公开(公告)号：EP2305788A1

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：EP10177316.6

申请日：2010-09-17

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： Takahashi, Tomonori ,  Takahashi, Kazutaka ,  Mizutani, Atsushi ,  Seki, Hiroyuki ,  Fushimi, Hideo ,  Kato, Tomoo

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/50 ,  C11D7/08

CPC分类号： G03F7/425 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

摘要： A cleaning composition for removing plasma etching residue and/or ashing residue formed above a semiconductor substrate is provided that includes (component a) water, (component b) a hydroxylamine and/or a salt thereof, (component c) a basic organic compound, and (component d) an organic acid and has a pH of 7 to 9. There are also provided a cleaning process and a process for producing semiconductor device employing the cleaning composition.

摘要翻译： 提供了用于去除形成在半导体衬底上的等离子体蚀刻残渣和/或灰化残留物的清洁组合物，其包括（组分a）水，（组分b）羟胺和/或其盐，（组分c）碱性有机化合物， 和（组分d）有机酸，并且具有7至9的pH。还提供了一种清洁方法和使用该清洁组合物的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：EP2386623B1

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：EP11166033.8

申请日：2011-05-13

申请人： Fujifilm Corporation

发明人： Inaba, Tadashi ,  Takahashi, Kazutaka ,  Takahashi, Tomonori ,  Mizutani, Atsushi

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/5004

公开(公告)号：EP2305788B1

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：EP10177316.6

申请日：2010-09-17

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： Takahashi, Tomonori ,  Takahashi, Kazutaka ,  Mizutani, Atsushi ,  Seki, Hiroyuki ,  Fushimi, Hideo ,  Kato, Tomoo

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/50 ,  C11D7/08

CPC分类号： G03F7/425 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

公开(公告)号：EP2386623A1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：EP11166033.8

申请日：2011-05-13

申请人： Fujifilm Corporation

发明人： Inaba, Tadashi ,  Takahashi, Kazutaka ,  Takahashi, Tomonori ,  Mizutani, Atsushi

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/5004

摘要： Provided are a cleaning composition which is capable of inhibiting the metal of a semiconductor substrate from corrosion, and has an excellent removability of plasma etching residues and/or ashing residues on the semiconductor substrate, a method for producing a semiconductor device, and a cleaning method using the cleaning composition. The cleaning composition for removing plasma etching residues and/or ashing residues formed on a semiconductor substrate, and a preparation method and a cleaning method for a semiconductor device, using the cleaning composition, wherein the cleaning composition includes (Component a) water; (Component b) an amine compound; (Component c) hydroxylamine and/or a salt thereof; (Component d) a quaternary ammonium compound; (Component e) an organic acid; and (Component f) a water-soluble organic solvent; and has a pH of 6 to 9.

摘要翻译： 本发明提供一种清洗组合物，所有这些都能够抑制从腐蚀的半导体基片的金属，并具有等离子蚀刻残渣及/或灰化残留物在半导体基板的优异的可除去性，用于制造半导体器件的方法，以及清洁方法 使用清洁组合物。 使用所述清洗组合物用于除去等离子蚀刻残渣及/或灰化形成在半导体衬底残余物的清洗组合物，及其制备方法和用于半导体器件的清洗方法，所述清洗组合物包括worin（成分a）水; （成分b）的胺化合物; （C成分）羟胺和/或其盐; （D成分）的季铵化合物; 有机酸（E成分）; 和（F成分）的水溶性有机溶剂; 并具有pH为6至9日