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    Method for depositing a chlorine-free conformal SiN film
    4.
    发明公开
    Method for depositing a chlorine-free conformal SiN film 审中-公开
    Verfahren zum Abscheiden einer chlorfreiem konformen SiN Schicht

    公开(公告)号：EP2618365A2

    公开(公告)日：2013-07-24

    申请号：EP13152046.2

    申请日：2013-01-21

    申请人： Novellus Systems, Inc.

    发明人： Hausmann, Dennis ,  Henri, Jon ,  Van Schravendijk, Bart ,  Srinivasan, Easwar

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/318

    CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/7843

    摘要： Described are methods of making silicon nitride (SiN) materials on substrates. Improved SiN films made by the methods are also included. One aspect relates to depositing chlorine (Cl)-free conformal SiN films. In some embodiments, the SiN films are Cl-free and carbon (C)-free. Another aspect relates to methods of tuning the stress and/or wet etch rate of conformal SiN films. Another aspect relates to low-temperature methods of depositing high quality conformal SiN films. In some embodiments, the methods involve using trisilylamine (TSA) as a silicon-containing precursor. In some embodiments, the methods involve chemical vapor deposition (CVD).

    摘要翻译： 描述了在衬底上制造氮化硅（SiN）材料的方法。 还包括通过这些方法制备的改进的SiN膜。 一个方面涉及沉积无氯（Cl）的保形SiN膜。 在一些实施例中，SiN膜是无Cl且不含碳（C）。 另一方面涉及调整共形SiN膜的应力和/或湿蚀刻速率的方法。 另一方面涉及沉积高质量共形SiN膜的低温方法。 在一些实施方案中，所述方法包括使用三甲硅烷（TSA）作为含硅前体。 在一些实施方案中，该方法涉及化学气相沉积（CVD）。

    Interfacial capping layers for interconnects
    5.
    发明公开
    Interfacial capping layers for interconnects 审中-公开
    GrenzflächendeckschichtenfürLeiterbahnen

    公开(公告)号：EP2259303A2

    公开(公告)日：2010-12-08

    申请号：EP10164594.3

    申请日：2010-06-01

    申请人： Novellus Systems, Inc.

    发明人： Yu, Jengyi ,  Wu, Hui-Jung ,  Dixit, Girish ,  Van Schravendijk, Bart ,  Subramonium, Pramod ,  Jiang, Gengwei ,  Antonelli, George Andrew ,  O`Loughlin, Jennifer

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76888

    摘要： Adhesive layers residing at an interface between metal lines and dielectric diffusion barrier (or etch stop) layers are used to improve electromigration performance of interconnects. Adhesion layers are formed by depositing a precursor layer of metal-containing material (e.g., material containing A1, Ti, Ca, Mg, etc.) over an exposed copper line, and converting the precursor layer to a passivated layer (e.g., nitridized layer). For example, a substrate containing exposed copper line having exposed Cu-O bonds is contacted with trimethylaluminum to form a precursor layer having A1-O bonds and A1-C bonds on copper surface. The precursor layer is then treated to remove residual organic substituents and to form A1-N, A1-H bonds or both. The treatment can include direct plasma treatment, remote plasma treatment, UV-treatment, and thermal treatment with a gas such as NH 3 , H 2 , N 2 , and mixtures thereof. A dielectric diffusion barrier layer is then deposited.

    摘要翻译： 使用位于金属线和电介质扩散阻挡层（或蚀刻停止）层之间的界面处的粘合层来改善互连的电迁移性能。 通过在暴露的铜线上沉积含金属材料的前体层（例如含有Al，Ti，Ca，Mg等的材料）并将前体层转化为钝化层（例如，氮化层 ）。 例如，含有暴露的Cu-O键的暴露的铜线的基板与三甲基铝接触以在铜表面上形成具有A1-O键和A1-C键的前体层。 然后处理前体层以除去残留的有机取代基并形成A1-N，A1-H键或两者。 处理可以包括直接等离子体处理，远程等离子体处理，UV处理和用诸如NH 3，H 2，N 2的气体及其混合物的热处理。 然后沉积介电扩散阻挡层。