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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DOTIERTER SILICIUMSCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN ERHÄLTLICHE SILICIUMSCHICHTEN UND IHRE VERWENDUNG
    1.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DOTIERTER SILICIUMSCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN ERHÄLTLICHE SILICIUMSCHICHTEN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
    用于生产掺杂硅层，直奔有效硅层和它们的用途

    公开(公告)号：EP2502262A1

    公开(公告)日：2012-09-26

    申请号：EP10776681.8

    申请日：2010-11-10

    申请人： Evonik Degussa GmbH

    发明人： STÜTZEL, Bernhard ,  FAHRNER, Wolfgang

    IPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： The invention relates to a method for producing a doped silicon layer on a substrate, comprising the steps of (a) providing a liquid silane formulation and a substrate, (b) applying the liquid silane formulation to the substrate, (c) applying electromagnetic and/or thermal energy, wherein an at least partially polymorphic silicon layer is obtained, (d) providing a liquid preparation comprising at least one metal complex compound comprising aluminum, (e) applying said preparation to the silicon layer obtained in step (c), and subsequently (f) heating the coating obtained in step (e) by applying electromagnetic and/or thermal energy, wherein the preparation obtained in step (d) breaks down at least to metal and hydrogen, and subsequently (g) cooling the coating obtained according to step (f), wherein a silicon layer doped with Al or Al and metal is obtained, to doped silicon coatings that can be obtained according to the method, and to the use thereof for producing light-sensitive elements and electronic components.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造在衬底一个掺杂的硅层，其包括：（a）提供液体硅烷制剂和基片的步骤，（b）将所述液体硅烷配制剂的底物，（c）将电磁 和/或热能，以获得用于至少部分地多晶型硅层，（d）提供液体制剂，其包含至少一种含铝金属配合物，（e）将本制剂在步骤（c）中获得的硅层和 然后（f）将至少对金属和氢，然后（克）引入电磁和/或热能量，其分解后，步骤（d）中获得的制剂冷却涂层获得AfterStep的加热后步骤（e）中得到的涂层 （F），以获得Al掺杂或Al和金属掺杂的硅层，通过所述方法和它们的用途为生产光敏元件和电子元件到掺杂硅层可获得的。