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公开(公告)号:JP6368820B2
公开(公告)日:2018-08-01
申请号:JP2017083410
申请日:2017-04-20
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: C07D209/86
CPC分类号: H01L51/0052 , C07D209/58 , C07D209/86 , C07D403/04 , C07D403/10 , C07D403/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/50 , H01L51/5088 , H01L51/56 , Y10S428/917
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公开(公告)号:JP2018092947A
公开(公告)日:2018-06-14
申请号:JP2018039870
申请日:2018-03-06
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC分类号: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
摘要: 【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。 【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを 有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、 導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の金属膜と、第1の金属膜上 に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたEL層と、EL層上に設けられた 第2の金属膜と、を有し、第2の金属膜を透過した光が放射される。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2018085525A
公开(公告)日:2018-05-31
申请号:JP2017247443
申请日:2017-12-25
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC分类号: H01L51/0072 , C07D209/56 , C07D209/60 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要: 【課題】発光素子の輸送層やホスト材料、発光材料として用いることが可能であり、高い 性能を有する発光素子を作製することが可能な新規化合物を提供する。 【解決手段】ジベンゾ[c,g]カルバゾール誘導体の窒素に少なくともアントラセンを 含む炭素数14乃至30のアリール基が結合したジベンゾ[c,g]カルバゾール化合物 を合成した。当該ジベンゾ[c,g]カルバゾール化合物を用いることで容易に特性の非 常に良好な発光素子を得ることが可能となる。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP6333334B2
公开(公告)日:2018-05-30
申请号:JP2016188453
申请日:2016-09-27
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC分类号: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K11/07 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y02B20/181 , Y10S428/917
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公开(公告)号:JP6203319B2
公开(公告)日:2017-09-27
申请号:JP2016077082
申请日:2016-04-07
发明人: パテル,ナリンクマー , コンウェイ,ナターシャ , リードビーター,マーク , グリッズィ,イラリア
CPC分类号: H01L51/506 , H01L51/0003 , H01L51/0043 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0072 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/5048 , Y10S428/917
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公开(公告)号:JP2017083897A
公开(公告)日:2017-05-18
申请号:JP2017007664
申请日:2017-01-19
发明人: FUKUNAGA KENJI , MARUYAMA JUNYA
IPC分类号: G09F9/30 , H05B33/26 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56 , H05B33/02 , H05B33/14
CPC分类号: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
摘要: 【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の金属膜と、第1の金属膜上に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたEL層と、EL層上に設けられた第2の金属膜と、を有し、第2の金属膜を透過した光が放射される。【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2017081935A
公开(公告)日:2017-05-18
申请号:JP2016234151
申请日:2016-12-01
发明人: THOMPSON MARK E , TAMAYO ARNOLD , DJUROVICH PETER
CPC分类号: H01L51/0085 , C07D231/12 , C07F15/0033 , C07F15/0046 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5016 , H01L2251/55 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要: 【課題】増強されたエレクトロルミネッセンス効率を有し、発光素子中に組み込まれた場合に改良された寿命を有する有機発光デバイスを提供する。【解決手段】下記式で表される化合物を発光層に含むデバイス。(MはIr等;R8〜R14はH、ハロゲン等;C−Nはシクロ配位子;m、nは整数)【選択図】なし
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公开(公告)号:JP6077579B2
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:JP2015042460
申请日:2015-03-04
发明人: レイモンド・クウォン , バート・アレイン
CPC分类号: C07C13/62 , C07C15/38 , C09K11/06 , C09K19/32 , H01L51/0008 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/0057 , H01L51/0058 , H05B33/14 , C07C2103/42 , C07C2103/54 , C09K2019/328 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1416 , H01L51/5016 , Y10S428/917
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公开(公告)号:JP2017025072A
公开(公告)日:2017-02-02
申请号:JP2016160075
申请日:2016-08-17
申请人: ノヴァレッド ゲーエムベーハー
发明人: オムラネ,ファデル , ラモーナ,プレッチュ
IPC分类号: H01L51/50 , H01L51/05 , H01L51/30 , C07D401/10 , C07D413/10 , C07D401/14 , C07F9/53 , C07D221/18
CPC分类号: H01L51/0072 , H01L51/0054 , H01L51/0069 , H01L51/5028 , H01L51/5048 , H01L51/5052 , Y10S428/917
摘要: 【課題】有機半導体材料に使用できる化合物、および該化合物を少なくとも1つ含んでいる電子デバイスの提供。 【解決手段】式(I)で表される化合物。 [R 1−4 が、H、ハロゲン、CN又は置換/非置換のC 1 − 20 アルキル或いはヘテロアルキル、C 6 − 20 アリール或いはC 5 − 20 ヘテロアーリル、C 1 − 20 アルコキシ或いはC 6 − 20 アリールオキシ;Arが置換/非置換のC 6 −C 20 −アーリル又はC 5 −C 20 −ヘテロアーリル;R 5 が置換/非置換のC 6 − 20 アーリル或いはC 5 − 20 ヘテロアーリル、H、F又は式(I)からAr−R 5 を除いた基] 【選択図】なし
摘要翻译: 其可以用于有机半导体材料,并提供了一种电子装置,其包括至少一种所述化合物的化合物。 由式(I)表示的化合物。 [R1-4是H,卤素,CN或取代的/未取代的C 1-20烷基或杂烷基,C 6-20芳基或C 5-20 Heteroariru,C 1-20烷氧基C 6-20或芳氧基; Ar为取代/ 未取代的C6-C20-Ariru或C5-C20-Heteroariru;基团R 5是不包括的Ar-R5取代的/未取代的C 6-20 Ariru或C 5-20 Heteroariru,H,F或式(I)] [ 选择视图]无
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公开(公告)号:JP6073845B2
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:JP2014204894
申请日:2014-10-03
申请人: 浦項工科大学校 産学協力団
IPC分类号: H01L51/50 , H05B33/28 , H05B33/26 , H01L29/786 , H01L51/46 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/28
CPC分类号: H01L51/105 , C08G65/007 , C08L27/18 , H01L51/5206 , H01L2251/5338 , H01L2251/5346 , H01L2251/5369 , H01L2251/55 , H01L29/0669 , H01L29/1606 , H01L51/0545 , H01L51/5218 , Y02E10/549 , Y10S428/917
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