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    基板処理装置
    1.
    发明专利
    基板処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021111654A

    公开(公告)日：2021-08-02

    申请号：JP2020000926

    申请日：2020-01-07

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 櫻井 宏紀 ,  後藤 大輔 ,  中澤 貴士 ,  ▲高▼松 祐助 ,  橋本 佑介

    IPC: H01L21/306

    Abstract: 【課題】混合液によるエッチング処理が終了する際に、混合部で突沸反応が発生することを抑制することができる技術を提供する。 【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、昇温部と、混合部と、吐出部とを備える。昇温部は、硫酸を昇温する。混合部は、昇温された硫酸と、水分を含む液体とを混合して混合液を生成する。吐出部は、基板処理部内で基板に混合液を吐出する。また、混合部は、昇温された硫酸が流れる硫酸供給ラインと液体が流れる液体供給ラインとが合流する合流部と、合流部における昇温された硫酸と液体との反応を抑える反応抑制機構とを有する。 【選択図】図5

    基板処理装置、および基板処理方法
    5.
    发明专利
    基板処理装置、および基板処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021089983A

    公开(公告)日：2021-06-10

    申请号：JP2019219842

    申请日：2019-12-04

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 井上 大誠 ,  櫻井 宏紀 ,  中澤 貴士

    IPC: H01L21/306

    Abstract: 【課題】基板を精度よくエッチングする技術を提供する。 【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、温度検出部と、算出部と、実行部とを備える。温度検出部は、処理液が吐出された基板の温度を検出する。算出部は、温度検出部によって検出された温度に基づいた基板のエッチング量を所与の計算式を用いて算出する。実行部は、エッチング量に基づいて処理液による基板のエッチング処理を実行する。 【選択図】図4

    基板処理方法および基板処理装置
    6.
    发明专利
    基板処理方法および基板処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020170801A

    公开(公告)日：2020-10-15

    申请号：JP2019071918

    申请日：2019-04-04

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 中澤 貴士 ,  篠原 和義

    IPC: H01L21/304

    Abstract: 【課題】SPMを用いた基板処理において基板のばたつきを抑制すること。 【解決手段】本開示による基板処理方法は、保持工程と、事前加熱工程と、吐出工程と、移動工程とを含む。保持工程は、基板を保持する。事前加熱工程は、基板の被処理面と反対側の面である反対面の中央部を加熱する。吐出工程は、事前加熱工程後、被処理面の周縁部に対し、硫酸と過酸化水素との混合液であるSPMを吐出する。移動工程は、吐出工程後、SPMの吐出位置を被処理面の周縁部から中央部へ向けて移動させる。 【選択図】図6

    液処理装置および液処理方法
    7.
    发明专利
    液処理装置および液処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019041039A

    公开(公告)日：2019-03-14

    申请号：JP2017163230

    申请日：2017-08-28

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 寺岡 一大 ,  烏野 崇 ,  上村 史洋 ,  笠原 政俊 ,  須中 郁雄 ,  中澤 貴士

    IPC: H01L21/304

    Abstract: 【課題】処理液の循環を開始した直後に、循環ライン内の処理液が汚染されることを抑制すること。 【解決手段】実施形態に係る液処理装置は、タンクと、循環ラインと、ポンプと、フィルタと、背圧弁と、制御部とを備える。タンクは、処理液を貯留する。循環ラインは、タンクから送られる処理液をタンクへ戻す。ポンプは、循環ラインにおける処理液の循環流を形成する。フィルタは、循環ラインにおけるポンプの下流側に設けられる。背圧弁は、循環ラインにおけるフィルタの下流側に設けられる。制御部は、ポンプおよび背圧弁を制御する。そして、制御部は、循環ラインにおける処理液の循環を開始する際に、ポンプの吐出圧力が所定の第1圧力で立ち上がり、所定の時間経過後にポンプの吐出圧力が第1圧力より大きい第2圧力に増加するようにポンプの吐出圧力を制御する。 【選択図】図5

    基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
    8.
    发明专利
    基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 审中-公开
    底物溶液处理装置中，底物溶液的处理方法和存储介质

    公开(公告)号：JP2017005120A

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：JP2015117851

    申请日：2015-06-10

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 中澤 貴士 ,  松木 勝文

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

    Abstract: 【課題】処理液の濃度を適正に保って品質の安定した液処理を行うこと。 【解決手段】実施形態に係る基板液処理装置は、貯留部と、処理部と、回収部と、補充部と、制御部とを備える。貯留部は、複数の成分を含有する処理液を貯留する。処理部は、貯留部から供給される処理液を使用して基板を処理する。回収部は、処理部から貯留部へ処理液を回収する。補充部は、処理液中の複数の成分のうちの少なくともいずれかから選択される補充対象成分を貯留部へ補充する。制御部は、処理部による処理を含む一連の基板液処理を実行させる。また、制御部は、貯留部内に残存する処理液から揮発した補充対象成分の揮発量を算出し、算出した揮発量分を補充部より補充させる。 【選択図】図5

    Abstract translation: 本发明涉及适当地保持处理液的浓度，以质量的进行稳定的液处理。 根据该实施例的底物溶液处理设备包括存储单元，处理单元，回收单元和补充部分，和一个控制单元。 储器是用于存储包含多个组件的处理液体。 处理单元通过使用从所述储存供给的处理液处理该衬底。 恢复单元恢复来自所述处理单元的处理液到存储单元。 补充部补充从所述多个在所述处理溶液的贮存器组件中的至少一个选择的补充目标组件。 控制单元，执行一系列底物溶液处理的，包括由所述处理单元处理。 控制单元计算挥发补充目标成分的残留在贮液器部分的处理液挥发量，它从补充部所计算出的挥发量补充。 点域5

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