公开(公告)号：EP2671966A2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：EP13171134.3

申请日：2013-06-07

申请人： Wintek Corporation

发明人： Huang, Hieng-Hsiung ,  Wang, Wen-Chun ,  Chang, Heng-Yi ,  Liu, Chin-Chang

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  C23C16/02 ,  H01L29/786 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02107 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer (120, 220, 320, 420, 520, 620) includes following steps. Firstly, a substrate (110, 310, 510) is provided. The substrate (110, 310, 510) has a first surface (110A, 310A, 510A). A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer (120, 220, 320, 420, 520, 620) is then directly formed on the first surface (110A, 310A, 510A) of the substrate (110, 310, 510) by a silicon thin film deposition process.

摘要翻译： 形成薄膜多晶硅层（120,220,320,420,520,620）的方法包括以下步骤。 首先，提供衬底（110,310,510）。 衬底（110,310,510）具有第一表面（110A，310A，510A）。 然后进行加热处理。 然后通过硅薄膜沉积物直接在衬底（110,310,510）的第一表面（110A，310A，510A）上形成薄膜多晶硅层（120,220,320,420,520,620） 处理。

公开(公告)号：EP2671965A2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：EP13171120.2

申请日：2013-06-07

申请人： Wintek Corporation

发明人： Huang, Hieng-Hsiung ,  Wang, Wen-Chun ,  Chang, Heng-Yi ,  Liu, Chin-Chang

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  C23C16/02 ,  H01L29/786 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78672 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer (20, 22, 120, 220, 320, 420, 520, 620) includes the following steps. A substrate (110, 310, 510) is provided. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer (20, 22, 120, 220, 320, 420, 520, 620) is then directly formed on a first surface (110A, 310A, 510A) of the substrate (110, 310, 510) by a silicon thin film deposition process. A method of forming a thin film transistor (T1, T2, T3, T4, T5) includes the following steps. A first patterning process is performed on the thin film poly silicon layer (20, 22, 120, 220, 320, 420, 520, 620) to form a semiconductor pattern (20P, 22P). Subsequently, a gate insulation layer (30, 32, 33, 34), a gate electrode (40G, 44G, 53G), a source electrode (40S, 43S, 60S, 64S) and a drain electrode (40D, 43D, 60D, 64D) are formed.

摘要翻译： 形成薄膜多晶硅层（20，22，120，220，320，420，520，620）的方法，包括以下步骤。 的衬底（110，310，510）被提供。 然后进行加热处理。 一种薄膜多晶硅层（20，22，120，220，320，420，520，620），然后直接通过形成在第一表面（110A，310A，510A）的基板的（110，310，510） 硅薄膜沉积工艺。 形成薄膜晶体管（T1，T2，T3，T4，T5）的方法，包括以下步骤。 第一图案化工艺进行薄膜多晶硅层上（20，22，120，220，320，420，520，620），以形成半导体图案（20P，22P）。 随后，栅绝缘层（30，32，33，34），栅电极（40G，44G，53G），源电极（40S，43S，60S，64S）和漏极电极（40D，43D，60D， 64D）形成。

公开(公告)号：EP2671966A3

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：EP13171134.3

申请日：2013-06-07

申请人： Wintek Corporation

发明人： Huang, Hieng-Hsiung ,  Wang, Wen-Chun ,  Chang, Heng-Yi ,  Liu, Chin-Chang

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  C23C16/02 ,  H01L29/786 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02107 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer (120, 220, 320, 420, 520, 620) includes following steps. Firstly, a substrate (110, 310, 510) is provided. The substrate (110, 310, 510) has a first surface (110A, 310A, 510A). A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer (120, 220, 320, 420, 520, 620) is then directly formed on the first surface (110A, 310A, 510A) of the substrate (110, 310, 510) by a silicon thin film deposition process.

公开(公告)号：EP2671965A3

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：EP13171120.2

申请日：2013-06-07

申请人： Wintek Corporation

发明人： Huang, Hieng-Hsiung ,  Wang, Wen-Chun ,  Chang, Heng-Yi ,  Liu, Chin-Chang

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  C23C16/02 ,  H01L29/786 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/78672 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer (20, 22, 120, 220, 320, 420, 520, 620) includes the following steps. A substrate (110, 310, 510) is provided. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer (20, 22, 120, 220, 320, 420, 520, 620) is then directly formed on a first surface (110A, 310A, 510A) of the substrate (110, 310, 510) by a silicon thin film deposition process. A method of forming a thin film transistor (T1, T2, T3, T4, T5) includes the following steps. A first patterning process is performed on the thin film poly silicon layer (20, 22, 120, 220, 320, 420, 520, 620) to form a semiconductor pattern (20P, 22P). Subsequently, a gate insulation layer (30, 32, 33, 34), a gate electrode (40G, 44G, 53G), a source electrode (40S, 43S, 60S, 64S) and a drain electrode (40D, 43D, 60D, 64D) are formed.

公开(公告)号：EP2698691A2

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：EP13180385.0

申请日：2013-08-14

申请人： Wintek Corporation

发明人： Huang, Hieng-Hsiung ,  Wang, Wen-Chun ,  Liu, Chin-Chang

IPC分类号： G06F3/044

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F2203/04103

摘要： A touch panel (1) includes a first substrate (11), a second substrate (12), an adhesive layer (13), a first patterned sensing electrode layer (21) and a second patterned sensing electrode layer (22). The first substrate (11) has a first surface (11A) and a second surface (11B), the second substrate (12) has a third surface (12C) and a fourth surface (12D), and the second surface (11B) of the first substrate (11) faces the third surface (12C) of the second substrate (12). The adhesive layer (13) is disposed between the second surface (11B) of the first substrate (11) and the third surface (12C) of the second substrate (12) for assembling the first substrate (11) and the second substrate (12). The first patterned sensing electrode layer (21) is disposed on the first substrate (11), and the second patterned sensing electrode layer (22) is disposed on the second substrate (12).

摘要翻译： 触摸面板（1）包括第一基板（11），第二基板（12），粘合层（13），第一图案化感测电极层（21）和第二图案化感测电极层（22）。 第一基板（11）具有第一表面（11A）和第二表面（11B），第二基板（12）具有第三表面（12C）和第四表面（12D），第二表面（11B） 第一基板（11）面向第二基板（12）的第三表面（12C）。 粘合剂层（13）设置在第一基板（11）的第二表面（11B）和用于组装第一基板（11）和第二基板（12）的第二基板（12）的第三表面（12C）之间 ）。 第一图案化感测电极层（21）设置在第一基板（11）上，第二图案化感测电极层（22）设置在第二基板（12）上。