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1.发明授权Capteur d'images éclairé par la face arrière à température de substrat uniforme 有权这是从背面侧以均匀的衬底温度照式图像传感器
公开(公告)号：EP1883112B1
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：EP07112649.4
申请日：2007-07-17
申请人： STMICROELECTRONICS S.A. , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
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2.发明公开Transistor à effet de champ compact avec contre-électrode et procédé de réalisation 审中-公开Kompakter Feldeffekttransistor mit Gegenelektrode，und Herstellungsverfahren
公开(公告)号：EP2393108A1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：EP11354025.6
申请日：2011-05-18
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/743 , H01L27/11 , H01L29/66772 , H01L29/78648
摘要： Un masque de gravure comportant le dessin de la délimitation de l'électrode de grille (9), d'un contact de source (12), d'un contact de drain (13) et d'un contact de contre-électrode est formé sur un substrat de type semi-conducteur sur isolant. Le substrat est recouvert par une couche en matériau diélectrique (5) et un matériau de grille. Le contact de contre-électrode est localisé dans le dessin de l'électrode de grille (9). Le matériau de grille est gravé pour définir l'électrode de grille (9), les contacts de source (12) et de drain (13) et le contact de contre-électrode (2). Une partie du substrat de support (2), à travers le dessin de la zone de contact de contre-électrode est libérée. Un matériau électriquement conducteur (22) est déposé sur la partie libre du substrat de support (2) pour former le contact de contre-électrode.
摘要翻译： 该方法包括从用于限定栅电极（9）和支撑衬底（2）的对电极的接触区的蚀刻抗蚀剂蚀刻栅极材料。 支撑基板的一部分在对电极的接触区域中释放，并且在对电极的接触区域中形成对电极的接触。 形成保护层（21），其中保护层覆盖半导体层。 FET还包括一个独立的权利要求。
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3.发明公开Substrat muni d'une zone semi-condutrice associée à deux contre-électrodes et dispositif comportant un tel substrat 审中-公开基板，其装备有连接到两个相对的电极的半导体区，和包括这种器件衬底
公开(公告)号：EP2400548A1
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：EP11354032.2
申请日：2011-06-14
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
CPC分类号： H01L21/84 , H01L21/76283 , H01L29/78645
摘要： Un substrat de support (2) comporte des première et seconde contre-électrodes (5) disposées dans un même plan, au niveau d'une face du substrat de support (2). Une zone électriquement isolante (9) sépare les première et seconde contre-électrodes (5). Une zone semi-conductrice (7) avec des première et seconde portions est séparée du substrat de support (2) par un matériau électriquement isolant (3). Le matériau électriquement isolant (3) est différent du matériau formant le substrat de support (2). La première portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la première contre-électrode (5). La seconde portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la seconde contre-électrode (5).
摘要翻译： 基板（1）具有在同一平面内设置的两个对置电极（5），支撑基板（2）的表面上，并且在电绝缘区（9）中分离对置电极。 单片半导体区（7）由单晶材料的，并且包括面向所述respectivement计数器电极的两个部分。 电绝缘材料（3）的半导体区域从基片支撑，其中，所述绝缘材料是从形成在基板支撑体的材料不同的分离。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）一种半导体器件包括布置在基板一个（2）用于制造基板的方法的两个FET。
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4.发明授权Procédé de réalisation d'un dispositif à effet de champ ayant des connexions électriques autoalignées par rapport à l'électrode de grille 有权一种制备具有场效应，其具有相对于所述栅电极自对准的电连接的器件的工艺
公开(公告)号：EP2296174B1
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：EP10354041.5
申请日：2010-08-31
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/76808 , H01L21/76897 , H01L29/665 , H01L29/66583
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5.发明公开Procédé de réalisation d'un dispositif à effet de champ ayant des connexions électriques autoalignées par rapport à l'électrode de grille 有权一种制备具有场效应，其具有相对于所述栅电极自对准的电连接的器件的工艺
公开(公告)号：EP2296174A1
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：EP10354041.5
申请日：2010-08-31
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/76808 , H01L21/76897 , H01L29/665 , H01L29/66583
摘要： Un diélectrique de grille (13), une couche d'isolation (18, 19, 20) et un masque de gravure (16) sont formés sur un substrat (11). Le masque de gravure (16) délimite au moins l'électrode de grille et les contacts de source et de drain et les lignes de sortie de source, de drain et de grille du premier niveau de métal d'un dispositif à effet de champ. L'électrode de grille et les futurs contacts de source et de drain sont formées simultanément par gravure de la couche d'isolation (18, 19, 20). Un matériau de grille (23) est déposé pour former l'électrode de grille. Les contacts de source et de drain sont formés au moins dans le couche d'isolation (18, 19, 20). Les lignes de sortie de source, de drain et de grille du premier niveau de métal sont formées dans le masque de gravure (16).
摘要翻译： 该方法包括在蚀刻掩膜（16）定义的栅电极，源极和漏极接触区和源极，漏极和栅极输出线形成的栅极介电层（13）和形成在小学和上层绝缘层（18，19，20） 的金属互连级。 这些线都被屏蔽掩模中，电极和区段都在同时respectivement绝缘层限定。 形成电极的栅极材料沉积。 这些区域形成在绝缘层中的一个，从掩模消除密封材料之前。这些线在所述掩模形成。
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6.发明公开Cellule memoire sram a quatre transistors munis d'une contre-electrode 审中-公开SRAM-Speicherzelle mit vier Transistoren，die mit Gegenelektroden ausgestattet sind
公开(公告)号：EP2369618A1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：EP11354010.8
申请日：2011-03-24
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics "Crolles 2" S.A.S.
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11 , G11C11/412 , H01L27/02
CPC分类号： G11C11/412 , H01L21/84 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L27/1203
摘要： La cellule mémoire est de type SRAM à quatre transistors munis d'une contre-électrode. Elle comporte une première zone en matériau semi-conducteur (5a) avec un premier transistor d'accès (1a) et un premier transistor de conduction (2a) connectés en série, leur borne commune définissant un premier noeud électrique (F). Un second transistor d'accès (1b) et un second transistor de conduction (2b) sont connectés en série sur une seconde zone en matériau semi-conducteur (5b) et leur borne commune définit un second noeud électrique (S). Le substrat de support comprend des première et seconde contre-électrodes. Les première et seconde contre-électrodes sont respectivement en vis-à-vis des première et seconde zones en matériau semi-conducteur (5). Le premier transistor d'accès (1a) et le second transistor de conduction (2b) sont d'un premier coté d'un plan (FS) passant par les premier (F) et second (S) noeuds électriques alors que le premier transistor de conduction (2a) et le second transistor d'accès (1 b) sont de l'autre coté plan (FS).
摘要翻译： 电池的半导体材料区域（5a，5b）分别设有存取P型金属氧化物半导体晶体管（1a，1b）和P型金属氧化物半导体驱动晶体管（2a，2b）。 一个存取晶体管和一个驱动晶体管位于穿过电节点（F，S）的平面的一侧。 另一个存取晶体管和另一个驱动晶体管位于平面的另一侧。 支撑基板具有对置电极，其中对置电极和栅电极（7a，7b）的连接被布置在平面的两侧。
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7.发明公开Substrat hybride à isolation améliorée et procédé de réalisation simplifié d'un substrat hybride 审中-公开杂交子传播者Isolierung，und vereinfachtes Herstellungsverfahren eines Hybridsubstrats
公开(公告)号：EP2339616A1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：EP10354093.6
申请日：2010-12-20
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroeletronics Crolles 2 SAS
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76264
摘要： Un substrat hybride comporte des première (1) et seconde (3) zones actives en matériaux semi-conducteur décalées latéralement et séparées par une zone d'isolation (5). Les surfaces principales de la zone d'isolation (5) et de la première zone active (1) forment un plan. Le substrat hybride est obtenu à partir d'un substrat souche comportant successivement des couches en premier (2) et second (4) matériaux semi-conducteurs séparées par une couche d'isolation (6). Un unique masque de gravure est utilisé pour structurer la zone d'isolation (5), la première zone active (1) et la seconde zone active (3). La surface principale de la première zone active (1) est libérée formant ainsi des zones vides dans le substrat souche. Le masque de gravure est éliminé au dessus de la première zone active (1). Un premier matériau d'isolation est déposé, aplani et gravé jusqu'à libérer la surface principale de la première zone active (1).
摘要翻译： 该方法包括形成描绘混合基板的隔离区域（5）和两个有效区域（1,3）的蚀刻掩模（8）。 将两个半导体材料的层（2,4）和隔离层（6）构造成描绘两个半导体材料之一中的隔离区域和一个有效区域，以释放活性区域的主表面以形成空隙区域 底物。 在有效区域之上消除掩模，并且隔离区域的隔离材料填充空隙区域和掩模。 隔离材料被平整并蚀刻到主表面。 半导体材料可以是绝缘体上半导体材料。 还包括用于包含有源层的混合基板的独立权利要求。
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8.发明公开Capteur d'images éclairé par la face arrière à température de substrat uniforme 有权Bildsensor，der von derRückseitebeleuchtet wird mit einheitlicher Substrattemperatur
公开(公告)号：EP1883112A1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：EP07112649.4
申请日：2007-07-17
申请人： ST MICROELECTRONICS S.A. , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
摘要： L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M 7 , M 8 ). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.
摘要翻译： 传感器具有在其前表面（15）的一侧上具有N和P型区域（34,38）的半导体材料衬底（14），对应于外围电路的MOS晶体管（M7，M8）的电源端子，具有 显着的散热。 一层绝缘层（70）覆盖该表面，并且导热硅增强件（78）覆盖与衬底相对的一侧的堆叠。 导热通孔（76）将衬底连接到加强件，其中传感器制成整体形式并且在衬底的后表面（16）的侧面上被照射。 还包括用于制造图像传感器的方法的独立权利要求。
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