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公开(公告)号：JP2017197392A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016087754
申请日：2016-04-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 【課題】磁場配向を用いて、より配向度の高い配向性のセラミックス焼結体を製造する。 【解決手段】板状粒子を含むスラリーを容器内に流し込み、0.1T以上の磁場を印加して、スラリー中の板状粒子を磁場の方向に配向させる工程と、溶媒を除去及び/又は固化させて、板状粒子が磁場方向に配向した成形体を作製する工程と、成形体を焼結させて、焼結粒子の少なくとも一部が磁場方向に配向した配向性セラミックス焼結体を作製する工程とを含む、配向性セラミックス焼結体の製造方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2017178654A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016066433
申请日：2016-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B41/91 , C04B35/115
Abstract: 【課題】穴の周辺にクラックが発生しにくい穴付き透明アルミナ焼結体を提供する。 【解決手段】穴付き透明アルミナ焼結体10は、穴12の開口縁14に含まれるマグネシウム量Mg H と透明アルミナ焼結体10の内部16に含まれるマグネシウム量Mg I との比Mg H /Mg I が1.2以上のものである。穴付き透明アルミナ焼結体10のうちマグネシウム濃度の高い領域(穴12の開口縁14)はクラックが発生しにくい。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6168690B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013157925
申请日：2013-07-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/0585
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公开(公告)号：JP6112626B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2014552089
申请日：2013-12-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/16 , H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0008 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/285 , H01L33/325 , H01L33/0083 , H01L33/0095
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公开(公告)号：JP6109673B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2013157936
申请日：2013-07-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01M10/0562
CPC classification number: A61B18/08
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5951967B2
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：JP2011255003
申请日：2011-11-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107
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公开(公告)号：JP2015199635A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014199217
申请日：2014-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/32 , C30B29/38
Abstract: 【課題】安価で且つ大面積化にも適した、窒化ガリウム単結晶基板の代替材料として有用な窒化ガリウム自立基板の提供。 【解決手段】窒化ガリウム自立基板12と、この基板上に形成される発光機能層14とを備えてなる発光素子10において、窒化ガリウム自立基板12は、略法線方向に単結晶構造を有する複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される板からなっており、配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成した後、種結晶層上に厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成し、配向多結晶焼結体を除去することで、窒化ガリウム自立基板を製造ができ、発光機能層14も、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層14。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供廉价的氮化镓自支撑衬底，适用于较大面积，并且可用作氮化镓单晶衬底的替代材料。解决方案：发光元件10配备有 氮化镓自支撑基板12和形成在基板上的发光功能层14。 氮化镓自支撑基板12由在大致法线方向上具有单晶结构的多个氮化镓系单晶粒子构成的板构成。 在取向多晶体烧结体上形成氮化镓的晶种层，使晶体取向几乎与取向多晶体烧结体的晶体取向相似，由镓构成的厚度为20μm以上的层 在籽晶层上形成氮化物系晶体，使晶体取向几乎类似晶种的晶体取向，然后去除取向多晶体烧结体，制造氮化镓自支撑衬底。 发光功能层14具有在几乎法线方向上具有单晶结构的多个半导体单晶粒子构成的一层以上的层。
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公开(公告)号：JP5770905B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：JP2014199217
申请日：2014-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L33/32 , C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/16
Abstract: 【課題】安価で且つ大面積化にも適した、窒化ガリウム単結晶基板の代替材料として有用な窒化ガリウム自立基板の提供。 【解決手段】窒化ガリウム自立基板12と、この基板上に形成される発光機能層14とを備えてなる発光素子10において、窒化ガリウム自立基板12は、略法線方向に単結晶構造を有する複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される板からなっており、配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成した後、種結晶層上に厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成し、配向多結晶焼結体を除去することで、窒化ガリウム自立基板を製造ができ、発光機能層14も、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層14。 【選択図】図1
Abstract translation: A为和适合于在低成本的大面积，提供了有用的氮化镓自支撑衬底作为用于氮化镓单晶衬底的替代材料。 和氮化镓自支撑衬底12，发光元件10，其包括一个发光在衬底上形成功能层14，氮化镓自支撑衬底12具有在基本垂直的方向上具有单晶结构中的多个 其中由板氮化镓单晶晶粒构成，在取向多晶烧结体，氮化镓的晶种层的晶体取向，一般遵循取向的多晶烧结体的晶体取向 形成有后，一个籽晶层的厚度为20μm或更氮化镓晶体构成的层，形成为具有通常的结晶取向的籽晶层的晶体取向，取向多以下 通过去除晶烧结体，它可以产生一个镓独立衬底的氮化物，发光功能层14还具有形成为大致法线方向具有单晶结构中的多个半导体单晶颗粒的一个或多个层 发光功能层14。 点域1
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