公开(公告)号：EP4424886A2

公开(公告)日：2024-09-04

申请号：EP24161027.8

申请日：2024-03-01

申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

发明人： Kahle, Ruben

IPC分类号： C25D17/12 ,  C25D21/12

CPC分类号： C25D21/12 ,  C25D17/12

摘要： Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Verfahren sowie ein System zum Herstellen eines Substrats mittels Kupferabscheidung sowie ein entsprechendes Substrat.

公开(公告)号：EP3744875B1

公开(公告)日：2024-06-05

申请号：EP20153710.7

申请日：2020-01-24

IPC分类号： C25D11/04 ,  C25D11/24 ,  C25D11/26 ,  C25D17/12 ,  C25D21/12 ,  C25D11/14

CPC分类号： C25D11/26 ,  C25D11/246 ,  C25D11/04 ,  C25D21/12 ,  C25D11/14

公开(公告)号：EP4263919A1

公开(公告)日：2023-10-25

申请号：EP21839163.9

申请日：2021-12-15

申请人： Technische Universität Hamburg

发明人： RUTNER, Marcus P. ,  BRUNOW, Jakob

IPC分类号： C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/14 ,  C25D17/02 ,  B32B15/01 ,  C25D5/18 ,  C25D17/12 ,  C25D21/12

公开(公告)号：EP4100562A1

公开(公告)日：2022-12-14

申请号：EP21703460.2

申请日：2021-02-05

申请人： Atotech Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： KUNZE, Henry ,  WIENER, Ferdinand ,  SCHELLER, Britta

IPC分类号： C25D17/12 ,  C25D21/12 ,  C25D17/00

公开(公告)号：EP3788182A1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：EP19714109.6

申请日：2019-03-09

申请人： UNIWERSYTET JAGIELLONSKI

发明人： BUDKOWSKI, Andrzej ,  RYSZ, Jakub ,  AWSIUK, Kamil ,  MARZEC, Mateusz ,  DABCZYNSKI, Pawel ,  MICHALIK, Maciej

IPC分类号： C23C18/14 ,  C25D5/04 ,  B05D1/28 ,  C25D17/12 ,  C23C18/02 ,  C25D5/00

公开(公告)号：EP3235927B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：EP17000876.7

申请日：2014-11-14

发明人： Hasegawa, Kenji

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D5/22 ,  C25D7/00 ,  C25D7/02 ,  C25D17/12 ,  C25D21/10 ,  C25F3/16 ,  C25D17/22 ,  B24B1/00 ,  C25D17/00 ,  C25F3/02 ,  B21B1/00 ,  C25F3/20 ,  C25F3/24 ,  C25F7/00 ,  B24B31/112 ,  C25D5/18 ,  C25D5/02

公开(公告)号：EP3784823A1

公开(公告)日：2021-03-03

申请号：EP19722476.9

申请日：2019-04-26

申请人： Modumetal, Inc.

发明人： LOMASNEY, Christina A. ,  LI, Guohua ,  ANGELO, Nicholas

IPC分类号： C25D17/08 ,  C25D17/04 ,  C25D17/12 ,  C25D7/04 ,  C25D5/56

公开(公告)号：EP3744875A2

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP20153710.7

申请日：2020-01-24

申请人： Apple Inc.

发明人： CURRAN, James A. ,  MINTZ, Todd S. ,  MCDONALD, Daniel T.

IPC分类号： C25D11/04 ,  C25D11/24 ,  C25D11/26 ,  C25D17/12 ,  C25D21/12 ,  C25D11/14

摘要： This application relates to a method for forming an enclosure for a portable electronic device. The enclosure includes a metal substrate having a first b* value. The method includes forming an anodized layer that overlays and is formed from the metal substrate, wherein the anodized layer has a second b* value that is no greater than 0.3 of the first b* value and no less than 0.3 less than the first *b value.

公开(公告)号：EP3633074A1

公开(公告)日：2020-04-08

申请号：EP18809926.1

申请日：2018-03-29

申请人： Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.

发明人： WATANABE Hiroto ,  MATSUOKA Itsumi ,  SENBA Yusuke ,  KOBAYASHI Hiroshi

IPC分类号： C25C7/02 ,  C23F1/02 ,  C25C1/08 ,  C25D17/12

摘要： Provided are: a cathode plate for metal electrodeposition which makes it less likely to lose a non-conductive film on a metal plate, which can be used repeatedly, and for which maintenance is easy even if a non-conductive film is lost; and a manufacturing method for such cathode plate. This cathode plate 1 includes a metal plate 2 on which a plurality of disk-shaped protrusions 2a are arranged, and a non-conductive film 3 formed in flat sections 2b which are sections of the metal plate 2 other than the protrusions 2a. The protrusions 2a each have a side face that has a shape formed of a substantially vertical section 2d and an inclined section 2e. A height L1 of each protrusion 2a is 50µm to 1000µm, and when an intersection of the side face of the protrusion and a vertical line that is vertically lowered from a position X that is 20µm outward from the outer peripheral edge of the protrusion is defined as Y, then a length L2 from X to Y is at least 40µm but not more than 0.8×L1µm.

公开(公告)号：EP3117028B1

公开(公告)日：2019-11-20

申请号：EP15718575.2

申请日：2015-03-10

申请人： Qualital Servizi S.r.l.

发明人： CALCATERRA, Carlo

IPC分类号： C25D11/08 ,  C25D17/12 ,  C25D21/10 ,  C25D11/00