公开(公告)号：EP2919272A1

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：EP14159267.5

申请日：2014-03-12

申请人： NXP B.V.

发明人： Donkers, Johannes ,  Dinh, Viet Thanh ,  Vanhoucke, Tony ,  Gridelet, Evelyne ,  Heringa, Anco ,  Klaassen, Dirk

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/205 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7378

摘要： The disclosure relates to bipolar transistor devices and a method of fabricating the same. The device comprises a field plate, in an isolation region adjacent to a base-collector junction of said active region. The isolation region comprises a gate terminal arranged to be biased independently of a collector, base or emitter terminal of said transistor.

摘要翻译： 本公开涉及双极晶体管器件及其制造方法。 该器件包括在与所述有源区的基极 - 集电极结相邻的隔离区中的场板。 隔离区域包括栅极端子，被布置为独立于所述晶体管的集电极，基极或发射极端子被偏置。

公开(公告)号：EP2840369A1

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：EP13180893.3

申请日：2013-08-19

申请人： NXP B.V.

发明人： Van Steenwinckel, David ,  Besling, Willem ,  Humbert, Aurelie ,  Le, Kim Phan ,  Soccol, Dimitri ,  Heil, Stephan ,  Donkers, Johannes ,  Attenborough, Karen ,  Daamen, Roel ,  Gravesteijn, Dirk

IPC分类号： G01J5/20 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14649 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20

摘要： Disclosed is an integrated circuit (100) comprising a cavity (52) defined over a substrate (10) and a membrane (42, 50) arranged to be exposed to infrared radiation suspended over said cavity, said membrane comprising a conductive body (42) and an infrared radiation absorbing polymer (50) covering said conductive body such that the conductive body is shielded from said radiation by said polymer, said conductive body being conductively coupled to a pair of electrodes. A body detection system including such an IC and a method of manufacturing such an IC are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种集成电路（100），其包括限定在衬底（10）上的空腔（52）和布置成暴露于悬挂在所述空腔上的红外辐射的膜（42,50），所述膜包括导电体（42） 以及覆盖所述导电体的红外辐射吸收聚合物（50），使得所述导电体被所述聚合物屏蔽所述辐射，所述导电体与一对电极导电耦合。 还公开了一种包括这种IC的身体检测系统及其制造方法。

公开(公告)号：EP2747144A1

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：EP12198133.6

申请日：2012-12-19

申请人： NXP B.V.

发明人： Croon, Jeroen ,  Hurkx, Godefridus ,  Delhougne, Romain ,  Donkers, Johannes ,  Mueller, Markus ,  Jansman, Andreas ,  Heil, Stephan

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/207 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A GaN heterojunction device (and method) has a region at the gate edge processed differently to provide a region which enables a reduction in leakage currents.

摘要翻译： GaN异质结器件（和方法）具有不同的栅极边缘处的区域，以提供能够减少漏电流的区域。

公开(公告)号：EP2747143A1

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：EP12198130.2

申请日：2012-12-19

申请人： NXP B.V.

发明人： Hurkx, Godefridus ,  Croon, Jeroen ,  Donkers, Johannes ,  Heil, Stephan ,  Sonsky, Jan

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A GaN heterojunction structure has a three-layer dielectric structure. The lowermost and middle portions of the gate electrode together define the gate foot, and this is associated with two dielectric layers. A thinner first dielectric layer is adjacent the gate edge at the bottom of the gate electrode. The second dielectric layer corresponds to the layer in the conventional structure, and it is level with the main portion of the gate foot.

摘要翻译： GaN异质结结构具有三层电介质结构。 栅电极的最下部分和中间部分一起限定了栅极脚，并且这与两个电介质层相关联。 较薄的第一电介质层与栅极底部的栅极边缘相邻。 第二介电层对应于常规结构中的层，并且与栅极脚的主要部分平齐。

公开(公告)号：EP2800127B1

公开(公告)日：2020-07-08

申请号：EP13166124.1

申请日：2013-05-01

申请人： NXP B.V.

发明人： Gridelet, Evelyne ,  Donkers, Johannes ,  Magnee, Petrus Hubertus Cornelis ,  Dinh, Viet ,  VanHoucke, Tony

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/40

公开(公告)号：EP2919272B1

公开(公告)日：2020-05-27

申请号：EP14159267.5

申请日：2014-03-12

申请人： NXP B.V.

发明人： Donkers, Johannes ,  Dinh, Viet Thanh ,  Vanhoucke, Tony ,  Gridelet, Evelyne ,  Heringa, Anco ,  Klaassen, Dirk

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L29/40

公开(公告)号：EP2667415A1

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：EP12168884.0

申请日：2012-05-22

申请人： NXP B.V.

发明人： Hurkx, Godefridus Adrianus Maria ,  Croon, Jeroen ,  Donkers, Johannes ,  Sonsky, Jan ,  Sque, Stephen ,  Jansman, Andreas Bernardus Maria ,  Mueller, Markus ,  Heil, Stephan ,  Boettcher, Tim

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/872

摘要： Disclosed is a semiconductor device comprising a group 13 nitride heterojunction comprising a first layer having a first bandgap and a second layer having a second bandgap, wherein the first layer is located between a substrate and the second layer; and a Schottky electrode and a first further electrode each conductively coupled to a different area of the heterojunction, said Schottky electrode comprising a central region and an edge region, wherein the element comprises a conductive barrier portion located underneath said edge region only of the Schottky electrode for locally increasing the Schottky barrier of the Schottky electrode. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括13族氮化物异质结的半导体器件，其包括具有第一带隙的第一层和具有第二带隙的第二层，其中第一层位于衬底和第二层之间; 以及肖特基电极和第一另外的电极，每个导体耦合到所述异质结的不同区域，所述肖特基电极包括中心区域和边缘区域，其中所述元件包括仅位于所述肖特基电极的所述边缘区域下方的导电阻挡部分 用于局部增加肖特基电极的肖特基势垒。 还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：EP2800127A1

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：EP13166124.1

申请日：2013-05-01

申请人： NXP B.V.

发明人： Gridelet, Evelyne ,  Donkers, Johannes ,  Magnee, Petrus Hubertus Cornelis ,  Dinh, Viet ,  VanHoucke, Tony

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/40

摘要： Disclosed is a method of manufacturing a bipolar transistor, the method comprising providing a semiconductor substrate (10) including a collector region(11); forming a base layer (30) on the semiconductor substrate; forming an etch protect layer (32, 34) on a portion of the base layer defining an emitter region; forming a base contact layer (35) over the etch protect layer and the base layer; forming an electrically insulating layer (60) over the base layer; etching an opening (70) in the resultant structure formed after the formation of the electrically insulating layer, said opening comprising an emitter window portion (72) exposing at least a part of the etch protect layer and a field plate trench portion (74) adjacent to the emitter window portion extending through the base layer, the base contact layer and into the collector region; lining said opening with an electrically insulating material (52, 54); exposing said emitter region; and filling the lined opening with an electrically conductive material. A bipolar transistor manufactured in accordance with this method and an IC including such a bipolar transistor are also disclosed.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造双极型晶体管的方法，该方法包括提供半导体基片（10），其包括集电区（11）; 形成在所述半导体衬底的基座层（30）; 上形成蚀刻保护在基座限定层与发射极区域的一部分层（32，34）; 形成在蚀刻一个基极接触层（35）保护层和基极层; 在在基底层电绝缘层（60）形成; 在电绝缘层的形成之后形成的所得结构的开口（70）蚀刻，所述开口发射极窗口部分（72）的包含至少曝露蚀刻的一部分保护层和场板沟槽部分（74）相邻的 到所述发射极窗口部分，通过所述基础层，基极接触层，并进入收集区域延伸; 所述衬里开口与在电绝缘材料（52，54）; 暴露所述射极区; 和填充内衬上的导电材料中的开口。 在雅舞蹈用此方法和IC包括寻求的双极晶体管制造的双极型晶体管因此游离缺失盘。

公开(公告)号：EP2793265A1

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：EP13163745.6

申请日：2013-04-15

申请人： NXP B.V.

发明人： Donkers, Johannes ,  Broekman, Hans ,  Heil, Stephan ,  de Keijser, Mark ,  van der Schaar, Cecile

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： Disclosed is a semiconductor device comprising at least one active layer (14, 16) on a substrate (10) and a first contact (24, 26, 28) to the at least one active layer, the first contact comprising a metal in contact with the at least one active layer and a titanium tungsten nitride (TiW(N)) layer (30) on the metal. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括在衬底（10）上的至少一个有源层（14,16）和至少一个有源层的第一接触（24,26,28），所述第一接触包括与 金属上的至少一种有源层和氮化钛（TiW（N））层（30）。 还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：EP2466628A1

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：EP10195459.2

申请日：2010-12-16

申请人： NXP B.V.

发明人： Donkers, Johannes ,  Vanhoucke, Tony ,  Magnee, Petrus ,  Duriez, Blandine ,  Klaassen, Dirk

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L29/66242

摘要： Disclosed is a method of manufacturing a bipolar transistor, comprising providing a substrate (10) comprising a first isolation region (12) separated from a second isolation region by an active region (11) comprising a collector impurity; forming a layer stack over said substrate, said layer stack comprising a base layer (14, 14'), an etch protection portion (30, 32, 34) covering the base layer over the active region, a polysilicon layer (16) over said base layer and etch protection portion and an insulating layer (18) over the polysilicon layer; forming a emitter window (40) in said layer stack, said emitter window exposing at least part of said active region; oxidizing the exposed regions (16') of the polysilicon layer in the emitter window; removing the etch protection portion; forming sidewall spacers (22) in the base window; and filling the base window with an emitter material (24). A bipolar transistor manufactured in accordance with this method is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种制造双极晶体管的方法，包括提供包括通过包括集电极杂质的有源区（11）与第二隔离区分离的第一隔离区（12）的衬底（10） 在所述衬底上形成层叠层，所述层堆叠包括基极层（14,14'），覆盖有源区上的基极层的蚀刻保护部分（30,32,34），在所述衬底上方的多晶硅层（16） 基底层和蚀刻保护部分以及多晶硅层上的绝缘层（18）; 在所述层堆叠中形成发射器窗口（40），所述发射器窗口暴露所述有源区域的至少一部分; 氧化发射器窗中的多晶硅层的暴露区域（16'）; 去除蚀刻保护部分; 在所述基座窗中形成侧壁间隔件（22）; 以及用发射体材料（24）填充基部窗口。 还公开了根据该方法制造的双极晶体管。