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发明授权
Method for fabricating a bipolar transistor and a MISFET semiconductor device 有权
标题翻译：对于双极晶体管和MIS场效应管的半导体装置的制造方法

公开(公告)号：EP1710842B1

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：EP06012402.1

申请日：2000-03-14

申请人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

发明人： Asai, Akira , Oonishi, Teruhito , Takagi, Takeshi , Saitho, Tohru, Matsushita Elec. Ind. Co., Ltd. , Hara, Yoshihiro , Yuki, Koichiro, c/o Matsushita Elec.Ind. Co., Ltd. , Nozawa, Katsuya , Kanzawa, Yoshihiko, Matsushita El. Ind. Co.,Ltd. , Katayama, Koji , Ichikawa, Yo

IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/331 , H01L27/06 , H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378