公开(公告)号：EP4150621A1

公开(公告)日：2023-03-22

申请号：EP20824005.1

申请日：2020-11-16

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  HONG, Stanley ,  TRINH, Stephen ,  TRAN, Han ,  TIWARI, Vipin ,  PHAM, Hien

IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/04 ,  G11C16/30

公开(公告)号：EP4407874A2

公开(公告)日：2024-07-31

申请号：EP24181465.6

申请日：2020-09-03

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  HONG, Stanley ,  LY, Anh ,  TIWARI, Vipin

IPC分类号： H03M1/56

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/14 ,  G11C11/54 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  H03F3/45475 ,  H03F2203/4552620130101 ,  H03F2203/4553620130101 ,  H03M1/468 ,  H03M1/164 ,  H03M1/145 ,  G06N3/063 ,  H03M1/56 ,  G06N3/065 ,  G06N3/048 ,  G06N3/045

摘要： Numerous embodiments of analog neural memory arrays are disclosed. In certain embodiments, each memory cell in the array has an approximately constant source impedance when that cell is being operated. In certain embodiments, power consumption is substantially constant from bit line to bit line within the array when cells are being read. In certain embodiments, weight mapping is performed adaptively for optimal performance in power and noise.

公开(公告)号：EP4162491A1

公开(公告)日：2023-04-12

申请号：EP20828619.5

申请日：2020-11-27

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  HONG, Stanley ,  LY, Anh

IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/04 ,  G11C16/08

公开(公告)号：EP4128239A1

公开(公告)日：2023-02-08

申请号：EP20786400.0

申请日：2020-09-22

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  HONG, Stanley ,  LY, Anh ,  LEMKE, Steven ,  TIWARI, Vipin ,  DO, Nhan

IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16

公开(公告)号：EP4115423A1

公开(公告)日：2023-01-11

申请号：EP20781134.0

申请日：2020-09-03

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  HONG, Stanley ,  LY, Anh ,  TIWARI, Vipin

IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C7/12 ,  G11C16/34 ,  G11C7/14 ,  G11C16/04 ,  G06N3/063 ,  G11C16/26

公开(公告)号：EP3963513A1

公开(公告)日：2022-03-09

申请号：EP19817533.3

申请日：2019-11-18

申请人： Silicon Storage Technology, Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  TRINH, Stephen ,  VU, Thuan ,  HONG, Stanley ,  TIWARI, Vipin ,  REITEN, Mark ,  DO, Nhan

IPC分类号： G06N3/063

公开(公告)号：EP4401080A3

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：EP24177589.9

申请日：2019-09-05

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  LY, Anh ,  HONG, CA Stanley

IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/16 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  G11C16/34 ,  G11C27/00 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G06N3/048 ,  G06N3/065 ,  G06F12/02 ,  G06N3/044 ,  G06N3/045 ,  G06N3/08 ,  G11C7/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/3459 ,  G11C27/005 ,  G06N3/08 ,  G11C16/24 ,  G11C7/1006 ,  G11C16/10 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/720120130101 ,  G06F2212/720220130101 ,  G06N3/065 ,  G06N3/048 ,  G06N3/044 ,  G06N3/045 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

摘要： Various embodiments of high voltage generation circuits, high voltage operational amplifiers, adaptive high voltage supplies, adjustable high voltage incrementor, adjustable reference supplies, and reference circuits are disclosed. These circuits optionally can be used for programming a non-volatile memory cell in an analog neural memory to store one of many possible values.

公开(公告)号：EP4280113A3

公开(公告)日：2024-05-08

申请号：EP23201693.1

申请日：2019-09-07

申请人： Silicon Storage Technology, Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  HONG, Stanley ,  LY, Anh

IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G06F12/02 ,  G11C16/16 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  G11C16/34 ,  G11C27/00 ,  G06N3/048 ,  G06N3/045 ,  G06N3/044 ,  G06N3/08 ,  G06N3/065 ,  G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C11/54 ,  G11C16/3459 ,  G11C27/005 ,  G06N3/08 ,  G11C16/24 ,  G11C7/1006 ,  G11C16/10 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/720120130101 ,  G06F2212/720220130101 ,  G06N3/065 ,  G06N3/048 ,  G06N3/044 ,  G06N3/045

摘要： Various algorithms are disclosed for verifying the stored weight in a non-volatile memory cell in a neural network following a multilevel programming operation of the non-volatile memory cell by converting the stored weight into a plurality of digital output bits. Circuity, such as an adjustable reference current source, for implementing the algorithms are disclosed.

公开(公告)号：EP4280113A2

公开(公告)日：2023-11-22

申请号：EP23201693.1

申请日：2019-09-07

申请人： Silicon Storage Technology, Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  VU, Thuan ,  TRINH, Stephen ,  HONG, Stanley ,  LY, Anh

IPC分类号： G06N3/065

摘要： Various algorithms are disclosed for verifying the stored weight in a non-volatile memory cell in a neural network following a multilevel programming operation of the non-volatile memory cell by converting the stored weight into a plurality of digital output bits. Circuity, such as an adjustable reference current source, for implementing the algorithms are disclosed.

公开(公告)号：EP4150620A1

公开(公告)日：2023-03-22

申请号：EP20811911.5

申请日：2020-10-30

申请人： Silicon Storage Technology Inc.

发明人： TRAN, Hieu Van ,  TRINH, Stephen ,  VU, Thuan ,  LEMKE, Steven ,  TIWARI, Vipin ,  DO, Nhan ,  HONG, Stanley

IPC分类号： G11C11/54 ,  G06N3/063 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10