公开(公告)号：EP3050128A4

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：EP14849578

申请日：2014-09-25

申请人： PRINCETON INFRARED TECH INC

发明人： ETTENBERG MARTIN H

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14679 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14694 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

摘要： A photodiode pixel structure for imaging short wave infrared (SWIR) and visible light built in a planar structure and may be used for one dimensional and two dimensional photodiode arrays. The photodiode arrays may be hybridized to a read out integrated circuit (ROIC), for example, a silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit. The photodiode in each pixel is buried under the surface and does not directly contact the ROIC amplification circuit. Charge is transferred form the detector using a junction field effect transistor (JFET) in each pixel. Disconnecting the photodiode from the ROIC amplification circuit enables low dark current as well as double correlated sampling in the pixel.

公开(公告)号：EP2948984A2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：EP14791448.5

申请日：2014-01-23

申请人： University of Florida Research Foundation, Inc.

发明人： KIM, Do, Young ,  SO, Franky ,  LEE, Jae, Woong

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14649 ,  H01L27/14694 ,  H01L27/283 ,  H01L27/307

摘要： An image sensor is constructed on a substrate that is a read-out transistor array with a multilayer array of infrared photodetectors formed thereon. The infrared photodetectors include a multiplicity of layers including an infrared transparent electrode distal to the substrate, a counter electrode directly contacting the substrate, and an infrared sensitizing layer that comprises a multiplicity of nanoparticles. The layers can be inorganic or organic materials. In addition to the electrodes and sensitizing layers, the multilayer stack can include a hole-blocking layer, an electron-blocking layer, and an anti-reflective layer. The infrared sensitizing layer can be PbS or PbSe quantum dots.

摘要翻译： 图像传感器构成在其上形成有多个红外光电检测器阵列的读出晶体管阵列的基板上。 红外光电探测器包括多个层，包括远离衬底的红外透明电极，与衬底直接接触的对电极和包含多个纳米颗粒的红外线敏化层。 这些层可以是无机或有机材料。 除了电极和敏化层之外，多层叠层可以包括空穴阻挡层，电子阻挡层和抗反射层。 红外线增感层可以是PbS或PbSe量子点。

公开(公告)号：EP2587539B1

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：EP12190041.9

申请日：2012-10-25

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Grenouillet, Laurent ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/18

公开(公告)号：EP2087517A4

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：EP07864387

申请日：2007-11-14

申请人： LOCKHEED CORP

发明人： CAINE ERNIE J ,  SCOTT JEFFREY W ,  JONES COLIN E ,  COCKRUM CHARLES A

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：EP2087517A1

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：EP07864387.1

申请日：2007-11-14

申请人： Lockheed Martin Corporation

发明人： CAINE, Ernie J. ,  SCOTT, Jeffrey W. ,  JONES, Colin E. ,  COCKRUM, Charles A.

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  Y02E10/50

摘要： A method of making a two-dimensional detector array (and of such an array) comprising, for each of a plurality of rows and a plurality of columns of individual detectors, forming an n-doped semiconductor photo absorbing layer, forming a barrier layer comprising one or more of AlSb, AlAsSb, AlGaAsSb, AlPSb, AlGaPSb, and HgZnTe, and forming an n-doped semiconductor contact area.

摘要翻译： 一种制造二维检测器阵列（以及这种阵列）的方法，对于多个行和多列独立检测器中的每一个，形成n掺杂半导体光吸收层，形成阻挡层，该阻挡层包括 一种或多种AlSb，AlAsSb，AlGaAsSb，AlPSb，AlGaPSb和HgZnTe，并形成n掺杂的半导体接触区。

公开(公告)号：EP4362101A1

公开(公告)日：2024-05-01

申请号：EP23205735.6

申请日：2023-10-25

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： DUPRE, Ludovic ,  DUSSAIGNE, Amélie ,  PERNEL, Carole ,  ROL, Fabian

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/16 ,  H01L33/00 ,  H01L27/146 ,  H01S5/42

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L33/16 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/423 ,  H01L31/00 ,  H01L27/14694

摘要： L'invention porte sur un substrat de croissance adapté à la réalisation par épitaxie d'une matrice de diodes à base d'InGaN, comportant des mésas M(i), réalisées en des matériaux cristallins à base de GaN, comportant chacune N couches dopées (13, 15), avec N≥2, séparées deux à deux par une couche intermédiaire d'isolation (14) réalisée en un matériau non poreux, et présentant chacune une face supérieure libre adaptée à la réalisation par épitaxie d'une diode de la matrice ; les mésas étant configurées selon au moins trois catégories différentes parmi lesquels : une catégorie de mésas dite M(N) où les N couches dopées (13, 15) sont poreuses; une catégorie de mésas dite M(0) où aucune des couches dopées (13, 15) n'est poreuse; et une catégorie de mésas dite M(n) où n couches dopées (13, 15) sont poreuses, avec 1≤n

公开(公告)号：EP3404715A1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：EP16885137.6

申请日：2016-12-27

申请人： Sony Corporation

发明人： YOSHIDA, Shinichi

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H04N5/33 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14694 ,  H04N5/33 ,  H04N5/369

摘要： This light-receiving element includes a plurality of photoelectric conversion layers, each of which includes a compound semiconductor, and absorbs a wavelength in an infrared region to generate an electric charge, and an insulating film that is provided to surround each of the plurality of photoelectric conversion layers.

公开(公告)号：EP3364340A1

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：EP18157452.6

申请日：2018-02-19

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： MAINGUET, Jean-François ,  TEMPLIER, François

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： H01L27/14678 ,  G06K9/0004 ,  H01L27/14694 ,  H01L27/16 ,  H01L31/024 ,  H01L31/173 ,  H01L33/32 ,  H01L37/02

摘要： L'invention concerne un capteur d'empreinte papillaire (100), comprenant un dispositif d'émission lumineuse et un photo-détecteur matriciel, répartis ensemble dans et/ou au-dessus d'un même substrat semiconducteur (110).
Selon l'invention, le dispositif d'émission lumineuse est constitué d'au moins une LED au nitrure de gallium (140).
On réalise ainsi un capteur d'empreinte dont le dispositif d'émission lumineuse peut n'occuper qu'une surface réduite sur le substrat, tout en offrant une grande puissance d'éclairage.
Selon une variante avantageuse, un matériau pyroélectrique est inséré entre les LED au nitrure de gallium, pour former les pixels d'un capteur d'empreinte de type thermique.

公开(公告)号：EP1796169B1

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：EP06125646.7

申请日：2006-12-07

申请人： Electronics and Telecommunications Research Institute

发明人： Nam, Eun Soo ,  Hong, Seon Eui ,  Oh, Myoung Sook ,  Kim, Yong Won ,  Kim, Ho Young ,  Kim, Bo Woo

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14694 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14687

公开(公告)号：EP2328187A1

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：EP09812961.2

申请日：2009-07-24

申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

发明人： NAGAI, Youichi ,  IGUCHI, Yasuhiro

IPC分类号： H01L31/10 ,  B60R1/00 ,  G08B25/00 ,  G08G1/16 ,  G08G3/02

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/035236

摘要： An image pickup device, a visibility support apparatus, a night vision device, a navigation support apparatus, and a monitoring device are provided in which noise and dark current are suppressed to thereby provide clear images regardless of whether it is day or night. The device includes a light-receiving layer 3 having a multi-quantum well structure and a diffusion concentration distribution control layer 4 disposed on the light-receiving layer so as to be opposite an InP substrate 1, wherein the light-receiving layer has a band gap wavelength of 1.65 to 3 µm, the diffusion concentration distribution control layer has a lower band gap energy than InP, a pn junction is formed for each light-receiving element by selective diffusion of an impurity element, and the impurity selectively diffused in the light-receiving layer has a concentration of 5 × 10 16 /cm 3 or less.

摘要翻译： 提供了一种图像拾取装置，可视性支持装置，夜视装置，导航支持装置和监视装置，其中噪声和暗电流被抑制，从而提供清晰的图像，而不管它是白天还是夜晚。 该装置包括具有多量子阱结构的光接收层3和设置在光接收层上以与InP衬底1相对的扩散浓度分布控制层4，其中光接收层具有带 间隙波长为1.65〜3μm，扩散浓度分布控制层具有比InP低的带隙能量，通过杂质元素的选择性扩散，对每个受光元件形成pn结，杂质选择性地扩散在光 接收层的浓度为5×10 16 / cm 3以下。