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公开(公告)号：EP3497713A1
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：EP17757806.9
申请日：2017-08-01
发明人： LANDRU, Didier , BEN MOHAMED, Nadia , KONONCHUK, Oleg , MAZEN, Frédéric , MASSY, Damien , REBOH, Shay , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/762
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公开(公告)号：EP2870627B1
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：EP13739766.7
申请日：2013-07-01
发明人： BRALEY, Carole , MAZEN, Frédéric
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/324 , H01L31/04 , H01L21/265 , H01L21/762
CPC分类号： H01L31/04 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/76254 , H01L31/1892 , Y02E10/50
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公开(公告)号：EP4128322A1
公开(公告)日：2023-02-08
申请号：EP21704872.7
申请日：2021-01-19
发明人： MAZEN, Frédéric , RIEUTORD, François , COIG, Marianne , GRAMPEIX, Helen , LANDRU, Didier , KONONCHUK, Oleg , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/762
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公开(公告)号：EP3497713B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：EP17757806.9
申请日：2017-08-01
发明人： LANDRU, Didier , BEN MOHAMED, Nadia , KONONCHUK, Oleg , MAZEN, Frédéric , MASSY, Damien , REBOH, Shay , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/762
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公开(公告)号：EP3583620A1
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：EP18704035.7
申请日：2018-02-15
发明人： ROUCHIER, Séverin , MAZEN, Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
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6.发明授权
公开(公告)号：EP2102904B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：EP07872387.1
申请日：2007-12-18
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032
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公开(公告)号：EP2828635A1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：EP13715306.0
申请日：2013-03-12
CPC分类号： G01N21/9505 , G01B11/14 , G01N21/9501 , G01P3/36 , H01L21/76254 , H01L22/12
摘要： The invention relates to a system for measuring a zone of separation in a substrate. This system (2) for measuring the propagation of a zone C of separation between a first portion (4) and a second portion (5) of at least one substrate (6) comprises: a module (10) for emitting at least two incident beams Fi each of which illuminates a separate point on the substrate (6), the at least two incident beams Fi being able to pass through the first portion (4) and the zone C of separation and meet the second portion (5) in such a way that each of them generates at least one first emergent beam Fe originating from the interface between the first portion (4) and the zone C of separation, and at least one second emergent beam Fe originating from the interface between the zone C of separation and the second portion (5); a detecting module (8) for detecting light intensity values resulting from interference between the first and second emergent beams Fe; and a computer (11) for determining the conditions of the propagation of the zone C of separation.
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公开(公告)号：EP4199040A1
公开(公告)日：2023-06-21
申请号：EP22210688.2
申请日：2022-11-30
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/265
摘要： Procédé de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les étapes successives :
a) prévoir un substrat donneur (3) réalisé dans un diamant cristallin ;
b) implanter des espèces gazeuses (4), à travers la première surface (30) du substrat donneur (3), selon une dose et une température données d'implantation adaptées pour former une zone plane graphitique (5) ;
c) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe ;
d) appliquer un recuit thermique selon un budget thermique adapté pour fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone plane graphitique (5) ; la température de recuit étant supérieure ou égale à 800°C ;
la température d'implantation est :
supérieure à une température minimale au-delà de laquelle un bullage des espèces gazeuses (4) implantées s'opère à la première surface (30) lorsque le substrat donneur (3) est soumis, en l'absence d'un effet raidisseur, à un recuit thermique selon ledit budget thermique,
inférieure à une température maximale au-delà de laquelle la dose donnée d'implantation ne permet plus de former la zone plane graphitique (5).-
9.发明公开
公开(公告)号：EP3678169A1
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：EP19220270.3
申请日：2019-12-31
发明人： REBOH, Shay , MAZEN, Frédéric , ACOSTA ALBA, Pablo
IPC分类号： H01L21/762
摘要： L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche mince d'un substrat donneur vers un substrat receveur comprenant les étapes d'implantation d'espèces réalisée de manière uniforme sur l'ensemble du substrat donneur pour y former un plan de fragilisation (P) qui délimite la couche mince et une partie massive du substrat donneur, de mise en contact du substrat donneur et du substrat receveur et d'initiation et de propagation d'une onde de fracture le long du plan de fragilisation. Le procédé comporte avant la mise en contact une étape de réduction localisée d'une capacité du plan de fragilisation à initier l'onde de fracture. Cette étape de réduction localisée peut être réalisée au moyen d'un recuit laser localisé du substrat donneur.
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10.发明公开
公开(公告)号：EP2975646A1
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：EP15177074.0
申请日：2015-07-16
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/66742 , H01L29/7847 , H01L29/7848 , H01L29/78618 , H01L29/78687 , H01L29/78696
摘要： Procédé de réalisation d'un transistor sur une couche en un premier matériau semi-conducteur cristallin pour la réalisation d'un canal, déposée sur une couche de diélectrique, le procédé comportant les étapes:
- croissance par épitaxie de zones en un deuxième matériau semi-conducteur sur la couche en un premier matériau semi-conducteur cristallin, de sorte à former des blocs de source et de drain avec la couche en un premier matériau semi-conducteur cristallin de part et d'autre du canal, le deuxième matériau semi-conducteur ayant un paramètre de maille différent de celui du premier matériau semi-conducteur,
- amorphisation en profondeur d'une partie des zones en un deuxième matériau semi-conducteur de sorte à ne conserver qu'une couche de deuxième matériau semi-conducteur cristallin en surface des blocs de source et de drain, et amorphisation des zones de la couche en un premier matériau semi-conducteur situées sous les zones en deuxième matériau semi-conducteur,
- recristallisation des blocs de source et de drain de sorte que le deuxième matériau semi-conducteur impose son paramètre de maille aux zones de source et de drain.
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