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    PHOTODETECTOR
    2.
    发明公开
    PHOTODETECTOR 审中-公开

    公开(公告)号：EP3343641A1

    公开(公告)日：2018-07-04

    申请号：EP16841106.4

    申请日：2016-08-26

    Applicant: Nippon Telegraph and Telephone Corporation

    Inventor： FUKUDA, Hiroshi ,  KAMEI, Shin ,  TSUZUKI, Ken ,  JIZODO, Makoto ,  KIKUCHI, Kiyofumi

    IPC: H01L31/10

    CPC classification number: H01L31/102 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/10

    Abstract: The present invention provides a germanium photodetector which reduces a dark current without degradation of a photocurrent. The germanium photodetector includes: a silicon substrate; a lower clad layer formed on the silicon substrate; a core layer (210) formed on the lower clad layer; a p-type silicon slab (211) formed in a part of the core layer (210) and doped with a p-type impurity ion; p++ silicon electrode sections (212, 213) that are highly-doped with a p-type impurity and act as an electrode; and germanium layers (241, 242) which absorb light. The germanium photodetector further includes an upper clad layer, an n-type germanium region doped with an n-type impurity above the germanium layer, and an electrode. According to the present invention, two germanium layers (241, 242) are provided on the p-type silicon slab (211) so as to miniaturize the area of the surface of the individual germanium layer in contact with the p-type silicon slab (211), so that the dark current due to threading dislocation can be reduced.

    Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz
    6.
    发明公开
    Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz 审中-公开

    公开(公告)号：EP2323177A1

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：EP11075031.2

    申请日：2006-10-18

    Applicant: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Wissenschaft E.V.

    Inventor： Bach, Heinz-Günter ,  Beling, Andreas

    IPC: H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L23/66

    CPC classification number: H01L31/102 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1085 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz mit einem Leitungsübergang vom aktiven Photodiodenbereich eines Photodioden-Mesas zum Ausgangs-Pad des Hochfrequenzausgangs des Photodioden-Chips.
    Es bestand Bedarf, beim Bandbreitefaktor von Photodioden-Chips nach weiteren Steigerungen zu suchen.
    Vorgeschlagen wird hierzu, dass die Verbindung vom Photodioden-Mesa zum Ausgangs-Pad mit einer hochohmigen Leitung mit über deren Länge verteilter Impedanz (Z leitung ) realisiert ist, die mindestens so hoch ist wie die am Ausgangs-Pad wirksame Lastimpedanz (Z last ). Die hochohmige Leitung besitzt eine Länge, die über das technologische Mindestmaß von etwa 30μm hinausgeht.

    Abstract translation: 具有高阈值频率的光电二极管芯片具有从光电二极管台面的有源光电二极管区域到光电二极管芯片的HF输出的输出焊盘的传导传输区域。 光电二极管 - 台面与输出焊盘之间的连接是通过一个高阻抗导线/线路实现的，其阻抗（Z线）分布在其长度上，至少与有效负载阻抗（Z负载）一样高 ）在输出板。

    Optoelektronischer Sensor insbesondere zur Detektion von makromolekularen Biopolymeren
    7.
    发明公开
    Optoelektronischer Sensor insbesondere zur Detektion von makromolekularen Biopolymeren 审中-公开
    传感器感光元件

    公开(公告)号：EP1406090A1

    公开(公告)日：2004-04-07

    申请号：EP03022285.5

    申请日：2003-10-01

    Applicant: Infineon Technologies AG

    Inventor： Dertinger, Stephan ,  Fritz, Michaela ,  Haneder, Thomas ,  Hanke, Hans-Christian ,  Hofmann, Franz ,  Lehmann, Volker ,  Luyken, Richard Johannes ,  Martin, Alfred

    IPC: G01N33/543 ,  G01N21/77

    CPC classification number: H01L31/102 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/107

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem flächig ausgebildetem Trägermaterial (10), welches über zumindest einen Oberflächenbereich verteilt eine Vielzahl von Poren (11) aufweist, welche sich von einer Oberfläche (12) des Trägermaterials zu der gegenüberliegenden Oberfläche (13) durchgängig erstrecken, wobei

    die Poren jeweils durch eine Porenbegrenzungsfläche (14) der in dem Trägermaterial ausgebildeten Porenwände (15) begrenzt sind,
    zumindest ein Teil der Porenwände mindestens bereichsweise einen Schichtaufbau mit einem ersten dotierten Halbleiterbereich (20) und einem von der Porenbegrenzungsfläche beabstandeten zweiten, komplementär dotierten Halbleiterbereich (30) unter Bildung eines p-noder eines p-i-n-Übergangs aufweist, und
    der erste (20) und der zweite (30) Halbleiterbereich jeweils getrennt voneinander mit einem Anschlußkontakt zur Verschaltung des p-n- bzw. des p-i-n-Übergangs als Photodiode versehen sind.
    Die erfindungsgemäße Vorrichtung eignet sich als optoelektronischer Biosensor in Verfahren zum Nachweis biochemischer Reaktionen und/oder Bindungen sowie hierfür insbesondere zur Untersuchung von enzymatischen Reaktionen, Nukleinsäure-Hybridisierungen, Protein-Protein-Wechselwirkungen und Protein-Liganden-Wechselwirkungen.

    Abstract translation: 光电传感器系统包括具有从载体材料引导到面对表面的多个孔的平坦载体硅材料。 孔被至少部分地具有层结构的壁限定。 孔壁具有一部分用硼施加的多晶硅的半导体，以及与磷光体配合的硅的半导体的第二互补部分，以形成p-n或p-i-n结。 光电传感器系统包括具有多个孔的平坦载体硅材料，其至少部分表面从载体材料导向到相对表面。 通过至少部分地具有层结构的壁限定（14）孔。 孔壁（15）具有用硼施加的多晶硅半导体的部分（20）和与磷光体配合的硅的半导体的第二互补部分（30），以形成p-n或p-i-n结。 两个部分彼此分离，具有连接触点，以将该结切换为光电二极管。 该结构包括电介质层（40），绝缘层和优选氧化物层（50）以及用于连接的接触开口（60）。

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