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31.发明专利
公开(公告)号：JP2015015157A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013141260
申请日：2013-07-05
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： SATO RYUICHI , YAGI TADAO , MISHINA NORIYUKI
Abstract: 【課題】プラズモン損失を抑制し、該プラズモン損失抑制効果により得られる光を高効率で外部に取り出すことができ、かつ、材料劣化が少ない有機発光素子と、その製造方法を提供する。【解決手段】光散乱体からなる基板110上に、少なくとも第一透明電極120と、金属材料と誘電体とを含有する第二透明電極160と、第一透明電極と第二透明電極との間に配置される有機発光層140とが積層され、反射ミラー層190は、有機発光層に対し第一透明電極を挟む位置または第一透明電極に対し光散乱体からなる基板を挟む位置に配置される。前記第二透明電極に含有される誘電体は複数の誘電体膜170A、Bであり、金属材料は、該複数の誘電体膜の少なくとも一の層間に配置される金属薄膜180である。第二透明電極は有機発光層上に真空蒸着法等により積層される。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供抑制等离子体激元损失的有机发光元件，能够高效率地向外部提取抑制等离子体激元损失的效果的光，降低材料的劣化， 提供一种制造有机发光元件的方法。解决方案：至少第一透明电极120，包括金属材料和介电材料的第二透明电极160以及设置在第一透明电极120之间的有机发光层140。 电极和第二透明电极层叠在由光散射体构成的基板110上; 并且反射镜层190被定位成将第二透明电极插入在镜层和有机发光层之间，或者定位成将由光散射体组成的衬底插入在镜层和第一透明电极之间。 包含在第二透明电极中的电介质材料是多个电介质膜170A，B，而金属材料是设置在多个电介质膜的至少一个层间空间中的金属薄膜180。 第二透明电极通过真空气相沉积法等沉积在有机发光元件上。
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公开(公告)号：JP2015012291A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2014125071
申请日：2014-06-18
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： CHUNG HYUNSOO , KIM JONGYEON , LEE IN-YOUNG , CHO TAE-JE
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/02016 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/16 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: 【課題】工程費用を減らし、生産性を向上させることができる貫通電極を有する半導体パッケージ及びその製造方法が提供される。【解決手段】貫通電極を有する半導体パッケージ及びその製造方法は、第2貫通電極を有するウエハーレベルの第2半導体基板の全面上に第1貫通電極を有するチップレベルの第1半導体基板を含む第1半導体チップが第1モールド膜でモールドされて積層されたウエハーレベルパッケージを形成し、第3貫通電極を有するチップレベルの第3半導体基板の全面上にチップレベルの第4半導体基板を含む第4半導体チップが第2モールド膜でモールドされて積層されたチップレベルパッケージを形成し、第2半導体基板の後面上にチップレベルパッケージを複数個積層し、第1モールド膜と第1半導体チップを研磨して第1貫通電極を露出させ、研磨された第1半導体チップ上に第1貫通電極と連結される外部電極を形成することを含む。【選択図】図1L
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体封装及其制造方法，其包含能够降低步骤成本以提高生产率的通孔电极。解决方案：包含贯通电极的半导体封装及其制造方法包括：晶片 其中包含具有第一贯通电极的芯片级的第一半导体衬底的第一半导体芯片被模制有用于堆叠的第一模具膜，并且形成在具有晶片级的第二半导体衬底的整个表面上， 第二通电极; 芯片级封装，其中包含芯片级的第四半导体衬底的第四半导体芯片用第二堆叠模具膜模制，并且形成在芯片级的第三半导体衬底的整个表面上，具有第三至第 电极; 堆叠在所述第二半导体衬底的后表面上的多个芯片级封装; 所述第一模具膜和所述第一半导体芯片被抛光，使得所述第一贯通电极露出; 以及外部电极，其连接到第一贯通电极，并形成在已经被研磨的第一半导体芯片上。
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公开(公告)号：JP2015007979A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014129432
申请日：2014-06-24
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： SONG TAE-JOONG , PARK JAE-HO , JEONG KWANG-OK
IPC: G06F17/50 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G06F17/5072 , G03F1/70 , G03F7/0035 , G06F17/5068 , G06F17/5077
Abstract: 【課題】ダブルパターニングのレイアウト設計方法を提供する。【解決手段】ダブルパターニングのレイアウト設計方法は、スキメティク回路を設計し、前記スキメティク回路上の第1パスと第2パスを含むクリティカルパスを定義して設計し、第1カラーの第1マスクレイアウトと第2カラーの第2マスクレイアウトに分離し、前記スキメティク回路に対応するダブルパターニングのレイアウトを設計することを含み、前記ダブルパターニングのレイアウトを設計することは、前記スキメティク回路上の前記クリティカルパスをアンカーリングすることを含む。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于双重图案化的布局设计方法。解决方案：用于双重图案的布局设计方法包括设计示意电路，定义和设计包括原理图电路上的第一路径和第二路径的关键路径， 将关键路径分离成第一颜色的第一掩模布局和第二颜色的第二掩模布局，以及设计与原理图电路匹配的双重图案的布局。 双重图案布局的设计包括将关键路径锚定在原理图电路上。
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公开(公告)号：JP5654425B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2011181390
申请日：2011-08-23
Applicant: 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co.,Ltd. , 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co.,Ltd. , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , 学校法人東京理科大学
IPC: H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0324 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/073 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/543
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公开(公告)号：JP2015006006A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014206481
申请日：2014-10-07
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： KIM HYUN-MUN , CHO DAISEI , KIM WOO-SHIK
IPC: H04N19/126 , H04N19/60 , H03M7/36 , H04N19/103 , H04N19/105 , H04N19/11 , H04N19/136 , H04N19/167 , H04N19/176 , H04N19/196 , H04N19/50 , H04N19/503 , H04N19/61 , H04N19/625 , H04N19/85 , H04N19/91
CPC classification number: H04N19/44 , H04N19/105 , H04N19/107 , H04N19/136 , H04N19/142 , H04N19/162 , H04N19/176 , H04N19/182 , H04N19/184 , H04N19/46 , H04N19/50 , H04N19/61
Abstract: 【課題】映像符号化および復号化装置とその方法を提供する。【解決手段】復元された以前映像に含まれたブロックのうち、注目ブロックの画素値と類似した画素値を有するブロックの画素値と演算されるオフセットの加重ファクターを現在映像の画素を表現するビット数に適応して、数式O’=O・2(N-M)を利用して調整する段階であって、ここで、O’は調整された加重ファクター、Oは調整される加重ファクターを表し、Nは、前記現在映像の画素を表現するビット数、Mは所定数である、段階と、前記調整された加重ファクターを利用して、前記注目ブロックの予測された画素値を復元する段階と、を備え、前記各段階は、プロセッサによって実行されることを特徴とする映像復号化方法。【選択図】図4A
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种图像编码和解码装置的装置和方法。解决方案：一种图像解码方法，包括以下步骤：利用具有像素值相似的块的像素值来调整要操作的偏移的权重因子 在包含在恢复的先前图像中的块之间的感兴趣块的像素值，同时利用数学公式O'= O 2适应于表示当前图像的像素的位数，其中O'表示权重因子，O表示权重 要调整的因子，N是表示当前图像的像素的比特数，M是预定数量; 以及在利用所述经调整的权重因子的同时恢复所述感兴趣块的预测像素值。 这些步骤由处理器执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5649934B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2010268165
申请日：2010-12-01
IPC: H03G3/30 , G10L21/038 , H03G3/20 , H03G5/16 , H04R3/04
CPC classification number: H04S7/307 , G10H1/12 , G10H1/46 , G10H2210/301 , G10H2250/031 , H04R3/04 , H04R2430/03 , H04S2400/09 , H04S2420/07
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公开(公告)号：JP5649212B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2010248816
申请日：2010-11-05
CPC classification number: H04W76/048 , H04W28/18
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公开(公告)号：JP2015001525A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2014117301
申请日：2014-06-06
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： GARY LENNEN
CPC classification number: G01S19/33 , G01S19/426
Abstract: 【課題】複数個の航法衛星システムコンステレーションからの多重衛星の信号を同時に受信し、処理するための方法、受信機、及びモバイル端末機を提供する。【解決手段】複数個の航法衛星システムからの衛星信号が中間周波数信号に変換され、アナログ信号からデジタル信号に共に変換され、変換された信号がデジタルドメインの各航法衛星システムによって分離される、方法。【選択図】図1B
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于从多个导航卫星系统星座同时接收和处理多个卫星的信号的方法，接收机和移动终端。解决方案：在该方法中，来自多个导航卫星系统的卫星信号 转换成中频信号，并从模拟信号转换成数字信号，根据数字域中的每个导航卫星系统分离转换的信号。
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公开(公告)号：JP2014238982A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013121098
申请日：2013-06-07
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： OGAWA TAKASHI , USAMI YASUTSUGU
IPC: H01J37/252 , G01N23/225 , H01J37/244 , H01L21/66
Abstract: 【課題】試料の特定の部位の深さ方向の位置を検出することが可能な電子線検査装置及び電子線検査方法を提供する。【解決手段】電子線検査装置1000は、試料に電子線eを照射する電子銃204と、電子線eの照射方向に電界Eを生じさせる電界発生部1002と、電子線eの照射によって試料から放出され、電界によって加速された二次電子線rのエネルギーを分析するエネルギー分析部402と、エネルギーの分析結果に基づいて、二次電子線rが放出された部位において、電子線eの照射方向の深さ位置を検出する検出部404と、を備える。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够检测样品在深度方向上的特定位置的位置的电子束检查装置和电子束检查方法。电子束检查装置1000包括：电子枪 204，其用电子束e照射样品; 在电子束e的照射方向上产生电场E的电场产生部1002; 能量分析单元402，其分析在用电子束照射并由电场加速时从样品发射的二次电子束r的能量; 以及检测单元404，其基于能量分析的结果，检测在与电子束e照射的方向上发射二次电子束r的部分的深度位置。
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