APPARATUS FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD USING THE SAME
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:EP1168899B1

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:EP01900662.6

    申请日:2001-01-11

    发明人: HIGA, Kazutomo

    IPC分类号: H05K3/06 C23F1/08

    CPC分类号: C23F1/08 H05K3/068

    摘要: An apparatus for manufacturing a printed wiring board (112) comprises nozzle pipes and piping pipes. The nozzle pipes (102c, 102d) in the central part out of the piping pipes have diameters larger than those of the nozzle pipes on both sides of the nozzle pipes (102c, 102d), the piping pipes (104c, 104d) connected to the nozzle pipes (102c, 102c) out of the piping pipes have diameters larger than those of the piping pipes on both sides of the piping pipes (104c, 104d), or the interval between adjacent nozzle pipes is smaller than that between adjacent piping pipes farther away from the center. Alternatively the individual intervals between adjacent nozzle pipes can be varied and the nozzle pipes can be moved vertically. The spraying pressure, the swinging angle, and the swinging speed of each nozzle pipe can be determined separately, and can be automatically determined separately. A printed wiring board with high density and high precision can be manufactured at good yield without lowering the productivity, while uniforming the etching precisions of the upper and lower sides of the printed wiring board, by using the manufacturing apparatus, and by a manufacturing method using such a manufacturing apparatus.

    Device for applying fluid
    6.
    发明公开
    Device for applying fluid 失效
    Einrichtung zum AuftragenfliessfähigerSubstanzen。

    公开(公告)号:EP0467118A2

    公开(公告)日:1992-01-22

    申请号:EP91110558.3

    申请日:1991-06-26

    IPC分类号: B05C3/00 B05C3/15 C23F1/08

    摘要: A device (10) for applying fluid (e.g., etchant) to a substrate (19) (e.g., thin metallic tape) wherein the device (19) includes a head member (11) having means (13) therein for directing a first fluid (15) (e.g, etchant) at an established first pressure against the substrate (19) and means (23) for directing a second fluid (25) (e.g., air) at an established second pressure equal to or greater than the first pressure (at the location of fluid intersection) and against the substrate (19) in the area proximate the first fluid so as to substantially contain and limit the first fluid (15) to impingement substantially only at the location against which the first fluid (15) is designed to strike. Preferably, two opposing head members (11, 11') are utilized, and these may serve to maintain the substrate (19) therebetween in a suspended state. Both head members (11, 11') are movable relative to each other during fluid application. As stated, the device is particularly suited to function as an etcher, but may also serve other purposes (e.g., coating, cleaning, rinsing, etc.).

    摘要翻译: 一种用于将液体(例如,蚀刻剂)施加到基底(19)(例如薄金属带)上的装置(10),其中所述装置(19)包括头部构件(11),所述头部构件具有用于引导第一流体 (15)(例如,蚀刻剂)以相对于基底(19)的确定的第一压力和用于以等于或大于第一压力的建立的第二压力引导第二流体(例如空气)的装置(23) (在流体交叉点的位置处)并且靠近第一流体的区域中的基板(19),以便基本上容纳和限制第一流体(15)以基本上仅在第一流体(15)的位置处冲击, 旨在罢工。 优选地,使用两个相对的头部构件(11,11'),并且它们可用于将衬底(19)保持在悬挂状态。 两个头部构件(11,11')在流体施加期间可相对于彼此移动。 如所述,该装置特别适合用作蚀刻器,但也可用于其它目的(例如,涂覆,清洁,漂洗等)。

    Vorrichtung zum Behandeln von dreidimensionalen Werkstücken mit einer Flüssigkeit
    7.
    发明公开
    Vorrichtung zum Behandeln von dreidimensionalen Werkstücken mit einer Flüssigkeit 失效
    装置用于与液体处理三维工件。

    公开(公告)号:EP0461289A1

    公开(公告)日:1991-12-18

    申请号:EP90111222.7

    申请日:1990-06-13

    发明人: Hosten, Daniel

    IPC分类号: C23F1/08 H05K3/06

    CPC分类号: H05K3/068 C23F1/08

    摘要: Die Vorrichtung umfaßt:

    eine Behandlungskammer (B) mit Düsenstöcken zum Besprühen der Werkstücke (W),
    Werkstückträger (Wt) zur Aufnahme von Werkstücken (W) und
    eine Transporteinrichtung (T) zum taktweisen Transport der Werkstückträger (W), wobei
    die Werkstückträger (W) zum Ablauf der Flüssigkeit (F) drehbar und zum Abschleudern verbliebener Flüssigkeitsreste mit einer Schleuder- und/oder Schlagbewegung beaufschlagbar sind.
    Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist insbesondere für das Ätzen von dreidimensionalen Spritzgießteilen mit integrierten Leiterzügen geeignet, wobei durch den Ablauf und das Abschleudern eine Verschleppung der Ätzlösung weitgehend verhindert wird.

    摘要翻译: 该装置包括: - 一个处理室(B)与用于喷射所述工件(W),喷嘴连接 - 工件支撑件(WT),用于接收工件(W),和 - 用于输送的输送装置(T)中的时钟控制的方式 工件支撑件(WT), - 所述工件支持(WT)是用于液体的流失(F)和主体能够旋转和/或冲击运动用于摆脱剩余的液体残基可旋转的基座。 该装置gemäß的发明是适合于在特定的三维注塑部件用蚀刻集成的印刷导体,结转的蚀刻溶液由径流被广泛预防和投掷关闭。

    Verfahren zum bereichsweisen Entfernen von Schichten von einem Substrat
    8.
    发明公开
    Verfahren zum bereichsweisen Entfernen von Schichten von einem Substrat 失效
    从基板去除层的方法

    公开(公告)号:EP0427193A3

    公开(公告)日:1991-09-25

    申请号:EP90121199.5

    申请日:1990-11-06

    CPC分类号: G03F7/36 H05K3/068

    摘要: Es hat sich herausgestellt, daß zum bereichsweisen Entfernen von Schichten von einem Substrat eine Ultraschall-Badbehandlung be­sonders geeignet ist. Relativ hohe Ultraschallintensität kann dann angewendet werden, wenn eine Schicht nur entlang einem Rand eines Substrates zu entfernen ist. Dann wird das Substrat nur mit diesem Rand in die Badflüssigkeit eingetaucht, wobei es dicht oberhalb der Eintauchstelle gedämpft gehalten wird. Wer­den dagegen Schichten gemäß Strukturen entfernt, die sich vom Rand bis ins Innere einer Substratfläche erstrecken, muß ver­hältnismäßig geringe Ultraschallintensität eingesetzt werden. Um solche einzustellen, wurden handelsübliche Ultraschallbäder mit Gummimatten ausgelegt. Wenn Schichten in Bereichen zu entfernen sind, die nicht durch Fotolackstreifen abgedeckt sind, ist es von Vorteil, als Ätz­flüssigkeit eine solche mit möglichst hoher Viskosität zu ver­wenden. Zur Viskositätserhöhung eignet sich insbesondere Phos­phorsäure. Zum Erhöhen der Ätzgeschwindigkeit von ITO ist es von Vorteil, der Ätzflüssigkeit einen Komplexbildner für Indium und Zinn beizusetzen. Hierzu eignen sich insbesondere Chloridionen. Die Verfahren lassen sich insbesondere auf Schichten von Flüs­sigkristallzellensubstraten und auf Kupferschichten von Leiter­platten anwenden.

    摘要翻译: 已经发现,超声波浴处理特别适用于在特定区域中从基底去除层。 如果必须仅沿着基板的边缘去除层,则可以使用相对较高的超声波强度。 然后仅将衬底的所述边缘浸入浴液中,将衬底保持在刚刚高于浸渍点的阻尼方式。 另一方面,如果根据从衬底表面的边缘向内部延伸的图案去除层,则必须使用相对低的超声波强度。 为了实现这一点,商用超声波浴缸内衬橡胶垫。 如果在没有用光刻胶条掩蔽的区域中去除层,则有利的是使用尽可能高的粘度的蚀刻液。 特别地,磷酸适于增加粘度。 为了提高ITO的蚀刻速度,有利的是向蚀刻液中添加铟和锡的络合剂。 氯离子特别适用于此目的。 该方法特别可应用于液晶单元基板上的层和印刷电路板上的铜层。

    Anlage zum Ätzen von zumindest teilweise aus Metall, vorzugsweise Kupfer, bestehendem Ätzgut
    10.
    发明公开
    Anlage zum Ätzen von zumindest teilweise aus Metall, vorzugsweise Kupfer, bestehendem Ätzgut 失效
    用于蚀刻至少部分金属,优选铜器件的设备

    公开(公告)号:EP0222348A3

    公开(公告)日:1989-01-25

    申请号:EP86115485.4

    申请日:1986-11-07

    发明人: Haas, Rainer

    IPC分类号: C23F1/08

    CPC分类号: C23F1/08 H05K3/068

    摘要: Bei einer Anlage zum Ätzen von zumindest teilweise aus Metall, vorzugsweise Kupfer, bestehendem Ätzgut (4) wird dem eine Säure enthaltenden Ätzmittel unmittelbar vor dem eigentlichen Ätz­vorgang Oxidationsmittel in einer Menge zugegeben, die in Bezug zu derjenigen Menge steht, die nach stöchiometrischer Berechnung zum Abätzen der jeweils am Ätzgut abzutragenden Metallmenge erforderlich ist. Hierzu ist eine Einrichtung (31) vorhanden, welche ein erstes elektrisches Signal abgibt. Die­ses gibt Auskunft über die Menge des abzutragenden Materials am jeweils bearbeiteten Ätzgut. Ein zweites Signal wird von einem Detektor (34) dann ausgesandt, wenn das Ätzgut in die eigent­liche Ätzmaschine (1) einläuft. Beide Signale werden von einer zentralen Steuereinheit (35) verarbeitet. Dies geschieht in der Weise, daß die zentrale Steuereinheit ein drittes Signal ab­gibt, welches es nach einem abgespeicherten Programm aus dem erste Signal ermittelt hat, und zwar dann, wenn das Detektor­signal empfangen wird. Das dritte Signal entspricht der je­weils gewünschten Menge Oxidationsmittel und beaufschlagt eine Dosiereinrichtung (17), welche dann die Abmessung der Oxidations­mittelmenge vornimmt. In derselben Weise kann dem Ätzmittel zur Regeneration in stöchiometrisch definierter Menge Säure zugegeben werden.