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公开(公告)号：JP2019133943A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2019056458
申请日：2019-03-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 【課題】信頼性の高い有機発光素子を用いた表示装置法を提供する。 【解決手段】発光素子426の第1の電極は、第1のTFT436のソース又はドレインの一方と電気的に接続され、他方は、第3の配線420と電気的に接続され、さらに保持容量435の一対の電極の一方と電気的に接続され、第1のTFTのゲートは、保持容量の一対の電極の他方と電気的に接続され、第2のTFT433のソース又はドレインの一方は、第1の配線418と電気的に接続され、他方は、第1のTFTのゲートと電気的に接続され、第2のTFTのゲートは、第2の配線409と電気的に接続され、第3のTFT434のソース又はドレインの一方は、保持容量の一対の電極の一方と電気的に接続され、第3のTFTのゲートは、第4の配線410と電気的に接続され、第2の配線は、第4の配線と同じ方向に延びて配置された領域を有する表示装置。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP2019082729A
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：JP2019022822
申请日：2019-02-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/02 , G02F1/1368 , G09F9/30
Abstract: 【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製 方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を 有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】金属層または窒化物層からなる第1の材料層と酸化物層からなる第2の材料 層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し 、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現す る。 【選択図】図12
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公开(公告)号：JP2018073835A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2017211508
申请日：2017-11-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 【課題】比較的大きな出力のレーザー光照射を必要とせず、被剥離層等に損傷を与えることなく、被剥離層を転写した発光装置。 【解決手段】バリア膜が設けられたプラスチック基板に被剥離層が転写された発光装置であって、プラスチック基板1210に選択的に金属酸化物1250が残存している。金属酸化物は、ガラス基板上の剥離層に加熱処理を行ってから剥離したときに残存したものである。 【選択図】図26
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公开(公告)号：JP2018066999A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2017221162
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/02 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製 方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を 有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】金属層または窒化物層からなる第1の材料層と酸化物層からなる第2の材料 層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し 、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現す る。 【選択図】図12
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6298848B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2016092866
申请日：2016-05-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01L27/1218 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y02E10/549
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公开(公告)号：JP6143370B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2014223074
申请日：2014-10-31
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G09F9/30 , H05B33/02 , H01L51/50 , H05B33/04 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76251 , H01L27/1214
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公开(公告)号：JP2016189470A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2016092874
申请日：2016-05-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/10 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , H01L21/76251 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L27/3244
Abstract: 【課題】曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供する。 【解決手段】第1の基板930上に窒化物層または金属層からなる第1の材料層931、酸化物層からなる第2の材料層932を形成し、第2の材料層932上にTFT及び配線を含む層933aを作製し、陰極または陽極上に有機化合物材料層および陽極または陰極を形成し、剥離しようとする領域の周縁に沿って第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて第2の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与える処理により、第1の材料層931と第2の材料層932との密着性を部分的に低下させ、密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、第1の材料層931が設けられている第1の基板930を物理的手段により引き剥すことにより、半導体装置を作製する。 【選択図】図11
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，其具有附着到具有弯曲表面的基底材料上的剥离层。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：在第一衬底930上形成第一材料 由氮化物层或金属层构成的层931和由氧化物层构成的第二材料层932; 在第二材料层932上形成包括TFT和布线的层933a; 在阴极或阳极上形成有机化合物材料层和阳极或阴极; 并且通过沿着待剥离区域的圆周的激光束照射第二材料层或第一材料层的一部分，或者通过加工来除去第一材料层931和第二材料层932之间的粘合力， 沿着要剥离的区域的外围局部施加压力，从而对第二材料层的界面的内部或部分造成损伤，从第一材料层931的第一材料层931的侧面物理地剥离第一基板930 附着力部分减小的区域。选择图：图11
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公开(公告)号：JP2016171355A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016129748
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた高性能な半導体装置を提供する。 【解決手段】基板上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第1の導電層を形成 し、第1の導電層上に第2の導電層を形成し、第2の導電層をエッチングすることで、第 1のパターンを形成し、第1のパターンを酸化することにより膨張させ、膨張後の第1の パターンをマスクとして第1の導電層をエッチングすることで、ソース電極及びドレイン 電極となる第2のパターンを形成し、膨張後の第1のパターン及び第2のパターン及び酸 化物半導体層を覆うゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括氧化物半导体的高性能半导体器件。解决方案：一种半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成氧化物半导体层; 在所述氧化物半导体层上形成第一导电层; 在所述第一导电层上形成第二导电层; 通过蚀刻第二导电层形成第一图案; 通过氧化扩大第一种模式; 通过使用扩展的第一图案作为掩模蚀刻第一导电层，形成第二图案以用作源电极和漏电极; 形成覆盖所述扩大的第一图案，所述第二图案和所述氧化物半导体层的栅极绝缘层; 并在栅极绝缘层上形成栅极电极
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公开(公告)号：JP2016057616A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015171662
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G06F1/1601 , G02F1/133308 , G02F1/1345 , G02F1/13452 , G06F1/1643 , G06F1/1652 , G09G3/20 , G09G5/003 , G02F2001/133325 , G09G2300/0426
Abstract: 【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供する。 【解決手段】選択信号線と、選択信号線と交差する第1の信号線および第2の信号線と、選択信号線および第1の信号線と電気的に接続される第1の画素と、選択信号線および第2の信号線と電気的に接続される第2の画素と、第1の信号線と電気的に接続される第1の端子と、第2の信号線と電気的に接続される第2の端子と、を含む表示パネル。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种非常方便可靠的新型显示面板，非常方便或可靠的新型输入/输出设备，或者是非常方便或可靠的新型数据处理器。解决方案：显示面板包括 选择信号线，与选择信号线交叉的第一信号线和第二信号线，电连接到选择信号线和第一信号线的第一像素，与选择信号线电连接的第二像素和第二信号 线路，电连接到第一信号线的第一端子和电连接到第二信号线的第二端子。选择的图示：图1
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