专利检索 cpc:"G11C2013/007820130101" 第 1 页

1.

发明授权
MEMORY DEVICE INCLUDING PHASE CHANGE MEMORY CELL AND OPERATION METHOD THEREOF 有权

公开(公告)号：EP3985671B1

公开(公告)日：2024-10-09

申请号：EP21202523.3

申请日：2021-10-13

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009220130101 , G11C13/003 , G11C2213/7620130101 , G11C2013/007820130101 , G11C2213/1520130101 , G11C13/0061

2.

发明授权
MODIFIED WRITE VOLTAGE FOR MEMORY DEVICES 有权

公开(公告)号：EP4115420B1

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：EP21764631.4

申请日：2021-02-09

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0064 , G11C2013/008820130101 , G11C2013/009220130101 , G11C2013/007320130101 , G11C2013/007820130101 , G11C13/004 , G11C2013/007620130101 , G11C13/0033 , G11C13/0061 , G11C13/0004

3.

发明授权
DRIVER CIRCUIT FOR PHASE-CHANGE MEMORY CELLS AND METHOD OF DRIVING PHASE-CHANGE MEMORY CELLS 有权

公开(公告)号：EP4123651B1

公开(公告)日：2024-07-24

申请号：EP22181479.1

申请日：2022-06-28

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 , G11C2013/007820130101 , G11C2213/7920130101 , G11C13/0004 , G11C2013/007120130101