公开(公告)号：EP3497713A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：EP17757806.9

申请日：2017-08-01

申请人： Soitec ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： LANDRU, Didier ,  BEN MOHAMED, Nadia ,  KONONCHUK, Oleg ,  MAZEN, Frédéric ,  MASSY, Damien ,  REBOH, Shay ,  RIEUTORD, François

IPC分类号： H01L21/762

公开(公告)号：EP3497713B1

公开(公告)日：2020-04-08

申请号：EP17757806.9

申请日：2017-08-01

申请人： Soitec ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： LANDRU, Didier ,  BEN MOHAMED, Nadia ,  KONONCHUK, Oleg ,  MAZEN, Frédéric ,  MASSY, Damien ,  REBOH, Shay ,  RIEUTORD, François

IPC分类号： H01L21/762

公开(公告)号：EP4176462A1

公开(公告)日：2023-05-10

申请号：EP21737714.2

申请日：2021-06-08

申请人： SOITEC ,  Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： ALLIBERT, Frédéric ,  LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  GAUDIN, Gweltaz ,  WIDIEZ, Julie ,  FOURNEL, Franck

IPC分类号： H01L21/18

公开(公告)号：EP4128322A1

公开(公告)日：2023-02-08

申请号：EP21704872.7

申请日：2021-01-19

申请人： SOITEC ,  Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： MAZEN, Frédéric ,  RIEUTORD, François ,  COIG, Marianne ,  GRAMPEIX, Helen ,  LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  BEN MOHAMED, Nadia

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762

公开(公告)号：EP4430652A1

公开(公告)日：2024-09-18

申请号：EP22802685.2

申请日：2022-10-25

申请人： SOITEC ,  Applied Materials Inc;

发明人： KIM, Youngpil ,  KONONCHUK, Oleg ,  WONG, Chee Hoe ,  KUAN CHIEN, Shen ,  SENG HOE, Tan ,  KEYAN, Zang ,  MASATO, Ishii

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/7624 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/76251

公开(公告)号：EP3227905A1

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：EP15788467.7

申请日：2015-09-17

申请人： Soitec

发明人： KONONCHUK, Oleg ,  LANDRU, Didier ,  FIGUET, Christophe

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H04B1/03 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76297 ,  H01L41/0477 ,  H01M4/663

摘要： The invention relates to a structure (1) for radiofrequency applications which includes: a semiconducting supporting substrate (2); a trapping layer (3) arranged on the supporting substrate (2); the trapping layer (3) being characterised in that it includes a higher defect density than a predetermined defect density; the predetermined defect density is the defect density beyond which the electric resistivity of the trapping layer (3) is no lower than 10 Kohm.cm over a temperature range of [-20 °C; +120 °C].

摘要翻译： 本发明涉及用于射频应用的结构（1），其包括：半导体支撑衬底（2）; 设置在所述支撑基板（2）上的捕获层（3）; 所述俘获层（3）的特征在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度; 预定的缺陷密度是在[-20℃的温度范围内俘获层（3）的电阻率不低于10Kohm.cm的缺陷密度; +120°C]。

公开(公告)号：EP3939077A1

公开(公告)日：2022-01-19

申请号：EP20713947.8

申请日：2020-02-26

申请人： SOITEC

发明人： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  BEN MOHAMED, Nadia

IPC分类号： H01L21/762

公开(公告)号：EP3872839A1

公开(公告)日：2021-09-01

申请号：EP21170134.7

申请日：2015-09-17

申请人： SOITEC

发明人： KONONCHUK, Oleg ,  LANDRU, Didier ,  FIGUET, Christophe

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

摘要： Structure (1) pour des applications radiofréquences comprenant :
• un substrat support (2) semi-conducteur ;
• une couche de piégeage (3) disposée sur le substrat support (2) ;
la couche de piégeage (3) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une densité de défauts supérieure à une densité de défauts prédéterminée ; la densité de défauts prédéterminée est la densité de défauts au-delà de laquelle la résistivité électrique de la couche de piégeage (3) est supérieure ou égale à 10kohm.cm sur une gamme de température [-20°C ; +120°C].

公开(公告)号：EP3602617A1

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：EP18711364.2

申请日：2018-03-21

申请人： Soitec

发明人： SCHWARZENBACH, Walter ,  KONONCHUK, Oleg ,  ECARNOT, Ludovic

IPC分类号： H01L21/762 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

公开(公告)号：EP3193355B1

公开(公告)日：2019-11-13

申请号：EP17150008.5

申请日：2017-01-02

申请人： Soitec

发明人： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  DAVID, Carole

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/762