公开(公告)号：JPWO2011125800A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：JP2012509552

申请日：2011-03-30

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 岡本　匡史 ,  匡史 岡本 ,  西村　幸生 ,  幸生 西村

IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02 ,  C08F2/44 ,  C08F12/20 ,  C08L101/04

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/24 ,  C08F222/1006 ,  C08L33/16 ,  C08F220/30

Abstract: 本発明は、[A]重合性化合物、[B]フッ素原子含有重合体、及び[C]ラジカル発生剤を含有するナノインプリント用硬化性組成物である。[B]フッ素原子含有重合体の含有量が、[A]重合性化合物100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下であることが好ましい。[B]フッ素原子含有重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が、1,000以上30,000以下であることが好ましい。[B]フッ素原子含有重合体が、下記式(B−1)で表される構造単位及び下記式(B−2)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位を有する重合体を含むことが好ましい。

公开(公告)号：JPWO2011021573A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：JP2011527656

申请日：2010-08-12

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 郁宏 豊川 ,  郁宏 豊川 ,  岡本　匡史 ,  匡史 岡本 ,  西村　幸生 ,  幸生 西村

IPC: H01L21/027 ,  B29C33/38

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本発明の目的は、レジスト膜のはがれを抑制できるパターン形成方法を提供することである。即ち、本パターン形成方法は、基板20上に、有機高分子を主成分とする第1樹脂層31を形成する第1樹脂層形成工程(1)と、前記第1樹脂層31の表面に、有機高分子を主成分とする第2樹脂層32を形成する第2樹脂層形成工程(2)と、前記第2樹脂層32に凸部を有するスタンパを圧接、脱離して、前記第2樹脂層32に凹部321を形成する凹部形成工程(PR3)と、前記凹部321内に無機高分子を主成分とする充填部33を形成する充填部形成工程(PR4)と、前記充填部33をマスクとして、前記第1樹脂層31及び前記第2樹脂層32をエッチングするエッチング工程(PR5)と、を備える。【選択図】図2

公开(公告)号：JP5446434B2

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：JP2009110774

申请日：2009-04-30

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 幸生 西村 ,  匡史 岡本 ,  佳一 山口

IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02 ,  C08F20/34

CPC classification number: G03F7/0002

公开(公告)号：JP5321228B2

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：JP2009109271

申请日：2009-04-28

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 努 下川 ,  幸生 西村 ,  匡史 岡本

IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02 ,  C08F2/46 ,  C08F16/12

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosetting composition for nanoimprint lithography which is used for improving an integration density or a recording density of a circuit, having a semiconductor element and so on. SOLUTION: The photosetting composition for nanoimprint lithography contains a compound (A) having a substituting group expressed by formula (1) and a photoacid generator (B), and the composition has a viscosity equal to or less than 50 mPa s at 25°C. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

公开(公告)号：JP4816515B2

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：JP2007062694

申请日：2007-03-12

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 哲也 山村 ,  匡史 岡本

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335

公开(公告)号：JP5228792B2

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：JP2008273599

申请日：2008-10-23

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 匡史 岡本 ,  圭二 今野 ,  紀彦 杉江 ,  郁宏 豊川 ,  裕介 浅野 ,  慈 阿部

IPC: G03F7/11

公开(公告)号：JP4816533B2

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：JP2007080422

申请日：2007-03-27

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 哲也 山村 ,  匡史 岡本

IPC: G02B5/30 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J169/00 ,  G02F1/1335

公开(公告)号：JP5499596B2

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：JP2009220832

申请日：2009-09-25

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 匡史 岡本 ,  幸生 西村

IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02

CPC classification number: G03F7/0002