公开(公告)号：EP1967488A2

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：EP08104525.4

申请日：2004-11-02

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： Lammel, Gerhard ,  Benzel, Hubert ,  Schaefer, Frank ,  Armbruster, Simon ,  Schelling, Christoph ,  Brasas, Joerg

IPC分类号： B81B3/00

CPC分类号： B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00658 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0136

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines mikromechanischen Membransensors, sowie ein Halbleiterbauelement nach einem der beanspruchten Herstellungsverfahren, mit einem Halbleiterträger, einer Membran und einer Kaverne.

摘要翻译： 的半导体器件，即 的微机械传感器膜，与给药区并在洞穴（250）的膜（240）构成的半导体载体。 该膜产生与定量给料在第一，至少部分地作为杆相干第二区，和所述半导体材料的一部分从第一区域移出。 该结构由沉积单晶材料层覆盖。

公开(公告)号：EP1967488A3

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：EP08104525.4

申请日：2004-11-02

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： Lammel, Gerhard ,  Benzel, Hubert ,  Schaefer, Frank ,  Armbruster, Simon ,  Schelling, Christoph ,  Brasas, Joerg

IPC分类号： B81B3/00

CPC分类号： B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00658 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0136

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines mikromechanischen Membransensors, sowie ein Halbleiterbauelement nach einem der beanspruchten Herstellungsverfahren, mit einem Halbleiterträger, einer Membran und einer Kaverne.

公开(公告)号：EP1544163A3

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：EP04105448.7

申请日：2004-11-02

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： BENZEL, Hubert ,  SCHAEFER, Frank ,  ARMBRUSTER, Simon ,  Lammel, Gerhard ,  SCHELLING, Christoph ,  BRASAS, Joerg

IPC分类号： B81B3/00

CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0136

摘要： Die Anmeldung beschreibt ein Herstellungsverfahren eines insbesondere mikromechanischen Halbleiterbauelements sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Zur Herstellung des Halbleiterbauelements ist vorgesehen, dass auf einem Halbleiterträger ein strukturiertes Stabilisierungselement mit wenigstens einer Öffnung erzeugt wird. Die Öffnung ist dabei so angebracht, dass sie den Zugang zu einem mit einer ersten Dotierung aufweisenden ersten Bereich im Halbleiterträger erlaubt. Weiterhin ist ein selektives Herauslösen wenigstens eines Teils des mit der ersten Dotierung versehenen Halbleitermaterials aus dem ersten Bereich des Halbleiterträger vorgesehen. Darüber hinaus wird mittels einer ersten Epitaxieschicht, die auf das Stabilisierungselement aufgebracht wird, eine Membran oberhalb des ersten Bereichs erzeugt. Wenigstens ein Teil des ersten Bereichs dient in einem weiteren Verfahrensschritt dazu, eine Kaverne unterhalb des Stabilisierungselement zu erzeugen. Der Kern der Anmeldung besteht nun darin, das strukturierte Stabilisierungselement mittels einer zweiten Epitaxieschicht, die auf dem Halbleiterträger aufgebracht wird, zu erzeugen.