公开(公告)号：EP2400548A1

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：EP11354032.2

申请日：2011-06-14

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Coronel, Philippe ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Denorme, Stéhane ,  Thomas, Olivier

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/78645

摘要： Un substrat de support (2) comporte des première et seconde contre-électrodes (5) disposées dans un même plan, au niveau d'une face du substrat de support (2). Une zone électriquement isolante (9) sépare les première et seconde contre-électrodes (5). Une zone semi-conductrice (7) avec des première et seconde portions est séparée du substrat de support (2) par un matériau électriquement isolant (3). Le matériau électriquement isolant (3) est différent du matériau formant le substrat de support (2). La première portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la première contre-électrode (5). La seconde portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la seconde contre-électrode (5).

摘要翻译： 基板（1）具有在同一平面内设置的两个对置电极（5），支撑基板（2）的表面上，并且在电绝缘区（9）中分离对置电极。 单片半导体区（7）由单晶材料的，并且包括面向所述respectivement计数器电极的两个部分。 电绝缘材料（3）的半导体区域从基片支撑，其中，所述绝缘材料是从形成在基板支撑体的材料不同的分离。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）一种半导体器件包括布置在基板一个（2）用于制造基板的方法的两个FET。