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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS AUS SELTENERDMETALLDOTIERTEM QUARZGLAS
    1.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS AUS SELTENERDMETALLDOTIERTEM QUARZGLAS 审中-公开

    公开(公告)号：EP3381870A1

    公开(公告)日：2018-10-03

    申请号：EP17163811.7

    申请日：2017-03-30

    申请人： Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

    发明人： LEHMANN, Walter ,  SUCH, Mario ,  KAYSER, Thomas ,  LANGNER, Andreas ,  SCHÖTZ, Gerhard

    IPC分类号： C03B19/06

    CPC分类号： C03B19/066 ,  C03B19/14 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03B2215/03 ,  C03B2215/50 ,  C03B2215/66

    摘要： Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, das mindestens bereichsweise aus seltenerdmetalldotiertem Quarzglas besteht, wird ein Hohlräume enthaltendes Zwischenprodukts (5) aus einem mit Seltenerdmetall dotierten SiO 2 -Rohstoff in eine Sinterform eingebracht, deren Innenraum von einer kohlenstoffhaltigen Formwandung (9) begrenzt ist und darin durch Gasdrucksintern bei einer Maximal-Temperatur oberhalb von 1500 °C zu dem Bauteil erschmolzen, wobei zwischen der Formwandung (9) und dem Zwischenprodukt (5) eine Abschirmung (6 , 7, 8) angeordnet ist. Um hiervon ausgehend ein modifiziertes Gasdrucksinterverfahren anzugeben, das die Herstellung von Seltenerdmetall-dotiertem Quarzglas mit reproduzierbaren Eigenschaften gewährleistet, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass als Abschirmung eine Schüttung aus amorphen SiO 2 -Teilchen mit einer Schichtdicke von mindestens 2 mm eingesetzt wird, deren Erweichungstemperatur um mindestens 20 °C höher ist als die Erweichungstemperatur des dotierten SiO 2 -Rohstoffs, und die zu Beginn des Schmelzens des Zwischenprodukts gemäß Verfahrensschritt gasdurchlässig ist, und die beim Schmelzen zu einer für ein Druckgas gasdichten Außenschicht sintert.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DOTIERTEM QUARZGLAS
    2.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DOTIERTEM QUARZGLAS 审中-公开
    用于生产掺杂石英玻璃

    公开(公告)号：EP2215025A1

    公开(公告)日：2010-08-11

    申请号：EP08804353.4

    申请日：2008-09-18

    申请人： Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG ,  Institut für Photonische Technologien e.V.

    发明人： LANGNER, Andreas ,  KAYSER, Thomas ,  SCHOETZ, Gerhard ,  SUCH, Mario ,  KIRCHHOF, Johannes ,  GRIMM, Stephan ,  REICHEL, Volker

    IPC分类号： C03B19/06 ,  C03B19/12 ,  C03C3/06

    摘要： The invention relates to a method allowing cost-effective production of doped quartz glass, particularly laser-active quartz glass, that is improved with regard to the homogeneity of the doping material distribution, in that a suspension is provided comprising SiO2 particles and an initial compound for at least one doping material in an aqueous fluid, the fluid being removed under formation of a doped intermediate product comprising particles of the doping material or particles of the precursor substance or the doping material, and the doped quartz glass is formed by sintering the doped intermediate product, wherein at least part of the particles of the doping material or the particles of the precursor substance of the same is generated in the suspension as a precipitate of a pH-value-controlled precipitation reaction of the initial compound.

    BAUTEIL AUS DOTIERTEM QUARZGLAS FÜR DEN EINSATZ IN EINEM PLASMA-UNTERSTÜTZTEN FERTIGUNGSPROZESS SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES BAUTEILS
    6.
    发明公开
    BAUTEIL AUS DOTIERTEM QUARZGLAS FÜR DEN EINSATZ IN EINEM PLASMA-UNTERSTÜTZTEN FERTIGUNGSPROZESS SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES BAUTEILS 审中-公开

    公开(公告)号：EP3708547A1

    公开(公告)日：2020-09-16

    申请号：EP19162613.4

    申请日：2019-03-13

    申请人： Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

    发明人： STAMMINGER, Mark ,  SUCH, Mario

    IPC分类号： C03B19/06 ,  C03C3/06

    摘要： Bekannte Bauteil aus dotiertem Quarzglas für den Einsatz in einem plasma-unterstützten Fertigungsprozess; insbesondere bei der Halbleiterfertigung, enthalten mindestens einen Dotierstoff, der geeignet ist, mit Fluor unter Bildung einer Fluorid-Verbindung zu reagieren, wobei die Fluorid-Verbindung einen Siedepunkt hat, der höher ist als derjenige von SiF 4 . Um hiervon ausgehend ein Bauteil aus dotiertem Quarzglas anzugeben, das sich bei Einsatz in einem plasma-unterstützten Fertigungsprozess durch hohe Trockenätzbeständigkeit und geringe Partikelbildung und insbesondere durch einen gleichmäßigen Ätzabtrag auszeichnet, wird vorgeschlagen, dass das dotierte Quarzglas eine Mikrohomogenität aufweist, die definiert ist (a) durch eine Oberflächenrauigkeit mit einem R a -Wert von weniger als 20 nm, nachdem die Oberfläche einer in der Beschreibung spezifizierten Trockenätzprozedur unterzogen worden ist, und/oder (b) durch eine Dotierstoff-Verteilung mit einem lateralen Konzentrationsprofil, bei dem Maxima der Dotierstoff-Konzentration einen mittleren Abstand von weniger als 30 µm voneinander haben.