公开(公告)号：EP2617077A1

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：EP10857383.3

申请日：2010-09-16

申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.

发明人： RIBEIRO, Gilberto ,  NICKEL, Janice, H. ,  YANG, Jianhua

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1641

摘要： A nanoscale switching device (400) comprises a first electrode (102) of a nanoscale width; a second electrode (108) of a nanoscale width; an active region (106) disposed between the first and second electrodes, the active region containing a switching material; an area (402) within the active region 5 that constrains current flow between the first electrode and the second electrode to a central portion of the active region; and an interlayer dielectric layer (110) formed of a dielectric material and disposed between the first and second electrodes outside the active region. A nanoscale crossbar array (900) and method of forming the nanoscale switching device are also disclosed.

摘要翻译： 纳米级开关器件（400）包括纳米级宽度的第一电极（102） 纳米级宽度的第二电极（108） 设置在所述第一和第二电极之间的有源区（106），所述有源区包含开关材料; 在有源区域5内的区域（402），其将第一电极和第二电极之间的电流限制到有源区域的中心部分; 以及由电介质材料形成的层间电介质层（110），所述层间电介质层设置在所述有源区域之外的所述第一和第二电极之间。 还公开了纳米级交叉开关阵列（900）和形成纳米开关装置的方法。

公开(公告)号：EP2443657A1

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：EP09849071.7

申请日：2009-09-04

申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.

发明人： WILLIAMS, R. Stanley ,  YANG, Jianhua ,  PICKETT, Matthew ,  RIBEIRO, Gilberto ,  STRACHAN, John Paul

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A memristor (100, 100', 100") based on mixed-metal-valence compounds comprises: a first electrode (115); a second electrode (120); a layer (105) of a mixed-metal-valence phase in physical contact with at least one layer (110, 110a, 110b) of a fully oxidized phase. The mixed-metal-valence phase is essentially a condensed phase of dopants for the fully oxidized phase that drift into and out of the fully oxidized phase in response to an applied electric field (125). One of the first and second electrodes is in electrical contact with either the layer of the mixed-metal-valence phase or a layer (110a) of a fully oxidized phase and the other is in electrical contact with the layer (or other layer (110b)) of the fully oxidized phase. The memristor is prepared by forming in either order the layer of the mixed-metal-valence phase and the layer of the fully oxidized phase, one on the other. A reversible diode (100') and an ON-switched diode (100") are also provided. A method of operating the memristor is further provided.

摘要翻译： 一种基于混合金属价化合物的忆阻器（100,100'，100“），包括：第一电极（115）;第二电极（120）;混合金属化合价相的层（105） 与完全氧化相的至少一个层（110,110a，110b）接触，混合金属价相基本上是完全氧化相的掺杂剂的凝聚相，响应漂移进入和完全氧化相 施加电场（125），第一和第二电极中的一个电极与混合金属价态层或完全氧化相的层（110a）电接触，另一个电接触 与完全氧化相的层（或其它层（110b））一起形成忆阻器。忆阻器通过以任意顺序形成混合金属价相层和完全氧化相层，一个在另一个上。 还提供可逆二极管（100'）和开关二极管（100“）。 还提供了一种操作忆阻器的方法。