公开(公告)号：EP2065428B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：EP07828866.9

申请日：2007-09-21

申请人： JSR Corporation

发明人： IWASAWA, Haruo ,  SAKAI, Tatsuya ,  MATSUKI, Yasuo ,  TAMAKI, Kentaro

IPC分类号： C08G77/12 ,  C04B41/81 ,  C09D183/05 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/3124 ,  C08G77/06 ,  C08G77/12 ,  C08G77/16 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224

公开(公告)号：EP2226368A1

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：EP08865378.7

申请日：2008-12-24

申请人： JSR Corporation

发明人： SAKAI, Tatsuya ,  MATSUKI, Yasuo ,  TOMINAGA, Tetsuo

IPC分类号： C09D185/00 ,  B32B15/20 ,  C09D5/00 ,  C09D7/12 ,  C07C211/65 ,  C07F5/06

CPC分类号： C09D185/00 ,  B32B15/20 ,  C07C211/65 ,  C07F5/069 ,  C09D5/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14

摘要： A composition for forming an aluminum film, comprising a complex represented by the following formula (1) and a complex represented by the following formula (2), the molar ratio of the complex represented by the following formula (1) and the complex represented by the following formula (2) being 40:60 to 85:15: AlH 3 ⋅ NR 1 ⁢ R 2 ⁢ R 3 AlH 3 ⋅ NR 1 ⁢ R 2 ⁢ R 3 2
(in the above formulas (1) and (2), R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or aralkyl group.) .

摘要翻译： 一种用于形成在铝上的电影，包括由下式表示的复合物（1）和由下式表示的配合物（2），由下式表示的配合物的摩尔比（1），并通过所示的络合物组合物 下述式（2）是40:60〜85:15：3的AlH <¢NR 1 R 2 R 3 3的AlH¢<¢NR 1个R 2 R 3¢2（（在上述式1） 和（2）中，R 1，R 2和R 3各自独立地为氢原子，烷基，环烷基，烯基，炔基，芳基或芳烷基。）。

公开(公告)号：EP2065428A1

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：EP07828866.9

申请日：2007-09-21

申请人： JSR Corporation

发明人： IWASAWA, Haruo ,  SAKAI, Tatsuya ,  MATSUKI, Yasuo ,  TAMAKI, Kentaro

IPC分类号： C08G77/12 ,  C04B41/81 ,  C09D183/05 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/3124 ,  C08G77/06 ,  C08G77/12 ,  C08G77/16 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224

摘要： A silicone resin which is represented by the following rational formula (1) and solid at 120°C:

        (H 2 SiO) n (HSiO 1.5 ) m (SiO 2 ) k      (1)

wherein n, m and k are each a number, with the proviso that, when n+m+k=1, n is not less than 0.5, m is more than 0 and not more than 0.95 and k is 0 to 0.2.
The silicone resin of the present invention can be advantageously used in a composition for forming a trench isolation having a high aspect ratio.

摘要翻译： 由以下合理式（1）表示的有机硅树脂和120℃下的固体：€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€（ƒƒƒƒ€ƒ€ 2）k€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ（1）其中n，m和k各自为数，条件是当n + m + k = 1时，n不小于0.5，m为 大于0且不大于0.95，k为0至0.2。 本发明的有机硅树脂可以有利地用于形成具有高纵横比的沟槽隔离的组合物中。

公开(公告)号：EP1995347A1

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：EP06782219.7

申请日：2006-07-27

申请人： JSR Corporation

发明人： SAKAI, Tatsuya ,  MATSUKI, Yasuo ,  KAWAGUCHI, Kazuo

IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/4485 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

摘要： A method of forming a metal film, comprising the steps of:
sublimating at least one metal compound selected from the group consisting of a cobalt compound, a ruthenium compound and a tungsten compound from a substrate having the above metal compound film formed thereon; and
supplying the sublimated gas to a substrate for forming a metal film to decompose the gas, thereby forming a metal film on the surface of the first substrate.
A method of forming a metal film which serves as a seed layer when a metal, especially copper is to be filled into the trenches of a substrate as an insulator by plating and as a barrier layer for preventing the migration of metal atoms to an insulating film when the substrate has no barrier layer and has excellent adhesion to the insulator.

摘要翻译： 一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：从其上形成有上述金属化合物膜的基材升华至少一种选自钴化合物，钌化合物和钨化合物的金属化合物; 并且将升华的气体供给到用于形成金属膜的基板以分解气体，从而在第一基板的表面上形成金属膜。 当金属，特别是铜通过电镀被填充到作为绝缘体的基板的沟槽中时，形成用作种子层的金属膜的方法以及作为用于防止金属原子迁移到绝缘膜的阻挡层 当基板没有阻挡层并且对绝缘体具有优异的粘附性时。