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    複合基板および機能素子
    11.
    发明专利
    複合基板および機能素子 有权
    复合基板与所述功能元件

    公开(公告)号：JP5828993B1

    公开(公告)日：2015-12-09

    申请号：JP2015520763

    申请日：2014-12-15

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 岩井 真 ,  今井 克宏 ,  坂井 正宏

    IPC: C30B29/38

    CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L21/0245

    Abstract: サファイア基板、およびサファイア基板上に結晶成長した窒化ガリウム結晶層を備える複合基板において、その上に13族元素窒化物からなる機能層を形成するときに、機能のバラツキを抑制する。複合基板4は、サファイア基板1A、およびサファイア基板1A上に設けられた窒化ガリウム結晶層3を備える。複合基板4の反りが5.08cm当たり、+40μm以上、+80μm以下である。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 在具有蓝宝石基板，以及氮化镓晶体层的复合衬底上生长在蓝宝石基板上，形成在第13族元素氮化物制成的它们的功能层时，抑制的能力的波动。 复合基板4设置有设置在蓝宝石基板1A上的氮化镓晶体层3，并且在蓝宝石基板1A。 每复合基板4的翘曲5.08厘米，+ 40微米以上且+ 80微米或更小。 点域1

    下地基板、機能素子および下地基板の製造方法
    12.
    发明专利
    下地基板、機能素子および下地基板の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019065689A1

    公开(公告)日：2020-11-26

    申请号：JP2018035586

    申请日：2018-09-26

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 後藤 万佐司 ,  坂井 正宏 ,  大上 翔平 ,  吉野 隆史

    IPC: C30B25/18 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

    Abstract: 下地結晶層の結晶育成面上に13族元素窒化物結晶層を育成するための下地基板において、13族元素窒化物結晶層における欠陥やクラックを更に低減できる構造を提供する。 下地基板6は、酸化アルミニウムからなる支持基板1、支持基板1の主面1a上に設けられ、および13族元素窒化物結晶からなり、結晶育成面2aを有する下地結晶層2Aを備える。支持基板1と下地結晶層2Aとの間に、支持基板の材質と13族元素窒化物結晶との反応物と13族金属との少なくとも一方4Aが存在している。反応物が、少なくともアルミニウムおよび13族元素を含む。

    13族元素窒化物層、自立基板および機能素子
    15.
    发明专利
    13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019039189A1

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2018028206

    申请日：2018-07-27

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 平尾 崇行 ,  中西 宏和 ,  市村 幹也 ,  下平 孝直 ,  坂井 正宏 ,  吉野 隆史

    IPC: H01L33/32 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16

    Abstract: 13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。高輝度発光部5が、13族元素窒化物結晶13のm面に沿って伸びている部分を含んでおり、酸素原子の含有量が1×10 18 atom/cm 3 以下であり、珪素原子、マンガン原子、炭素原子、マグネシウム原子およびカルシウム原子の含有量がそれぞれ1×10 17 atom/cm 3 以下であり、クロム原子の含有量が1×10 16 atom/cm 3 以下であり、塩素原子の含有量が1×10 15 atom/cm 3 以下である。 【選択図】 図1

    窒化ガリウム結晶からなる自立基板の製造方法
    17.
    发明专利
    窒化ガリウム結晶からなる自立基板の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018165225A

    公开(公告)日：2018-10-25

    申请号：JP2017062248

    申请日：2017-03-28

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 野口 卓 ,  磯田 佳範 ,  坂井 正宏

    IPC: C30B19/04 ,  C30B29/38

    Abstract: 【課題】サファイア基板側からレーザ光を照射して窒化ガリウム結晶層を剥離させるのに際して、窒化ガリウム結晶層の表面異状の発生を防止し、自立基板の製造歩留りを向上させる製造方法の提供。 【解決手段】サファイア基板1上に厚さ400〜1400μmの窒化ガリウム結晶層2をフラックス法で設ける工程、および400〜1100℃の温度でサファイア基板1のレーザ照射面側からレーザ光を照射することによって、サファイア基板1から窒化ガリウム結晶層2を剥離させて自立基板を得、レーザ照射面の算術平均表面粗さRaが3μm以下である、窒化ガリウム結晶からなる自立基板の製造方法。窒化ガリウム結晶層2の厚さと前記温度とが下記式を満足する、窒化ガリウム結晶からなる自立基板の製造方法。0.7x+20≦T≦0.4x+590(xは窒化ガリウム結晶層2の厚さ(μm);Tは前記温度(℃)。) 【選択図】図1

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