摘要:
Very thin flash modules for cameras are described that do not appear as a point source of light to the illuminated subject. Therefore, the flash is less objectionable to the subject. In one embodiment, the light emitting surface area is about 5 mm×10 mm. Low profile, side-emitting LEDs optically coupled to solid light guides enable the flash module to be thinner than 2 mm. The flash module may also be continuously energized for video recording. The module is particularly useful for cell phone cameras and other thin cameras.
摘要:
Bonded surfaces are formed by adhering first nanorods and second nanorods to respective first and second surfaces. The first shell is formed on the first nanorods and the second shell is formed on the second nanorods, wherein at least one of the first nanorods and second nanorods, and the first shell and the second shell are formed of distinct metals. The surfaces are then exposed to at least one condition that causes the distinct metals to form an alloy, such as eutectic alloy having a melting point below the temperature at which the alloy is formed, thereby bonding the surfaces upon which solidification of the alloy.
摘要:
Methods for die attachment of multichip and single components including flip chips may involve printing a sintering paste on a substrate or on the back side of a die. Printing may involve stencil printing, screen printing, or a dispensing process. Paste may be printed on the back side of an entire wafer prior to dicing, or on the back side of an individual die. Sintering films may also be fabricated and transferred to a wafer, die or substrate. A post-sintering step may increase throughput.
摘要:
The invention relates to a method for electrically contacting a component (10) (for example a power component and/or a (semiconductor) component having at least one transistor, preferably an IGBT (insulated-gate bipolar transistor)) having at least one contact (40, 50), at least one open-pored contact piece (60, 70) is galvanically (electrochemically or free of external current) connected to at least one contact (40, 50). In this way, a component module is achieved. The contact (40, 50) is preferably a flat part or has a contact surface, the largest planar extent thereof being greater than an extension of the contact (40, 50) perpendicular to said contact surface. The temperature of the galvanic connection is at most 100 °C, preferably at most 60 °C, advantageously at most 20 °C and ideally at most 5 °C and/or deviates from the operating temperature of the component by at most 50 °C, preferably by at most 20 °C, in particular by at most 10 °C and ideally by at most 5 °C, preferably by at most 2 °C. The component (10) can be contacted by means of the contact piece (60, 70) with a further component, a current conductor and/or a substrate (90). Preferably, a component (10) having two contacts (40, 50) on opposite sides of the component (10) is used, wherein at least one open-pored contact piece (60, 70) is galvanically connected to each contact (40, 50).
摘要:
A display device is provided. A transparent light emitting diode film includes: a base; an electrode layer located on the base and in which at least one pattern is formed; a pad formed in at least one portion on the electrode layer; a light emitting diode located on the pad; and an adhesive layer formed in at least another portion on the electrode layer, wherein in the adhesive layer, an opening portion is formed in a portion corresponding to the light emitting diode. Therefore, when forming the transparent light emitting diode film by including a material having strong heat resistance, a state change by a temperature may not occur.
摘要:
A semiconductor device (10) comprises a drift layer (22) having a first surface with an active region (14) and a plurality of junction barrier element recesses (40), the drift layer being doped with a doping material of a first conductivity type and associated with an edge termination region (16) that is substantially laterally adjacent the active region. A Schottky layer (24) is over the active region of the first surface to form a Schottky junction. A plurality of first doped regions (30) extend into the drift layer about corresponding ones of the plurality of junction barrier element recesses (40) wherein the plurality of first doped regions are doped with a doping material of a second conductivity type, which is opposite the first conductivity type, and form an array of junction barrier elements in the drift layer below the Schottky junction. A well (34) ia formed in the drift layer in the edge termination region, the well having guard rings (36) and being doped with the doping material of the second conductivity type where the plurality of guard rings are formed in the well, wherein the guard rings are coplanar with the junction barrier element recesses.
摘要:
A method of flip-chip bonding a plurality of die (10) having at least one metal layer (12) on a die surface to a board (16) comprises placing a first die (10) onto a board (16, 40) comprising one of a ceramic or substrate board or metal lead frame having a solderable surface and placing the first die (10) and the board (16, 40) into a reflow oven. The method includes reflowing at a first reflow temperature for a first period until the first metal board layer (18) and at least one of metal die layers (12) of the first die form an alloy (26) to adhere the first die (10) to the board (16, 40). The newly formed alloy (26) has a higher melting temperature than the first reflow temperature. Accordingly, additional die may be reflowed and flip-chip attached to the board (16, 40) without causing the bonding of the first die (10) to the board (16) to fail if the same reflow temperature is used and without any metals or alloys connecting (bridging) bond pads of a die (10) or of adjacent die (10).
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung umfassend mindestens ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (20), wobei das elektrische und/oder elektronische Bauelement (20) zumindest einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss aufweist und diese jeweils eine Kontaktoberfläche zum mittelbaren oder unmittelbaren elektrischen Kontaktieren des elektrischen und/oder elektronischen Bauelementes (20) mit einer Schaltung umfassen. Mindestens einer der Kontaktoberflächen ist mit zumindest einem Verbindungselement (60) verbunden, welches das mindestens eine elektrische und/oder elektronische Bauelement (20) mit der Schaltung verbindet. Ferner sind die zumindest eine der Kontaktoberflächen und das jeweilige zumindest eine Verbindungselement (60) oder eine Beschichtung des jeweiligen zumindest einen Verbindungselementes (60) jeweils aus einem Material gebildet, welche zusammen eine Materialpaarung aus Ag oder einer Ag-Legierung mit Al oder einer Al-legierung oder eine Materialpaarung aus Au oder einer Au-Legierung mit Al oder einer Al-Legierung ergeben. Zur Vermeidung einer Kontaktkorrosion ist die zumindest eine Kontaktoberfläche mit einer ersten Seite eines Kontaktplättchen (50) kontaktiert, während eine zweite Seite des Kontaktplättchen mit dem jeweiligen zumindest einen Verbindungselement (60) kontaktiert ist. Das Kontaktplättchen (50) ist dabei aus Cu, einer Cu-Legierung, Ni oder einer Ni-Legierung, aus Wolfram oder Molybdän gebildet oder die erste und/oder die zweite Seite des Kontaktplättchens weist eine Beschichtung auf, welche aus Cu, einer Cu-Legierung, Ni oder einer Ni-Legierung gebildet ist.
摘要:
Provided is a joining structure that prevents occurrence of a crack at a joining portion between a metal member and a metal porous body, and can achieve a highly reliable joining. The joining structure of the present invention has a metal member 1 and a metal porous body 2 formed on the metal member 1. The metal member 1 includes an outer layer 1b and an inner layer 1c, the outer layer 1b including one of main surfaces 1a and being formed on the metal porous body 2 side, the inner layer 1c being formed at a position farther from the metal porous body 2 than the outer layer 1b in a thickness direction, the outer layer 1b has an average crystal grain size ds that is smaller than an average crystal grain size di of the inner layer 1c, and the metal porous body 2 has an average crystal grain size dp that is smaller than or equal to the average crystal grain size ds of the outer layer 1b.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung umfassend mindestens ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (20), wobei das elektrische und/oder elektronische Bauelement (20) zumindest einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss aufweist und diese jeweils eine Kontaktoberfläche zum mittelbaren oder unmittelbaren elektrischen Kontaktieren des elektrischen und/oder elektronischen Bauelementes (20) mit einer Schaltung umfassen. Mindestens einer der Kontaktoberflächen ist mit zumindest einem Verbindungselement (60) verbunden, welches das mindestens eine elektrische und/oder elektronische Bauelement (20) mit der Schaltung verbindet. Ferner sind die zumindest eine der Kontaktoberflächen und das jeweilige zumindest eine Verbindungselement (60) oder eine Beschichtung des jeweiligen zumindest einen Verbindungselementes (60) jeweils aus einem Material gebildet, welche zusammen eine Materialpaarung aus Ag oder einer Ag-Legierung mit Al oder einer Al-legierung oder eine Materialpaarung aus Au oder einer Au-Legierung mit Al oder einer Al-Legierung ergeben. Zur Vermeidung einer Kontaktkorrosion ist die zumindest eine Kontaktoberfläche mit einer ersten Seite eines Kontaktplättchen (50) kontaktiert, während eine zweite Seite des Kontaktplättchen mit dem jeweiligen zumindest einen Verbindungselement (60) kontaktiert ist. Das Kontaktplättchen (50) ist dabei aus Cu, einer Cu-Legierung, Ni oder einer Ni-Legierung, aus Wolfram oder Molybdän gebildet oder die erste und/oder die zweite Seite des Kontaktplättchens weist eine Beschichtung auf, welche aus Cu, einer Cu-Legierung, Ni oder einer Ni-Legierung gebildet ist.