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    Apparatus for sequential readout
    1.
    发明公开
    Apparatus for sequential readout 失效
    用于顺序读取的设备

    公开(公告)号：EP0045608A3

    公开(公告)日：1982-08-04

    申请号：EP81303427

    申请日：1981-07-27

    申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

    发明人： Swab, John Mathew

    IPC分类号： H04N03/15 ,  H01L27/14

    CPC分类号： H01L27/14862 ,  H04N5/374

    摘要： Apparatus is provided for periodically reading image intensity information from M rows x N columns of charge storage sites (3,4) in a CID array imager. The magnitudes of signal charges collected at the sites (3,4) in response to incident radiation are sensed by a measuring circuit (7) which measures changes in potential on column lines (6) connected to (V RC ,V I ) the respective columns of sites. These changes in potential are caused by sequentially applying specific potentials (V RC ,V I ) to row lines (5) connected to the respective rows of sites to effect injection of the signal charges into the substrate of the array. The apparatus operates to minimize charge transfers within the array during readout and is thus capable of accurately determining the magnitude of signal charges in arrays fabricated from semiconductor materials having low charge transfer efficiencies. The apparatus includes means (SPS;Sv;7) for eliminating the effects of thermal (KT/C) noise from output voltages (e o ,E o ) representative of the signal charge magnitudes.

    APPARATUS FOR STORING AND PROCESSING CHARGE-PACKETS
    3.
    发明公开
    APPARATUS FOR STORING AND PROCESSING CHARGE-PACKETS 失效
    设备存储和处理费用包裹。

    公开(公告)号：EP0032504A1

    公开(公告)日：1981-07-29

    申请号：EP80901577.0

    申请日：1980-07-23

    申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

    发明人： BURKE, Hubert Kemper ,  MICHON, Gerald John

    IPC分类号： G11C11 ,  G11C8 ,  G11C27 ,  H01L27 ,  H04N3 ,  H01R4

    CPC分类号： H01L27/14862 ,  G11C8/04 ,  G11C11/35 ,  G11C27/005 ,  H01R4/18 ,  H04N5/374

    摘要： Une rangee (10) de dispositifs de stockage de charges (11) ayant chacun une paire de condensateurs conducteurs-isolateurs-semi-conducteurs a couplage serre (12, 14, 15), un condensateur (12) connecte a la rangee (X), l'autre etant un condensateur (14, 15) connecte a la colonne (Y), est formee sur un substrat a semi-conducteur commun (21). La lecture (81, 116) des charges stockees dans une rangee de dispositifs est effectuee par transfert de la charge dans chacun des dispositifs d'une rangee de dispositifs adressee (81) dans une direction entre la cellule ou condensateur (12) connectee a la ligne de rangees (X) et les cellules ou condensateurs (14, 15) connectees a la colonne (Y) d'un dispositif en sequence (116) et par detection (71-73) du debit de courant resultant dans la ligne de rangee (X) de la rangee adressee de dispositifs. La detection du courant contribue a simplifier les circuits de lecture et de fonctionnement.

    Dispositif photosensible à transfert de ligne
    4.
    发明公开
    Dispositif photosensible à transfert de ligne 失效
    Lichtempfindliche Anordnung mitZeilenübertragung。

    公开(公告)号：EP0345119A1

    公开(公告)日：1989-12-06

    申请号：EP89401402.6

    申请日：1989-05-23

    申请人： THOMSON-CSF

    发明人： Berger, Jean-Luc ,  Apard, Paul

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H04N3/15

    CPC分类号： H01L27/14862

    摘要： Dispositif photosensible à transfert de ligne, du genre comportant entre chaque colonne conductrice d'une matrice photosensible et une entrée correspondante d'une mémoire de ligne, un injecteur constitué par une diode d'entrée reliée à la colonne et une grille dite de contrôle couplée à la colonne par un amplificateur de contre réaction, caractérisé par l'interposition entre ladite grille de contrôle (Gp₁) et l'entrée (G1) de la mémoire de ligne, d'au moins une grille intermédiaire (Gp₂) maintenue à une tension fixe.
    Une telle grille intermédiaire permet de maîtriser le régime d'écoulement des charges en réduisant le niveau de bruit attribuable à l'action de l'amplificateur.

    摘要翻译： 线传输感光装置，其包括在感光矩阵的每个导电柱和行存储器的对应输入之间的类型，由连接到该列的输入二极管构成的注入器和与该列相连的所谓的控制栅极 所述负反馈放大器的特征在于在所述控制栅极（Gp1）和行存储器的输入端（G1）之间插入保持在固定电压的至少一个中间栅极（Gp2）。 这样的中间栅极允许调节电荷流动状态，同时降低归因于放大器的作用的噪声水平。

    Method for driving a charge injection device
    8.
    发明公开
    Method for driving a charge injection device 失效
    操作的电荷注入装置的方法。

    公开(公告)号：EP0054455A1

    公开(公告)日：1982-06-23

    申请号：EP81401836.2

    申请日：1981-11-20

    申请人： FUJITSU LIMITED

    发明人： Hiroyuki, Ishizaki ,  Yoshiki, Tsujino ,  Masaji, Dohi

    IPC分类号： H04N3/15 ,  H01L27/14

    CPC分类号： H01L27/14862 ,  H04N5/374

    摘要： A charge injection device sensing an optical radiation pattern is driven with the operation sequence where the charge holding mode is inserted between the charge storing/ readout mode and charge injection mode. The charge holding period is effective for the picture elements influenced by charges injected into the substrate after readout operation to be placed far spacially and on timing and also solves the problem of crosstalk on the occasion of realizing high speed operation.

    Apparatus for sequential readout
    9.
    发明公开
    Apparatus for sequential readout 失效
    连续读取装置。

    公开(公告)号：EP0045608A2

    公开(公告)日：1982-02-10

    申请号：EP81303427.9

    申请日：1981-07-27

    申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

    发明人： Swab, John Mathew

    IPC分类号： H04N3/15 ,  H01L27/14

    CPC分类号： H01L27/14862 ,  H04N5/374

    摘要： Apparatus is provided for periodically reading image intensity information from M rows x N columns of charge storage sites (3,4) in a CID array imager. The magnitudes of signal charges collected at the sites (3,4) in response to incident radiation are sensed by a measuring circuit (7) which measures changes in potential on column lines (6) connected to (V RC ,V I ) the respective columns of sites. These changes in potential are caused by sequentially applying specific potentials (V RC ,V I ) to row lines (5) connected to the respective rows of sites to effect injection of the signal charges into the substrate of the array. The apparatus operates to minimize charge transfers within the array during readout and is thus capable of accurately determining the magnitude of signal charges in arrays fabricated from semiconductor materials having low charge transfer efficiencies. The apparatus includes means (SPS;Sv;7) for eliminating the effects of thermal (KT/C) noise from output voltages (e o ,E o ) representative of the signal charge magnitudes.

    Optoelektronischer Sensor nach dem Prinzip der Ladungsinjektion und Verfahren zu seiner Herstellung
    10.
    发明公开
    Optoelektronischer Sensor nach dem Prinzip der Ladungsinjektion und Verfahren zu seiner Herstellung 失效
    一种光电传感器，根据电荷注入和过程及其制备的原则。

    公开(公告)号：EP0003213A2

    公开(公告)日：1979-08-08

    申请号：EP78101415.4

    申请日：1978-11-20

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Herbst, Heiner ,  Koch, Rudolf ,  Pfleiderer, Hans-Jörg ,  Tihanyi, Jenö

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H04N3/14

    CPC分类号： H01L27/14862 ,  H01L31/1133

    摘要： Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Sensor mit mindestens einem Sensorelement nach dem Prinzip der Ladungsinjektion (CID), wobei der Oberfläche eines dotierten Halbleiterkörpers 1 zwei eng benachbarte, gegeneinander und gegenüber der Halbleiteroberfläche durch eine dünne Isolierschicht 5 isolierte, über getrennte Steuerleitungen ansteuerbare Elektroden 4,10 gegenüberstehen. Erfindungsgemäß enthält der Halbleiterkörper 1 an seiner Oberfläche unter der einen Elektrode 10 ein stärker dotiertes Gebiet 6 vom Typ der Halbleiterdotierung, das sich geringfügig in die unter der anderen Elektrode 4 liegende Halbleiteroberfläche hinein erstreckt. Dadurch wird zwischen den beiden Elektroden, z. B. einer Zeilenelektrode und einer Spaltenelektrode, eine schmale Potentialbarriere erzeugt. Wird die unter einer Elektrode optisch erzeugte Ladung unter die andere Elektrode verschoben, so verhindert diese Potentialbarriere ein Zurückfließen der Ladung unter die entleerte Elektrode. Dies ermöglicht ein floatendes Auslesen, bei dem Einkopplungen der Zeilenleitungen auf die Spaltenleitungen eliminiert werden können. Vorzugsweise verjüngt sich das stärker dotierte Gebiet 6 keilförmig unter der anderen Elektrode 4 und wird durch Implantation erzeugt, wobei als Implantationsmaske das Feldoxid und die Elektrode 4 verwendet wird, deren Kanten abgeschrägt sind (Fig. 1).

    摘要翻译： 本发明涉及与至少一个传感器元件的光电传感器根据电荷注入（CID），掺杂的半导体本体的表面1的两个紧密相邻并从通过薄绝缘层5，通过单独的控制线电极4,10可控绝缘半导体表面的原理 脸。 根据本发明，在半导体本体1包括在其表面上的电极10，半导体掺杂的类型，其略成其它半导体表面的底层电极4延伸本身的更掺杂区6的下方。 在两个电极之间，例如，其特征在于产生一窄势垒。作为一个行电极和一个列电极。 由另一方的电极下移位的电极光学产生的电荷，此势垒阻止了电荷产生逆流放气电极下。 这允许浮动读数可在上行线的接头列线被消除。 优选地，更重掺杂区6渐缩的楔形，在另一个电极4，并且通过注入，其中，所述场氧化物和电极4用作注入掩模，其边缘是倾斜的产生。