公开(公告)号：EP0002550B1

公开(公告)日：1981-01-28

申请号：EP78200340.4

申请日：1978-12-04

申请人： R.T.C. LA RADIOTECHNIQUE-COMPELEC Société anonyme dite: ,  Philips Electronics N.V.

发明人： Diguet, Daniel ,  David, Gérard André ,  Aubril, Pierre

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L31/022425 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  Y02E10/50 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399

公开(公告)号：EP0002550A1

公开(公告)日：1979-06-27

申请号：EP78200340.4

申请日：1978-12-04

申请人： R.T.C. LA RADIOTECHNIQUE-COMPELEC Société anonyme dite: ,  Philips Electronics N.V.

发明人： Diguet, Daniel ,  David, Gérard André ,  Aubril, Pierre

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L31/022425 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  Y02E10/50 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399

摘要： Le procédé se rapporte à la création d'un contact à la surface (23) d'un corps semiconducteur (21), par un procédé de sérigraphie utilisant un dépôt (25) de pâte conductrice contenant l'addition d'un élément dopant susceptible d'augmenter la concentration d'impuretés en surface au cours du traitement de vitrification de ladite pâte.
Selon l'invention, le procédé comporte un second dépôt (28) de pâte conductrice, localisé au seul emplacement prévu pour le soudage d'une connexion (27), la pâte dudit second dépôt étant dépourvue de l'élément dopant.

摘要翻译： 形成通过其中一个掺杂的导电糊在第一沉积提供，然后一个第二沉积不含掺杂物被设置在至少部分地在第一沉积一个丝网印刷处理的半导体的表面上的接触的方法。 在雅舞蹈本发明制造的装置特别适合于用作光生伏打转换器的太阳辐射。