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公开(公告)号：JPWO2009101892A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：JP2009553403
申请日：2009-02-05
Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
IPC: H01S5/0687 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01S5/1209 , H01S5/2201 , H01S5/2275 , H01S5/3213 , H01S5/34373 , H01S2304/00 , H01S2304/04
Abstract: InP半導体層(110)の表面に、成長温度が680℃以上で厚みが1.0μm以上のInAlGaAsP半導体層(130)を成長させる成長工程を含み、InAlGaAsPのInAlGaにおけるGaの組成比Xが0≦X0.08であることを特徴とする。InAlGaAsPを1μm以上成長させる場合に、成長温度を680℃以上とすることにより、ミシビリティギャップの影響を抑制することができる。それにより、InAlGaAsP半導体層に凹凸が形成されることを抑制することができる。
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公开(公告)号：JP2007273644A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：JP2006096075
申请日：2006-03-30
Applicant: Eudyna Devices Inc , ユーディナデバイス株式会社
Inventor： ISHIKAWA TSUTOMU
CPC classification number: H01S5/0612 , H01S5/02453 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S2301/173
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor device capable of efficiently heating an optical waveguide using heat generated in a heater, and to provide a laser chip and a laser module.
SOLUTION: The optical semiconductor device (100) includes a semiconductor substrate (101), an optical semiconductor region (102) provided on the semiconductor substrate and having a width smaller than the width of the semiconductor substrate, and a heater (103) provided on the optical semiconductor region. The optical semiconductor region includes a clad region (104), an optical waveguide layer (105) provided in the clad region and having a refractive index larger than the refractive index of the clad region, and a low thermal conductivity layer (106) provided between the optical waveguide layer and the semiconductor substrate and having a thermal conductivity smaller than the thermal conductivity of the clad layer.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPITAbstract translation: 解决的问题：提供能够使用在加热器中产生的热量有效地加热光波导的光半导体装置，并提供激光芯片和激光模块。 解决方案：光半导体器件（100）包括半导体衬底（101），设置在半导体衬底上并且具有小于半导体衬底的宽度的宽度的光学半导体区域（102）和加热器（103 ）设置在光学半导体区域上。 所述光学半导体区域包括包层区（104），设置在所述包层区中并具有大于所述包层区的折射率的折射率的光波导层（105）和设置在所述包层区之间的低导热层（106） 所述光波导层和所述半导体基板的热导率小于所述包覆层的导热率。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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13.发明专利Semiconductor laser, laser module, optical component, laser device, and manufacturing method and control method of semiconductor laser 有权半导体激光器，激光模块，光学部件，激光器件及半导体激光器的制造方法和控制方法
公开(公告)号：JP2007048988A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：JP2005232697
申请日：2005-08-11
Applicant: Eudyna Devices Inc , ユーディナデバイス株式会社
Inventor： FUJII TAKUYA
CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/1057 , H01S5/106 , H01S5/1064 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/1221 , H01S5/1231 , H01S5/124 , H01S5/1246 , H01S5/125
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tunable semiconductor laser capable of stabilizing a mode of a laser oscillation with a newly structured SG-DR waveguide.
SOLUTION: The semiconductor laser (200) comprises a first region having a diffraction grating (2), and a first diffraction grating region (3) having a plurality of segments having a second region connected to the first region and becoming a space part. At least two optical lengths out of the plurality of second regions are different each other and refraction factors of each segment are respectively variable. The difference of at least two optical lengths out of the plurality of second regions makes a peak reflection intensity of a longitudinal mode in the first diffraction grating region have a wavelength dependence. This can provide a stable laser oscillation in the wavelength range with the peak reflection insensity of the longitudinal mode in the first diffraction grating region relatively large.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种能够利用新结构化的SG-DR波导来稳定激光振荡模式的可调谐半导体激光器。 解决方案：半导体激光器（200）包括具有衍射光栅（2）的第一区域和具有多个段的第一衍射光栅区域（3），第二区域具有连接到第一区域的第二区域并变成空间 部分。 多个第二区域中的至少两个光学长度彼此不同，并且每个段的折射系数分别是可变的。 多个第二区域中的至少两个光学长度的差异使得第一衍射光栅区域中的纵向模式的峰值反射强度具有波长依赖性。 这可以在波长范围内提供稳定的激光振荡，其中第一衍射光栅区域中的纵向模式的峰值反射密度相对较大。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2004273993A
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：JP2003066436
申请日：2003-03-12
Applicant: Hitachi Ltd , 株式会社日立製作所
Inventor： SATO HIROSHI , AOKI MASAHIRO
IPC: H01S5/125 , H01S3/08 , H01S3/10 , H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/227 , H01S5/40
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0268 , H01S5/0425 , H01S5/06253 , H01S5/1209 , H01S5/1237 , H01S5/2086 , H01S5/227 , H01S5/4068
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light source of wide wavelength variable width in which light output fluctuation at wavelength adjustment is suppressed, in a distribution reflecting type tunable laser, related to an optical transmission device. SOLUTION: Related to a waveguide type optical element in which an active waveguide and a distributed Bragg reflector are optically coupled with each other in a specified region on a semiconductor substrate, a distribution reflecting type laser with wavelength control function is provided, in which a quantum well layer, having the number of period of one or more layer, and having a structure separated from the active waveguide, is formed on a part of or all over the distributed Bragg reflector. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI
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公开(公告)号：JPWO2017138668A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017005166
申请日：2017-02-13
Applicant: 古河電気工業株式会社
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/1209 , H01S5/0612 , H01S5/12 , H01S5/1237 , H01S5/125 , H01S5/3434
Abstract: 半導体レーザ素子は、波長軸上で略周期的に反射ピークが配置された反射コムスペクトルを有し、前記周期が互いに異なる第1、第2の反射要素で構成される光共振器を備えるバーニア型かつ波長可変型の半導体レーザ素子であって、前記第1、第2の反射要素の少なくとも一つは、各反射ピークにおける反射位相が揃っており、かつ設定されたレーザ発振波長帯域外の反射ピークの強度が、前記レーザ発振波長帯域内の反射ピークの強度よりも小さい反射コムスペクトルを有するサンプルドグレーティング構造を備える。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015216318A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014099704
申请日：2014-05-13
Applicant: 住友電気工業株式会社
Inventor： 八木 英樹
CPC classification number: G02F1/2255 , G02F1/2257 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , G02F2001/212 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/2275
Abstract: 【課題】波長可変レーザを光変調器と単一の基板上にモノリシックに集積するに際して、レーザダイオードの性能を提供するための構造、及び光変調器の性能を提供するための構造を共存させる構造を有する半導体光集積素子を提供する。 【解決手段】レーザ導波路29、半導体導波路17、並びに第1アーム導波路37b及び第2アーム導波路37cが埋込領域39で埋め込まれるので、導波路の側面を保護できると共に電気印加に係るリーク電流を低減できる。第1アーム導波路及び第2アーム導波路を埋込領域で埋め込むことに加えて、第1アーム導波路及び第2アーム導波路にトレンチ構造(47a、47b、47c、47d)を埋込領域に設けている。これらのトレンチ溝は、塗布により形成される樹脂体の厚さを第1アーム導波路及び第2アーム導波路上において均一にすることに寄与する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有提供激光二极管的性能的结构的结构的半导体光学集成元件和用于提供光学调制器的功能的结构，当集成波长可变激光器和光学调制器时共存 单片衬底上的单片。解决方案：由于激光波导29，半导体波导17以及第一臂波导37b和第二臂波导37c被嵌入式域39嵌入，因此可以保护波导的侧面， 相关的电力可以减少。 除了通过嵌入式域嵌入第一臂波导和第二臂波导之外，沟槽结构（47a，47b，47c，47d）设置在第一臂波导和第二臂波导的嵌入域中。 这些沟槽有助于使第一臂波导和第二臂波导上的由涂层形成的树脂体的厚度均匀。
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公开(公告)号：JP2015126195A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013271615
申请日：2013-12-27
Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
Inventor： 宮田 充宜
IPC: H01S5/0687
CPC classification number: H01S5/0687 , H01S5/06256 , H01S5/02415 , H01S5/0265 , H01S5/0617 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212
Abstract: 【課題】 余計な処理の発生を防止することができる、波長可変レーザの制御方法を提供する。 【解決手段】 波長可変レーザの制御方法は、基本波長での駆動条件を格納する第1メモリからいずれかの駆動条件を読み出して当該駆動条件を用いて波長可変レーザを制御する波長可変レーザの制御方法であって、第1波長を指定する情報を入力する工程と、第1波長が第1メモリに格納されたいずれかの基本波長である第2波長と同じであるか否かを判定する工程と、第1波長と第2波長とが同じであると判定された場合に、第1メモリから第2波長の駆動条件を取得する工程と、第1波長と第2波長とが異なると判定された場合に、第1メモリから第2波長の駆動条件を取得し、第1波長と第2波長との差分に基づいて当該駆動条件を用いて第1波長での駆動条件を算出する工程と、前記取得する工程もしくは前記算出する工程の駆動条件に基づいて、波長可変レーザの発振波長を制御する。 【選択図】 図9
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以防止不必要的处理发生的波长可变激光控制方法。解决方案：一种波长可变激光控制方法，用于通过从存储相应的第一存储器的第一存储器读取任何驱动条件来控制波长可变激光器 基本波长的驱动条件和使用读驱动条件包括：输入用于指定第一波长的信息的处理; 确定第一波长是否等于存储在第一存储器中的任何基波的第二波长的处理; 当确定第一波长和第二波长彼此相等时从第一存储器获取第二波长的驱动条件的处理; 以及当第一波长和第二波长不相等时从第一存储器获取第二波长的驱动条件的处理，并且基于第一波长和第二波长之间的差计算第一波长的驱动条件，并使用 获得驱动条件。 基于在采集处理或计算处理中获得的驱动条件来控制波长可变激光器的振荡波长。
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公开(公告)号：JP2015106665A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013248620
申请日：2013-11-29
Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
Inventor： 宮田 充宜
IPC: H01S5/0687
CPC classification number: H01S3/106 , H01S3/10015 , H01S3/1003 , H01S3/1028 , H01S3/1062 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/0687 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/1209 , H01S5/1212
Abstract: 【課題】 自由度の高いファインチューニングを実現することができる波長可変レーザの制御方法を提供する。 【解決手段】 メモリから、レーザを第1波長で発振させる駆動条件を取得し、エタロンの第1制御値と、第1波長と第2波長との差に応じて第2波長で発振させるためのエタロンの第2制御値を算出し、波長検知結果が第1目標値となるように発振波長を制御し、発振波長からの波長シフト量を示す情報を入力し、発振波長が波長シフト量分だけシフトした際の波長検知結果を第2目標値として算出するか、発振波長が波長シフト量分だけシフトした際の波長で発振させるためのエタロンの波長特性の第3制御値を算出するか選択し、第2目標値を算出するステップが選択された場合に、波長検知結果が第2目標値となるように発振波長を制御し、第3制御値を算出するステップが選択された場合に、波長検知結果が第1目標値となるように発振波長を制御する。 【選択図】 図9
Abstract translation: 要解决的问题：提供可以实现高度灵活的微调的波长可变激光控制方法。解决方案：波长可变激光控制方法包括以下步骤：获取激光以第一波长振荡的驱动条件 从记忆中 计算标准具的第一控制值和标准具的第二控制值，以使得激光器根据第一波长和第二波长之间的差异以第二波长振荡; 控制振荡波长使波长检测结果成为第一目标值; 从所述振荡波长输入表示波长偏移量的信息，并且当所述振荡波长被所述波长抖动量移位为第二目标值时，选择是否计算波长检测结果，或者计算用于引起所述波长特性的标准具的波长特性的第三控制值 所述激光器在所述振荡偏移波长偏移量时以波长振荡; 以及当选择计算第二目标值的步骤时，以使得波长检测结果变为第二目标值并以使得波长检测结果变为第一目标值的方式来控制振荡波长的方式来控制振荡波长 当选择计算第三控制值的步骤时。
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公开(公告)号：JP2015088626A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013226020
申请日：2013-10-30
Applicant: 住友電気工業株式会社
Inventor： 坂野 英一
IPC: H01S5/0687
CPC classification number: H01S5/0617 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212
Abstract: 【課題】 エタロンの光透過特性の誤差を抑制することができる波長可変レーザ装置の試験方法および波長可変レーザ装置を提供する。 【解決手段】 波長可変レーザ装置の試験方法は、波長可変レーザと、エタロンを有する波長検知手段と、を備える波長可変レーザ装置の試験方法であって、前記エタロンの自由スペクトル領域間隔を測定する第1ステップと、前記自由スペクトル領域間隔のトップとボトムとの間に設けられた目標値に、波長をチューニングすることで、駆動条件を取得する第2ステップと、前記駆動条件をメモリに格納する第3ステップと、を含む。 【選択図】 図7
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于测试波长可变激光装置和能够抑制标准具的透光特性误差的波长可变激光装置的方法。解决方案：公开了一种用于测试波长可变激光装置的方法， 配备有波长可变激光器和具有标准具的波长检测装置。 该方法包括：用于测量标准具的自由谱区间隔的第一步骤：用于通过将波长调谐到设置在自由谱区间隔的顶部和底部之间的目标值来获取驱动条件的第二步骤; 以及将驱动条件存储在存储器中的第三步骤。
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公开(公告)号：JP2015050283A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013180166
申请日：2013-08-30
Inventor： TANAKA HIROKAZU , SHIBATA MASAO , MIYATA MITSUYOSHI
IPC: H01S5/0687
CPC classification number: H01S5/0687 , H01S5/0265 , H01S5/0617 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212
Abstract: 【課題】起動時間を短縮することができる波長可変レーザの制御方法を提供する。【解決手段】波長可変レーザの制御方法は、メモリから、波長可変レーザを第1波長でレーザ発振させるための駆動条件を取得し、第1波長の駆動条件と、第1波長と第1波長とは異なる第2波長との波長差分とを参照して、波長可変レーザを第2波長でレーザ発振させるための駆動条件を算出し、第2波長の駆動条件に基づいて波長可変レーザを駆動し、波長検知部の出力と目標値との差に基づいて、波長可変レーザの駆動条件を変更するフィードバック制御を実施して、第2波長で波長可変レーザを発振させ、第2波長で発振したときのフィードバック制御により得られた波長可変レーザの駆動条件をメモリに格納し、その後、メモリから取得した、格納された波長可変レーザの駆動条件を参照して波長可変レーザを駆動する第5ステップと、を含む。【選択図】図10
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于控制波长可调激光器的方法，其可以缩短启动时间。解决方案：一种用于控制波长可调激光器的方法包括：获取用于激光振荡的波长的驱动条件 来自存储器的第一波长的可触发激光器; 参考第一波长的驱动条件和与第一波长不同的第一波长和第二波长之间的波长差，以计算第二波长的波长可调激光器的激光振荡的驱动条件; 根据第二波长的驱动条件驱动波长可调激光器，并且根据目标值和波长检测单元的输出之间的差异执行用于改变波长可调激光器的驱动条件的反馈控制，以使波长可调激光器的波长 第二波长的可激光; 将波长可调激光器的驱动条件存储在存储器中，驱动条件通过在第二波长的振荡中的反馈控制获得; 以及第五步，然后参考存储的波长可调激光器的驱动条件来驱动波长可调激光器，从存储器获取驱动条件。
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