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    METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明公开
    METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造碳化硅半导体器件的方法

    公开(公告)号：EP2897174A1

    公开(公告)日：2015-07-22

    申请号：EP13836438.5

    申请日：2013-07-04

    申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

    发明人： HAYASHI, Hideki ,  MASUDA, Takeyoshi

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

    摘要： A silicon carbide substrate (100) including a first layer (121) having first conductivity type, a second layer (122) having second conductivity type, and a third layer (123) having the first conductivity type is formed. A trench (TR) provided with an inner surface having a side wall surface (SW) and a bottom surface (BT) is formed, the side wall surface extending through the third layer (123) and the second layer (122) and reaching the first layer (121), the bottom surface being formed of the first layer (121). A silicon film is formed to cover the bottom surface (BT). A gate oxide film (201) is formed on the inner surface by oxidation in the trench (TR). The gate oxide film (201) includes a first portion (201A) formed by oxidation of the silicon carbide substrate, and a second portion (201 B) formed by oxidation of the silicon film on the bottom surface (BT). Accordingly, a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device (500) having a high breakdown voltage is provided.

    摘要翻译： 形成包括具有第一导电类型的第一层（121），具有第二导电类型的第二层（122）以及具有第一导电类型的第三层（123）的碳化硅衬底（100）。 设置有具有侧壁表面（SW）和底表面（BT）的内表面的沟槽（TR），侧壁表面延伸穿过第三层（123）和第二层（122）并到达 第一层（121），所述底面由所述第一层（121）形成。 硅膜形成为覆盖底部表面（BT）。 通过沟槽（TR）中的氧化在内表面上形成栅极氧化物膜（201）。 栅极氧化物膜（201）包括通过碳化硅衬底的氧化形成的第一部分（201A）和通过底部表面（BT）上的硅膜的氧化形成的第二部分（201B）。 因此，提供了一种用于制造具有高击穿电压的碳化硅半导体器件（500）的方法。

    SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明公开
    SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    碳化硅半导体器件

    公开(公告)号：EP2897175A1

    公开(公告)日：2015-07-22

    申请号：EP13836475.7

    申请日：2013-07-04

    申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

    发明人： MASUDA, Takeyoshi ,  SAITOH, Yu ,  HAYASHI, Hideki ,  HIYOSHI, Toru ,  WADA, Keiji

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

    摘要： A gate insulating film (201) is provided on a trench (TR). The gate insulating film (201) has a trench insulating film (201A) and a bottom insulating film (201B). The trench insulating film (201 A) covers each of a side wall (SW) and a bottom portion (BT). The bottom insulating film (201B) is provided on the bottom portion (BT) with a trench insulating film (201A) being interposed therebetween. The bottom insulating film (201B) has a carbon atom concentration lower than that of the trench insulating film (201A). The gate electrode (202) is in contact with a portion of the trench insulating film (201A) on the side wall (SW). Accordingly, a low threshold voltage and a large breakdown voltage can be attained.

    摘要翻译： 栅极绝缘膜（201）设置在沟槽（TR）上。 栅极绝缘膜（201）具有沟槽绝缘膜（201A）和底部绝缘膜（201B）。 沟槽绝缘膜（201A）覆盖侧壁（SW）和底部（BT）中的每一个。 底部绝缘膜（201B）在其底部（BT）上设置有沟槽绝缘膜（201A）。 底部绝缘膜（201B）的碳原子浓度低于沟槽绝缘膜（201A）的碳原子浓度。 栅电极（202）与侧壁（SW）上的沟槽绝缘膜（201A）的一部分接触。 因此，可以获得低阈值电压和大的击穿电压。

    METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明公开
    METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造碳化硅半导体器件的方法

    公开(公告)号：EP2897176A1

    公开(公告)日：2015-07-22

    申请号：EP13836826.1

    申请日：2013-07-30

    申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

    发明人： SAITOH, Yu ,  MASUDA, Takeyoshi ,  HAYASHI, Hideki

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  Y10S438/931

    摘要： A trench (TR) having a side wall (SW) and a bottom portion (BT) is formed in a silicon carbide substrate (100). A trench insulating film (201A) is formed to cover the bottom portion (BT) and the side wall (SW). A silicon film (201 S) is formed to fill the trench with the trench insulating film (201 A) being interposed therebetween. The silicon film (201 S) is etched so as to leave a portion of the silicon film (201 S) that is disposed on the bottom portion (BT) with the trench insulating film (201A) being interposed therebetween. The trench insulating film (201A) is removed from the side wall (SW). By oxidizing the silicon film (201S), a bottom insulating film is formed. A side wall insulating film is formed on the side wall (SW).

    摘要翻译： 在碳化硅衬底（100）中形成具有侧壁（SW）和底部（BT）的沟槽（TR）。 形成沟槽绝缘膜（201A）以覆盖底部（BT）和侧壁（SW）。 硅膜（201S）形成为填充沟槽，沟槽绝缘膜（201A）插入其间。 硅膜（201S）被蚀刻以留下设置在底部（BT）上的硅膜（201S）的一部分，其间插入有沟槽绝缘膜（201A）。 沟槽绝缘膜（201A）从侧壁（SW）去除。 通过氧化硅膜（201S），形成底部绝缘膜。 在侧壁（SW）上形成侧壁绝缘膜。