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公开(公告)号：JPWO2006059555A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2006547887
申请日：2005-11-28
IPC: G03F7/11 , C08F220/22 , C08F220/58 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0046 , Y10T428/24802
Abstract: 優れた塗布性を有し、微細なマイクロバブルの発生が著しく抑制され、しかも形成された反射防止膜が定在波効果を十分低減することができ、かつ水およびアルカリ現像液に対する溶解性に優れた反射防止膜形成用組成物を提供する。反射防止膜形成用組成物は、(A)2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸等で代表されるスルホン酸基含有アクリルアミド誘導体と2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(メタ)アクリレート等で代表されるフルオロアルキル基含有アクリル酸エステル誘導体との共重合体(塩)、並びに(B)25℃および濃度0.1重量%の水溶液における表面張力が45mN/m以下の界面活性剤を含有する。
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公开(公告)号：JPWO2006093057A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2007505904
申请日：2006-02-24
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/0751 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10T428/31515 , Y10T428/31612 , Y10T428/31663
Abstract: 本発明の課題は、レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液およびレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、かつ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供することにある。本発明に係るレジスト下層膜用組成物は、下記式(A)で表されるシラン化合物の加水分解物および/またはその縮合物を含有することを特徴とする。R1bR2cSi(OR3)4-a・・・(A)[式中、R1は少なくとも一つの不飽和結合を有する1価の有機基を示し、R2は独立に水素原子、ハロゲン原子または1価の有機基を示し、R3は独立に1価の有機基を示し、R1はOR3基以外の基であり、aは1〜3の整数を示し、bは1〜3の整数を示し、cは0〜2の整数を示し、かつ、a=b+cである。]
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公开(公告)号：JP5664874B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2011543166
申请日：2010-10-15
CPC classification number: H05B33/04 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K5/057 , C08K5/5419 , H01L23/296 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JPWO2011027658A1
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：JP2011529862
申请日：2010-08-12
IPC: C08L63/00 , B01D53/28 , B01J20/26 , B01J20/30 , C07C41/26 , C07C43/178 , C08F16/32 , C08G59/40 , C08K5/057 , C08L29/10 , C09K3/00 , H01L51/50 , H05B33/04
CPC classification number: C08G65/18 , C08K5/0091 , C08L63/00
Abstract: 本発明にかかる組成物は、下記一般式(1)で示される化合物(A)と、少なくとも環状エーテル構造を有する重合性化合物(B)と、を含有し、前記化合物(A)の含有量(WA)と前記化合物(B)の含有量(WB)との含有比率(WA/WB)が、0.2以上5以下であることを特徴とする。(R1−O)nM …(1)(上記式(1)中、R1は、有機基である。nは2または3であり、Mの原子価に等しい。複数存在するR1は同一または異なってもよい。Mは2価または3価の原子である。)
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公开(公告)号：JPWO2011001823A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011520858
申请日：2010-06-16
Inventor： 新井 隆之 , 隆之 新井 , 高橋 昌之 , 昌之 高橋 , 松木 安生 , 安生 松木 , 酒井 達也 , 達也 酒井 , 圭二 今野 , 圭二 今野 , 俊之 早川 , 俊之 早川 , 直矢 野坂 , 直矢 野坂 , 昭一 松見 , 昭一 松見
CPC classification number: H05B33/04 , B01D53/02 , B01D53/28 , B01D2253/204 , B01D2257/104 , B01D2257/80 , B01J20/0248 , B01J20/08 , B01J20/103 , B01J20/223 , B01J20/26 , B01J20/267 , B01J20/28004 , B01J20/28016 , B01J20/2803 , B01J20/28042 , B01J20/28052 , B01J2220/44 , B01J2220/46 , H01L51/5259
Abstract: 本発明にかかる組成物は、(A)有機金属化合物と、(B)無機粒子または有機重合体粒子と、(C)バインダ成分と、を含有する。前記(A)有機金属化合物は、下記一般式(1)で示される化合物であることが好ましい。(R1)nM …(1)(式(1)中、R1は、水素原子または有機基であって、複数存在するR1は同一または異なってもよい。nは2または3であり、Mの原子価に等しい。Mは2価または3価の金属原子である。)
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公开(公告)号：JPWO2012086334A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：JP2012549685
申请日：2011-11-14
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L51/5253 , H05B33/04
Abstract: 本発明にかかる発光体100は、支持基板10と、支持基板10の上方に形成された有機EL素子20と、有機EL素子20の上方に形成された第1保護膜30と、第1保護膜30の上方に形成された第2保護膜40と、第2保護膜40の上方に、有機EL素子20、第1保護膜30、および第2保護膜40を覆うように形成された第3保護膜50と、を含み、第1保護膜30および第2保護膜40の少なくとも一方は、水分捕捉剤を含有する。
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公开(公告)号：JPWO2012063626A1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012542859
申请日：2011-10-24
IPC: C08F230/04
CPC classification number: H01L51/5259 , B01D53/28 , B01D2253/202 , B01J20/223 , C08F220/04 , C08F222/1006
Abstract: 本発明に係る組成物は、下記一般式(1)で示される化合物(A)と、ラジカル発生剤(C)と、を含有する。(R1)nM …(1)(上記式(1)中、R1は、同一または異なってもよいが、複数存在するR1のうち少なくとも1個は1以上の不飽和結合を有する基である。nは2または3であり、Mの原子価に等しい。Mはアルミニウム、ホウ素、マグネシウムおよびカルシウムから選択される1種である。)
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公开(公告)号：JPWO2011065144A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2011543166
申请日：2010-10-15
CPC classification number: H05B33/04 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K5/057 , C08K5/5419 , H01L23/296 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本発明にかかる組成物は、下記一般式(1)で示される化合物(A)と、下記一般式(2)で示される構造を有する化合物(B)と、を含有する。(R1)nM …(1)【化12】
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公开(公告)号：JPWO2009078207A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：JP2009546173
申请日：2008-09-11
IPC: G03F7/40 , C08F212/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F12/32 , C09D125/18
Abstract: (1)レジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、(2)隣接する第一のパターンどうしの間に、シリコン原子を含まない樹脂成分および溶媒を含有するとともに、酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能なパターン形成用樹脂組成物からなる未架橋埋め込み部を形成する工程と、(3)未架橋埋め込み部の所定領域を架橋させて、第一のパターン、第一の架橋部、未架橋埋め込み部、および第二の架橋部がこの順で配列して繰り返す配列構造を形成する工程と、(4)第一のパターンおよび未架橋埋め込み部を除去して第二のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法である。
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