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    Transistor à effet de champ compact avec contre-électrode et procédé de réalisation
    3.
    发明公开
    Transistor à effet de champ compact avec contre-électrode et procédé de réalisation 审中-公开
    Kompakter Feldeffekttransistor mit Gegenelektrode，und Herstellungsverfahren

    公开(公告)号：EP2393108A1

    公开(公告)日：2011-12-07

    申请号：EP11354025.6

    申请日：2011-05-18

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

    发明人： Fenouillet-Béranger, Claire ,  Thomas, Olivier ,  Coronel, Philippe ,  Denorme, Stéphane

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/743 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648

    摘要： Un masque de gravure comportant le dessin de la délimitation de l'électrode de grille (9), d'un contact de source (12), d'un contact de drain (13) et d'un contact de contre-électrode est formé sur un substrat de type semi-conducteur sur isolant. Le substrat est recouvert par une couche en matériau diélectrique (5) et un matériau de grille. Le contact de contre-électrode est localisé dans le dessin de l'électrode de grille (9). Le matériau de grille est gravé pour définir l'électrode de grille (9), les contacts de source (12) et de drain (13) et le contact de contre-électrode (2). Une partie du substrat de support (2), à travers le dessin de la zone de contact de contre-électrode est libérée. Un matériau électriquement conducteur (22) est déposé sur la partie libre du substrat de support (2) pour former le contact de contre-électrode.

    摘要翻译： 该方法包括从用于限定栅电极（9）和支撑衬底（2）的对电极的接触区的蚀刻抗蚀剂蚀刻栅极材料。 支撑基板的一部分在对电极的接触区域中释放，并且在对电极的接触区域中形成对电极的接触。 形成保护层（21），其中保护层覆盖半导体层。 FET还包括一个独立的权利要求。

    Substrat muni d'une zone semi-condutrice associée à deux contre-électrodes et dispositif comportant un tel substrat
    6.
    发明公开
    Substrat muni d'une zone semi-condutrice associée à deux contre-électrodes et dispositif comportant un tel substrat 审中-公开
    基板，其装备有连接到两个相对的电极的半导体区，和包括这种器件衬底

    公开(公告)号：EP2400548A1

    公开(公告)日：2011-12-28

    申请号：EP11354032.2

    申请日：2011-06-14

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

    发明人： Coronel, Philippe ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Denorme, Stéhane ,  Thomas, Olivier

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/78645

    摘要： Un substrat de support (2) comporte des première et seconde contre-électrodes (5) disposées dans un même plan, au niveau d'une face du substrat de support (2). Une zone électriquement isolante (9) sépare les première et seconde contre-électrodes (5). Une zone semi-conductrice (7) avec des première et seconde portions est séparée du substrat de support (2) par un matériau électriquement isolant (3). Le matériau électriquement isolant (3) est différent du matériau formant le substrat de support (2). La première portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la première contre-électrode (5). La seconde portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la seconde contre-électrode (5).

    摘要翻译： 基板（1）具有在同一平面内设置的两个对置电极（5），支撑基板（2）的表面上，并且在电绝缘区（9）中分离对置电极。 单片半导体区（7）由单晶材料的，并且包括面向所述respectivement计数器电极的两个部分。 电绝缘材料（3）的半导体区域从基片支撑，其中，所述绝缘材料是从形成在基板支撑体的材料不同的分离。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）一种半导体器件包括布置在基板一个（2）用于制造基板的方法的两个FET。

    Procédé de réalisation d'un dispositif à effet de champ ayant des connexions électriques autoalignées par rapport à l'électrode de grille
    8.
    发明公开
    Procédé de réalisation d'un dispositif à effet de champ ayant des connexions électriques autoalignées par rapport à l'électrode de grille 有权
    一种制备具有场效应，其具有相对于所述栅电极自对准的电连接的器件的工艺

    公开(公告)号：EP2296174A1

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：EP10354041.5

    申请日：2010-08-31

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Fenouillet-Béranger, Claire ,  Coronel, Philippe

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66583

    摘要： Un diélectrique de grille (13), une couche d'isolation (18, 19, 20) et un masque de gravure (16) sont formés sur un substrat (11). Le masque de gravure (16) délimite au moins l'électrode de grille et les contacts de source et de drain et les lignes de sortie de source, de drain et de grille du premier niveau de métal d'un dispositif à effet de champ. L'électrode de grille et les futurs contacts de source et de drain sont formées simultanément par gravure de la couche d'isolation (18, 19, 20). Un matériau de grille (23) est déposé pour former l'électrode de grille. Les contacts de source et de drain sont formés au moins dans le couche d'isolation (18, 19, 20). Les lignes de sortie de source, de drain et de grille du premier niveau de métal sont formées dans le masque de gravure (16).

    摘要翻译： 该方法包括在蚀刻掩膜（16）定义的栅电极，源极和漏极接触区和源极，漏极和栅极输出线形成的栅极介电层（13）和形成在小学和上层绝缘层（18，19，20） 的金属互连级。 这些线都被屏蔽掩模中，电极和区段都在同时respectivement绝缘层限定。 形成电极的栅极材料沉积。 这些区域形成在绝缘层中的一个，从掩模消除密封材料之前。这些线在所述掩模形成。

    Procédé de réalisation d'un revêtement de surface contrôlé tridimensionnellement dans une cavité
    9.
    发明公开
    Procédé de réalisation d'un revêtement de surface contrôlé tridimensionnellement dans une cavité 有权
    赫斯特伦·赫勒拉姆（Herren Hoffraum）的赫斯特劳恩（Herstellungsverfahren einer dreidimensionalen kontrollierten）Oberflächenbeschichtung

    公开(公告)号：EP2332882A1

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：EP10354080.3

    申请日：2010-11-22

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Wacquez, Romain ,  Constancias, Christophe ,  Coronel, Philippe

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00047 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00206

    摘要： La cavité a des première (3a) et seconde (3b) parois principales recouvertes par une résine. La résine est soumise à un rayonnement électronique ou électromagnétique de longueur d'onde comprise entre 12,5 et 15nm. Une première épaisseur de la résine est insolée pour former une première zone en matériau sacrificiel et une seconde zone de nature différente définissant le revêtement de surface (9). Le matériau sacrificiel (7) est éliminé, le revêtement de surface (9) est formé et a une face contre une des parois principales (3) et une face opposée libre. Les dimensions latérales du revêtement de surface (9) sont définies dans la cavité (1) par le rayonnement à travers la première paroi principale (3a).

    摘要翻译： 该方法包括用由树脂覆盖的相对的主壁（3a，3b）形成空腔（1）。 树脂的厚度通过其中一个主壁暴露于电子或电磁辐射，以在树脂中形成牺牲材料区域和不同性质的区域，其中一个区域限定未来区域的表面涂层。 牺牲材料被去除。 包括由一个区域限定的未来区域的表面涂层（9）形成为抵靠其中一个主壁。

    Procédé de réalisation de transistors à effet de champs avec une contre-électrode et dispositif semi-conducteur
    10.
    发明公开
    Procédé de réalisation de transistors à effet de champs avec une contre-électrode et dispositif semi-conducteur 审中-公开
    一种用于制造场效应晶体管的有对置电极和半导体器件的工艺

    公开(公告)号：EP2323160A1

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：EP10354071.2

    申请日：2010-11-04

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Fenouillet-Beranger, Claire ,  Coronel, Philippe

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/764 ,  H01L29/78648 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Le procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ sur un substrat comprenant une couche de support 1, une couche sacrificielle et une couche semi-conductrice 3 comprend la formation d'une zone active dans la couche semi-conductrice. La zone active est délimitée par un motif d'isolation périphérique fermé 6 et comporte un motif additionnel 15 dans un matériau isolant. Le procédé comporte également la gravure du matériau isolant du motif additionnel pour accéder à la couche sacrificielle, la gravure de la couche sacrificielle d'où il résulte la formation d'une première cavité, la formation d'une couche diélectrique 11 sur une paroi supérieure de la première cavité, et le dépôt d'une couche électriquement conductrice 5 dans la première cavité. Le motif d'isolation 6 est formé au travers de la couche semi-conductrice 3 et de la couche sacrificielle.

    摘要翻译： 该方法包括在半导体层中，其中所述活性区由一个封闭的外围绝缘图案（6）限定，并且包括额外的图案（15），形成有源区。 附加图案刻到达牺牲层。 介电层（11）形成到一个空腔的上壁。 导电层（5）在所述空腔中形成。 封闭外围绝缘图案通过在半导体层（3）和所述牺牲层而形成。 甲FET被介电互连材料覆盖。 因此独立claimsoft包括用于半导体器件，包括多个场效应晶体管。