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    Boron doped shell for MEMS device
    3.
    发明公开
    Boron doped shell for MEMS device 有权
    Bordotierte UmmantelungfürMEMS-Vorrichtung

    公开(公告)号：EP2019081A2

    公开(公告)日：2009-01-28

    申请号：EP08160924.0

    申请日：2008-07-22

    Applicant: Honeywell International Inc.

    Inventor： Detry, James F.

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2203/031

    Abstract: A wafer for use in a MEMS device having two doped layers surrounding an undoped layer of silicon is described. By providing two doped layers around an undoped core, the stress in the lattice structure of the silicon is reduced as compared to a solidly doped layer. Thus, problems associated with warping and bowing are reduced. The wafer may have a pattered oxide layer to pattern the deep reactive ion etch. A first deep reactive ion etch creates trenches in the layers. The walls of the trenches are doped with boron atoms. A second deep reactive ion etch removes the bottom walls of the trenches. The wafer is separated from the silicon substrate and bonded to at least one glass wafer.

    Abstract translation: 描述了一种用于具有围绕未掺杂硅层的两个掺杂层的MEMS器件的晶片。 通过在未掺杂的芯周围提供两个掺杂层，与固体掺杂层相比，硅的晶格结构中的应力降低。 因此，与翘曲和弯曲相关的问题减少。 晶片可以具有图案化的氧化物层以对深反应离子蚀刻进行图案化。 第一深反应离子蚀刻在层中产生沟槽。 沟槽的壁被掺杂硼原子。 第二次深反应离子蚀刻去除沟槽的底壁。 将晶片与硅衬底分离并结合至至少一个玻璃晶片。

    METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ACCELEROMETER
    5.
    发明授权
    METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ACCELEROMETER 失效
    用于生产半导体加速度传感器

    公开(公告)号：EP0606220B1

    公开(公告)日：1997-03-26

    申请号：EP92914941.7

    申请日：1992-06-12

    Applicant: HARRIS CORPORATION

    Inventor： BEITMAN, Bruce, A.

    IPC: G01P15/12

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

    Abstract: A semiconductor accelerometer is formed by attaching a semiconductor layer to a handle wafer by a thick oxide layer. Accelerometer geometry is patterned in the semiconductor layer, which is then used as a mask to etch out a cavity in the underlying thick oxide. The mask may include one or more apertures, so that a mass region will have corresponding apertures to the underlying oxide layer. The structure resulting from an oxide etch has the intended accelerometer geometry of a large volume mass region supported in cantilever fashion by a plurality of piezo-resistive arm regions to a surrounding, supporting portion of the semiconductor layer. Directly beneath this accelerometer geometry is a flex-accommodating cavity realized by the removal of the underlying oxide layer. The semiconductor layer remains attached to the handle wafer by means of the thick oxide layer that surrounds the accelerometer geometry, and which was adequately masked by the surrounding portion of the top semiconductor layer during the oxide etch step. In a second embodiment support arm regions are dimensioned separately from the mass region, using a plurality of buried oxide regions as semiconductor etch stops.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE
    7.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE 有权
    一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK

    公开(公告)号：EP2300356A2

    公开(公告)日：2011-03-30

    申请号：EP09761543.9

    申请日：2009-04-21

    Applicant: Robert Bosch GmbH

    Inventor： KRAMER, Torsten ,  AHLES, Marcus ,  GRUNDMANN, Armin ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: The invention proposes a particularly simple, cost-effective method for producing a micromechanical membrane structure with access from the rear of the substrate. Said method is based on a p-doped Si substrate (1) and comprises the following process steps: n-doping of at least one continuous lattice-type region (2) of the substrate surface; porous etching of a substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); creation of a cavity (7) in said substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); growing of a first monocrystalline silicon epitaxial layer (8) on the n-doped lattice structure (2). The invention is characterised in that at least one opening (6) in the n-doped lattice structure (2) is dimensioned in such a way that it is not closed by the growing first epitaxial layer (8) and instead forms an access opening (9) to the cavity (7); an oxide layer (10) is created on the cavity wall; A rear face access (13) to the cavity (7) is created, the oxide layer (10) acting as an etch stop layer; and the oxide layer (10) is removed in the region of the cavity (7) producing a rear face access (13) to the membrane structure (14) lying above the cavity (7).

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Membransensor
    10.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Membransensor 审中-公开
    一种用于制造半导体器件和半导体器件，尤其是膜片传感器处理

    公开(公告)号：EP1544163A3

    公开(公告)日：2006-07-05

    申请号：EP04105448.7

    申请日：2004-11-02

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  SCHAEFER, Frank ,  ARMBRUSTER, Simon ,  Lammel, Gerhard ,  SCHELLING, Christoph ,  BRASAS, Joerg

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0136

    Abstract: Die Anmeldung beschreibt ein Herstellungsverfahren eines insbesondere mikromechanischen Halbleiterbauelements sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Zur Herstellung des Halbleiterbauelements ist vorgesehen, dass auf einem Halbleiterträger ein strukturiertes Stabilisierungselement mit wenigstens einer Öffnung erzeugt wird. Die Öffnung ist dabei so angebracht, dass sie den Zugang zu einem mit einer ersten Dotierung aufweisenden ersten Bereich im Halbleiterträger erlaubt. Weiterhin ist ein selektives Herauslösen wenigstens eines Teils des mit der ersten Dotierung versehenen Halbleitermaterials aus dem ersten Bereich des Halbleiterträger vorgesehen. Darüber hinaus wird mittels einer ersten Epitaxieschicht, die auf das Stabilisierungselement aufgebracht wird, eine Membran oberhalb des ersten Bereichs erzeugt. Wenigstens ein Teil des ersten Bereichs dient in einem weiteren Verfahrensschritt dazu, eine Kaverne unterhalb des Stabilisierungselement zu erzeugen. Der Kern der Anmeldung besteht nun darin, das strukturierte Stabilisierungselement mittels einer zweiten Epitaxieschicht, die auf dem Halbleiterträger aufgebracht wird, zu erzeugen.

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