公开(公告)号：JP6971365B2

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：JP2020139388

申请日：2020-08-20

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 池田 義謙 ,  谷口 裕樹 ,  篠原 和義

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：JP2020194842A

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：JP2019098501

申请日：2019-05-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 竹口 博史 ,  篠原 和義 ,  大塚 貴久 ,  李 水根

IPC: H01L21/304

Abstract: 【課題】清浄度が低い洗浄液を用いた場合でも、基板から十分にパーティクルを除去することができる技術を提供する。 【解決手段】本開示の一態様による基板処理方法は、第1洗浄工程と、第2洗浄工程とを含む。第1洗浄工程は、第1洗浄液で基板を洗浄する。第2洗浄工程は、第1洗浄工程の後に、第1洗浄液よりも清浄度が低い第2洗浄液で基板を洗浄する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2020170801A

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：JP2019071918

申请日：2019-04-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 中澤 貴士 ,  篠原 和義

IPC: H01L21/304

Abstract: 【課題】SPMを用いた基板処理において基板のばたつきを抑制すること。 【解決手段】本開示による基板処理方法は、保持工程と、事前加熱工程と、吐出工程と、移動工程とを含む。保持工程は、基板を保持する。事前加熱工程は、基板の被処理面と反対側の面である反対面の中央部を加熱する。吐出工程は、事前加熱工程後、被処理面の周縁部に対し、硫酸と過酸化水素との混合液であるSPMを吐出する。移動工程は、吐出工程後、SPMの吐出位置を被処理面の周縁部から中央部へ向けて移動させる。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6411571B2

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：JP2017061138

申请日：2017-03-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 篠原 和義 ,  吉田 祐希

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP6224515B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2014094641

申请日：2014-05-01

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 川渕 洋介 ,  河野 央 ,  田中 暁 ,  鈴木 啓之 ,  大石 幸太郎 ,  篠原 和義 ,  吉田 祐希

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6715

公开(公告)号：JP6077437B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2013247813

申请日：2013-11-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 甲斐 義広 ,  池田 義謙 ,  篠原 和義 ,  小田 哲也 ,  田中 暁 ,  吉田 祐希 ,  相原 明徳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04

CPC classification number: B05B15/0258 ,  C03C23/0075 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

公开(公告)号：JP6917807B2

公开(公告)日：2021-08-11

申请号：JP2017130027

申请日：2017-07-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 東 博之 ,  大塚 貴久 ,  篠原 和義 ,  中澤 貴士 ,  藤本 誠也 ,  道木 裕一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

公开(公告)号：JP2021072415A

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2019199988

申请日：2019-11-01

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 小佐井 一樹 ,  篠原 和義

IPC: H01L21/304

Abstract: 【課題】基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる技術を提供する。 【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、基板処理部と、排液部と、制御部とを備える。基板処理部は、載置された基板に処理液供給部から処理液を供給して液処理する。排液部は、処理液を貯留する貯留部に接続される回収路を有し、液処理に使用された処理液を排液する。制御部は、液処理の処理レシピと、基板処理部および排液部を洗浄する洗浄レシピとを実行する。また、制御部は、洗浄レシピとして、洗浄液供給部から洗浄液を供給して基板処理部および排液部を洗浄する洗浄動作を実行した後、処理液供給部から処理液を供給して基板処理部および排液部に付着する洗浄液を処理液に置換する復帰動作を実行する。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6407829B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2015193732

申请日：2015-09-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 篠原 和義 ,  池田 義謙 ,  飯野 正

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP2017143291A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2017061138

申请日：2017-03-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 篠原 和義 ,  吉田 祐希

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】ウォーターマークの発生やパーティクルの残存を抑制し、基板の処理を良好に行えるようにすること。 【解決手段】本発明では、基板(3)を保持しながら回転させる基板回転部(11)と、前記基板(3)に処理液を供給する処理液供給部(13)と、前記処理液供給部(13)から供給された前記処理液と置換させる置換液を前記基板(3)に供給する置換液供給部(14)とを備え、前記基板回転部(11)によって前記基板(3)を回転させ、前記処理液供給部(13)によって前記基板(3)に前記処理液を供給させ、その後、前記置換液供給部(14)によって前記基板(3)に前記置換液を供給させるとともに、前記置換液供給部(14)から供給される置換液よりも前記基板(3)の外周側に前記処理液供給部(13)から前記処理液を補給して処理液の液膜を形成することにした。 【選択図】図2