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公开(公告)号：EP4230765A1
公开(公告)日：2023-08-23
申请号：EP22157496.5
申请日：2022-02-18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung umfassend wenigstens die folgenden Schritte
I. Einbringen eines zu beschichtenden Substrates (30) und mindestens einer gasförmigen Vorläuferverbindung (20) in ein Reaktionsgefäß (10), sodass eine Atmosphäre mit mindestens einer Vorläuferverbindung (20) im Reaktionsgefäß (10) gebildet wird.
II. Erhitzen der in Schritt I gebildeten Atmosphäre über wenigstens einem Abschnitt der Oberfläche des Substrates (30) mittels eines Lasers (50), sodass aus Atmosphäre ein Plasma erzeugt und aufrechterhalten wird, wodurch die mindestens eine Vorläuferverbindung (20) aufgespalten wird, sodass sich einzelne Atome, Moleküle oder Ionen bilden und dadurch für die Beschichtungsreaktion aktiviert werden.
III. Reaktion der in Schritt II erzeugten Moleküle, Atome oder Ionen mit dem zu beschichtenden Substrat (30) oder in dessen Nähe und Erzeugung einer Beschichtung auf der Oberfläche des Substrates (30).-
公开(公告)号：EP3683820A1
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：EP19152528.6
申请日：2019-01-18
IPC分类号： H01J27/02 , H01J37/317 , H01J37/305 , H01J37/08 , F03H1/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung 10 zur Erzeugung von lonenstrahlen mit anpassbaren lonenstrahlprofilen, welche wenigstens ein Plasmagefäß 20, eine Ionenoptik 25 und eine Gittersteuerung 28 umfasst. Dabei umfasst die Ionenoptik 25 wenigstens zwei voneinander elektrisch getrennte Extraktionsgitter (251) und (252), die wiederum jeweils aus mehreren elektrisch in Kontakt stehenden Teilgittern bestehen können. Dabei ist die Gittersteuerung 28 so ausgebildet, dass sie die Positionen der Extraktionsgitter (251, 252) sowie die der Teilgitter zueinander verändert und dadurch das lonenstrahlprofil gezielt anpasst.
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公开(公告)号：EP3621098A1
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：EP18192459.8
申请日：2018-09-04
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/08 , H01J37/147 , F03H1/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung 10 zur Erzeugung von lonenstrahlen mit anpassbaren lonenstrahlprofilen, welche wenigstens ein Plasmagefäß 20 einer lonenquelle mit wenigstens zwei lonenoptiken 25,26 und einem lonenoptikwechsler 28 umfasst. Dabei ist der lonenoptikwechsler 28 so ausgebildet ist, dass er die lonenoptiken 25,26 zwischen zwei Positionen verschieben kann und dabei der vom Plasmagefäß der lonenquelle 20 ausgehende lonenstrahl in einer ersten Position eine erste lonenoptik 25 und in wenigstens einer weiteren Position alternativ eine zweite lonenoptik 26 durchlaufen kann.
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公开(公告)号：EP3611484A1
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：EP18189432.0
申请日：2018-08-17
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung A für eine Lichtquelle zur kohärenten Anti-Stokes Raman-Spektroskopie mit einer Lichtquelle 1 zur Emission eines Primärstrahls mit einer fundamentalen Wellenlänge λ 0 .
Diese umfasst weiterhin eine Photonische-Kristall-Faser 2, welche so ausgebildet ist, dass sie zur Generation des Superkontinuums aus dem Primärstrahl und zur Transmission der fundamentalen Wellenlänge λ 0 verwendet werden kann.
Diese umfasst weiterhin eine Kombination optischer Elemente 4, die so ausgebildet ist, dass sie das aus der Photonische-Kristall-Faser austretende Laserlicht unter Beibehaltung der zeitlichen und räumlichen Kohärenz kollimieren und den Teil des Emissionsspektrums des aus der Photonische-Kristall-Faser 2 austretenden Sekundärstrahl 3, dessen Wellenlängen kürzer als die der fundamentalen Wellenlänge des Primärstrahls λ 0 sind, entfernen, so dass ein kollimierter Tertiärstrahl 5 entsteht, der eine kohärente Überlagerung von Laserlicht bei der fundamentalen Wellenlänge λ 0 mit dem langwelligeren Anteil (λ > λ 0 ) des Superkontinuums bzw. weißen Laserlichts ist und der spektral in Intensität und Polarisation so geformt ist, dass er für die Anregung von CARS-Prozessen in Messapparaturen geeignet ist.-
5.发明公开
公开(公告)号：EP3591090A1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：EP18182052.3
申请日：2018-07-05
IPC分类号： C23C14/08 , C03C17/245 , C23C14/34 , C23C14/46 , G02B1/10 , H01J37/317
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Beschichtung mindestens einem Objekt beliebiger Geometrie mittels Sputter-Deposition. Es umfasst dabei verschiedene Schritte. Zunächst erfolgt in einem Schritt A die Erfassung der Form der zu beschichtenden Oberfläche und die Übermittlung der resultierenden Oberflächendaten an ein Auswertemittel. Anschließend erfolgt in einem Schritt B die Eingabe des Zielschichtdickenprofils und Übermittlung des Zielschichtdickenprofils an ein Auswertemittel. Dann erfolgt in einem Schritt C die Berechnung eines Bestrahlungsplans mit dem notwendigen Gesamtstrahlprofil mittels eines Auswertemittels, sodass die resultierende Massendichteverteilung des Beschichtungsmaterials das Zielschichtdickenprofil aus Schritt B aus den in Schritt A erfassten Oberflächendaten ergibt. Weiterhin erfolgt dabei die Übermittlung des Bestrahlungsplans an ein Steuerungsmittel. Danach geschieht in einem Schritt D die Einstellung von wenigstens zwei Ionenquellen zur Erzeugung des notwendigen Gesamtstrahlprofils zur Durchführung des Bestrahlungsplans aus Schritt C von mindestens einem Target. Abschließend erfolgt in einem Schritt E die Durchführung der Beschichtung der zu beschichtenden Oberfläche ausgehend vom Bestrahlungsplan aus Schritt C und der Einstellung der Ionenquellen aus Schritt D.
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