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公开(公告)号：JP2016134520A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015008689
申请日：2015-01-20
Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Inventor： 桜庭 裕弥 , ボス スブロジャティ , 佐々木 泰祐 , 宝野 和博 , 李 松田
IPC: H01L43/10 , H01L43/12 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F41/22 , H01F41/18 , G01R33/09 , H01L43/08
Abstract: 【課題】 真熱処理温度を過度に上昇させることなく、高いスピン偏極率を有するホイスラー合金薄膜を提供すること。 【解決手段】 化学組成がCo 2 YZ(Y=V、Cr、Mn、Fe、Z=Al、Si、Ga、Ge)であるホイスラー合金薄膜に、Agを5at.%以下にホイスラー合金薄膜中にドープし、熱処理することを特徴とするホイスラー合金薄膜。 【選択図】 図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高自旋极化的Heusler合金薄膜，而不会过度提高真实的热处理温度。解决方案：化学成分为CoYZ（Y = V，Cr，Mn，Fe，Z = Al，Si，Ga，Ge）掺杂Ag小于或等于5原子％，并进行热处理。选择图：图3
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公开(公告)号：JP2021180059A
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020084276
申请日：2020-05-13
Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構 , 学校法人東北学院
Abstract: 【課題】ThMn 12 型構造を有する希土類化合物を用いて、磁気記録媒体に適用可能な磁気特性を有する新規な化合物とこれを用いた磁気記録媒体、並びにそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係る希土類化合物は、全体組成が、式1:(R 1 (1−x) R 2 x ) a T b M c (上記式中、R 1 は、Sm、Pm、Er、Tm、及び、Ybからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、R 2 は、Zr、Y、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、及び、Luからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、TはFe、Co、及び、Niからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、Mはホウ素であり、xは、0〜0.5の数であり、aは6.0〜13.7原子%の数であり、cは0原子%より大きく、12原子%以下の数であり、bは、100−a−c原子%で表される数である。)で表され、ThMn 12 型の結晶相を主相とし、前記主相間に存在するアモルファスの粒界相を有する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6843353B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2017037777
申请日：2017-02-28
Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構 , 国立大学法人長岡技術科学大学 , 住友電気工業株式会社
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公开(公告)号：JP2020057446A
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：JP2019223062
申请日：2019-12-10
Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Abstract: 【課題】 低抵抗・高磁気抵抗比の面直電流巨大磁気抵抗素子を提供すること。 【解決手段】 MgO基板またはシリコン基板(11)と、この基板11に積層された第1の非磁性層13と、当該基板11に積層されたCo基ホイスラー合金等からなる下部強磁性層14及び上部強磁性層16、並びに下部強磁性層14と上部強磁性層16の間に設けられた第2の非磁性層15を有する巨大磁気抵抗効果層17とを備えると共に、巨大磁気抵抗効果層17は、下部強磁性層14と第2の非磁性層15の間に設けられた第1のB2構造の挿入層15aと、第2の非磁性層15と上部強磁性層16の間に設けられた第2のB2構造の挿入層15bとの少なくとも一方を有し、第1及び第2のB2構造挿入層(15a、15b)は、膜厚が0.15nm以上0.8nm未満である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018190966A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018075180
申请日：2018-04-10
Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , G11B5/39 , H01L43/10
Abstract: 【課題】 強磁性層と非磁性層との界面で、純良な界面が得られると共に高い垂直磁気異方性エネルギーを有する磁気ヘテロ接合素子を提供すること。 【解決手段】 基板と、この基板に隣接して設けられるか、又は下地層を挟んで設けられる強磁性層と、この強磁性層に隣接して設けられる非磁性層を有すると共に、当該強磁性層と非磁性層は[001]配向で積層した構造を有する磁気ヘテロ接合素子であって、鉄を含有する強磁性材料からなる前記強磁性層と、ZnSe、ZnS、I−III−VI2型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなる前記非磁性層とを備え、前記強磁性層と前記非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数(Ks)が0.78mJ/m 2 を超えると共に、強磁性層が垂直磁化層であることを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6365901B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2016189475
申请日：2016-09-28
Applicant: 株式会社東芝 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Inventor： 加藤 侑志 , 大坊 忠臣 , 上口 裕三 , 下村 尚治 , 伊藤 順一 , 介川 裕章 , ベルムバーリク モハツマド , チュン ポーハン , 三谷 誠司 , 大久保 忠勝 , 宝野 和博
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L43/10
CPC classification number: H01L43/08 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10
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