Heitzmann, Marie ,  Verilhac, Jean-Marie

    IPC分类号： B05D5/00 ,  B05D7/00

    CPC分类号： B05D7/54 ,  B05D1/286 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00

    摘要： L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche de matériau (18) à la surface d'un objet (12), du type comportant le dépôt d'une couche de solution (16) dudit matériau dans un premier liquide suivi de l'évaporation du premier liquide pour former la couche de matériau (18).
    Selon l'invention, le procédé comporte la formation d'une couche (14) d'un second liquide interposée entre l'objet (12) et la couche de solution (16), le second liquide étant non miscible avec le premier liquide, de densité supérieure à celle du premier liquide et de température d'évaporation supérieure à celle du premier liquide.

    摘要翻译： 该方法包括在液体E.G.沉积有材料的溶液的层（20） 聚苯胺，以及该液体的蒸发之后，以形成材料层，其中材料在溶剂中溶解E.G. 甲苯。 另一种液体E.G.的层 氟化液体或水，被间到对象即FORMED 基板（22），并将该溶液层，其中后者液体不混溶液体前，并且具有比前者液体的更高的密度。 后期分别液体具有蒸发温度比前者液体的更高。

    Transistor à source et drain filaires
    3.
    发明公开
    Transistor à source et drain filaires 审中-公开
    具有线形源极和漏极的晶体管

    公开(公告)号：EP2209146A3

    公开(公告)日：2013-05-15

    申请号：EP09306148.9

    申请日：2009-11-27

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Benwadih, Mohamed

    IPC分类号： H01L51/10

    CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052 ,  H01L51/055

    摘要： Transistor à effet de champ comprenant au moins une grille (1), une couche d'isolant (2), un drain (3), une source (4), un matériau semi-conducteur (50) reliant la source (4) au drain (3), la grille (1) et la couche d'isolant (2) entourant chacun l'ensemble formé par la source (4), le drain (3) et le matériau semi-conducteur, la couche d'isolant (2) étant agencé entre la grille (1) et ledit ensemble.
    Le drain (3) et la source (4) sont formés respectivement d'un premier et d'un deuxième conducteurs électriques agencés de manière parallèle et disjointe l'un à l'autre, les premier et deuxième conducteurs étant entourés par une couche du semi-conducteur (50) sur toute leur circonférence et sur au moins une partie de leur longueur.

    Transistor à source et drain filaires
    8.
    发明公开
    Transistor à source et drain filaires 审中-公开
    具有线形源极和漏极的晶体管

    公开(公告)号：EP2209146A2

    公开(公告)日：2010-07-21

    申请号：EP09306148.9

    申请日：2009-11-27

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Benwadih, Mohamed

    IPC分类号： H01L51/10

    CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052 ,  H01L51/055

    摘要： Transistor à effet de champ comprenant au moins une grille (1), une couche d'isolant (2), un drain (3), une source (4), un matériau semi-conducteur (50) reliant la source (4) au drain (3), la grille (1) et la couche d'isolant (2) entourant chacun l'ensemble formé par la source (4), le drain (3) et le matériau semi-conducteur, la couche d'isolant (2) étant agencé entre la grille (1) et ledit ensemble.
    Le drain (3) et la source (4) sont formés respectivement d'un premier et d'un deuxième conducteurs électriques agencés de manière parallèle et disjointe l'un à l'autre, les premier et deuxième conducteurs étant entourés par une couche du semi-conducteur (50) sur toute leur circonférence et sur au moins une partie de leur longueur.

    摘要翻译： 晶体管具有将源极（4）连接到漏极（3）的半导体材料（50）。 围绕由源极，漏极和半导体材料构成的组件的栅极（1）和绝缘层（2）。 绝缘层设置在门和组件之间。 漏极和源极分别由平行布置并彼此断开的第一和第二电导体构成。 导体在半导体材料的整个圆周和长度的一部分上被一层半导体材料包围。