公开(公告)号：JP6620328B2

公开(公告)日：2019-12-18

申请号：JP2015177099

申请日：2015-09-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 黒瀬 範子 ,  青柳 克信 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C09K11/64 ,  H01J63/06 ,  H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  C09K11/62

公开(公告)号：JP6613467B2

公开(公告)日：2019-12-04

申请号：JP2015140077

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/316

公开(公告)号：JP6547944B2

公开(公告)日：2019-07-24

申请号：JP2015070466

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  B05B17/06

公开(公告)号：JP6547225B2

公开(公告)日：2019-07-24

申请号：JP2015022741

申请日：2015-02-06

Applicant: 高知県公立大学法人 ,  株式会社FLOSFIA

Inventor： 川原村 敏幸 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C18/12

公开(公告)号：JP2019118910A

公开(公告)日：2019-07-22

申请号：JP2018242165

申请日：2018-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  四戸 孝 ,  井川 拓人

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  B05D3/00 ,  B05D7/24 ,  B05D3/02 ,  B05D1/02

Abstract: 【課題】高温環境下での熱による経時劣化が抑制され、熱的安定性に優れた有機膜を工業的有利に成膜することができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】有機化合物と溶媒とを少なくとも含む原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴を用いて基体上に有機膜を成膜する方法において、前記溶媒の沸点が150℃以上であり、前記成膜を、前記溶媒の沸点以上の温度で前記ミストまたは前記液滴を前記基体上で熱反応させることにより、前記基体上に有機膜を成膜する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019067907A

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：JP2017191608

申请日：2017-09-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  四戸 孝 ,  柳生 慎悟 ,  井川 拓人

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368

Abstract: 【課題】表面平滑性に優れ、さらに、高温高周波特性等の半導体特性に優れた積層構造体およびその半導体装置を提供する。 【解決手段】ε型の酸化物半導体結晶を主成分とする第1の半導体膜と、酸化スズなどの正方晶の結晶構造を有する酸化物半導体結晶を主成分とする第2の半導体膜とが積層されている積層構造体を用いて、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)などの半導体装置のヘテロ接合構造に用いる。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019041107A

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：JP2018156411

申请日：2018-08-23

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本 雅裕 ,  ▲高▼橋 勲 ,  四戸 孝 ,  人羅 俊実

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/368 ,  H01L21/365 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】p型半導体層、n型半導体層およびi型半導体層間の良好な接合を有し、半導体特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の半導体を主成分として含むn型半導体層4と、i型半導体層3と、p型半導体層1とを少なくとも含む半導体装置であって、第1の半導体が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含有する酸化物半導体である半導体装置を製造し、得られた半導体装置をパワーデバイス等に用いる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019034883A

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：JP2018154237

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐賀大学

Inventor： 大島 祐一 ,  藤田 静雄 ,  金子 健太郎 ,  嘉数 誠 ,  河原 克明 ,  四戸 孝 ,  松田 時宜 ,  人羅 俊実

IPC: C30B25/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C30B29/16

Abstract: 【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。 【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面にバッファ層を有しており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019009405A

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：JP2017191609

申请日：2017-09-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  四戸 孝 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368

Abstract: 【課題】高温高周波特性等の半導体特性に優れた積層構造体およびその半導体装置を提供する。 【解決手段】ε型の酸化物半導体結晶(ε—Ga 2 O 3 など)を主成分とする第1の半導体膜と、第1の半導体膜の主成分とは異なる組成の酸化物半導体結晶(ε—(AlGa) 2 O 3 など)を主成分とする第2の半導体膜とが積層されている積層構造体を、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)などの半導体装置のヘテロ接合構造に用いる。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6446681B2

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：JP2014202565

申请日：2014-09-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 荒木 努 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368 ,  H01L21/203 ,  C30B23/08 ,  H01L21/365