中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

43 records (took 0.034 seconds)

    半導体装置
    31.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2015162472A

    公开(公告)日：2015-09-07

    申请号：JP2014034863

    申请日：2014-02-26

    Applicant: トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 大川 峰司 ,  江口 博臣 ,  金原 啓道 ,  池田 智史

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/42368

    Abstract: 【課題】オン動作時に電流が流れる経路を分散させて、局所的な発熱を抑制することができる半導体装置を開示する。 【解決手段】半導体基板の半導体層内には、n型のソース領域と、p型のボディ領域と、n型のドレイン領域と、n型のドリフト領域が設けられる。ドリフト領域は、第1ドリフト領域と、第2ドリフト領域と、第3ドリフト領域と、低濃度ドリフト領域とを有している。第1ドリフト領域は、ボディ領域とドレイン領域の間の半導体層の上面に臨む範囲に形成されている。第2ドリフト領域は、n型不純物濃度が第1ドリフト領域よりも高く、第1ドリフト領域に接している。第3ドリフト領域は、n型不純物濃度が第2ドリフト領域よりも高く、第2ドリフト領域に接している。第1ドリフト領域は、第2ドリフト領域よりもボディ領域側に突出している。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：公开一种半导体器件，其可以通过在接通电源时分配通过电流的路径来抑制局部发热。解决方案：半导体器件包括半导体衬底，其包括半导体层，其中n型源极 区域，p型体区域，n型漏极区域和n型漂移区域。 漂移区具有第一漂移区，第二漂移区，第三漂移区和低浓度漂移区。 第一漂移区域形成在面对体区和漏区之间的半导体层的顶面的范围内。 第二漂移区域的n型杂质浓度高于第一漂移区域，并与第一漂移区域接触。 第三漂移区域的n型杂质浓度高于第二漂移区域，并与第二漂移区域接触。 第一漂移区域在第二漂移区域的身体区域侧进一步突出。

    窒化物半導体装置の製造方法
    33.
    发明专利
    窒化物半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021129018A

    公开(公告)日：2021-09-02

    申请号：JP2020022650

    申请日：2020-02-13

    Applicant: トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 渡邉 健太 ,  大川 峰司 ,  菊田 大悟 ,  井口 紘子

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

    Abstract: 【課題】高い閾値電圧を有する窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体層の表面上にスルー膜を成膜する成膜工程であって、前記スルー膜は、前記窒化物半導体層を平面視したときに前記窒化物半導体層のボディ領域の形成範囲の少なくとも一部を含むように前記窒化物半導体層の表面上に成膜される、成膜工程と、前記スルー膜内がピークとなるようにマグネシウムをイオン注入するイオン注入工程であって、イオン注入された前記マグネシウムの一部が前記窒化物半導体層の表面に露出する位置の前記ボディ領域の少なくとも一部に導入される、イオン注入工程と、前記スルー膜を除去する除去工程と、を備える。 【選択図】図6

    半導体装置
    36.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019046977A

    公开(公告)日：2019-03-22

    申请号：JP2017168940

    申请日：2017-09-01

    Applicant: トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 大川 峰司

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

    Abstract: 【課題】 ワイドギャップ半導体基板を用いる半導体装置に適用可能であって、外周領域の耐圧を向上させることが可能な技術を提供する。 【解決手段】 ワイドギャップ半導体基板を備える半導体装置であって、前記ワイドギャップ半導体基板が、半導体素子が形成されている素子領域と、前記素子領域の周囲に配置されている外周領域を備えている。前記半導体装置は、前記外周領域内で前記ワイドギャップ半導体基板にショットキー接触する外周電極を備えている。 【選択図】図1

    スイッチング装置
    37.
    发明专利
    スイッチング装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019046975A

    公开(公告)日：2019-03-22

    申请号：JP2017168933

    申请日：2017-09-01

    Applicant: トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 大川 峰司

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78

    Abstract: 【課題】 トレンチがボディ領域から下側に突出しない構造を提案する。 【解決手段】 スイッチング装置であって、半導体基板と、トレンチ内に配置されているゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極を有する。前記トレンチが、第1側面と、前記第1側面の反対側に位置する第2側面を有する。前記半導体基板が、前記ソース電極に接するとともに前記第1側面の上端部で前記ゲート絶縁膜に接するn型のソース領域と、前記トレンチの底面で前記ゲート絶縁膜に接するn型の第1中継領域と、前記第2側面の上端部で前記ゲート絶縁膜に接するn型の第2中継領域と、前記第1中継領域の周囲を囲んでいるp型のボディ領域と、前記第2中継領域に接する位置から下方向に伸びるn型の第3中継領域と、前記ボディ領域の下側に配置されており、前記第3中継領域に接続されており、前記ドレイン電極に接している下部n型領域を有する。 【選択図】図1

    半導体装置
    38.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018098221A

    公开(公告)日：2018-06-21

    申请号：JP2016237928

    申请日：2016-12-07

    Applicant: トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 大川 峰司

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

    Abstract: 【課題】 絶縁膜への電界集中を緩和するとともにオン抵抗の増加を抑制することができる技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、ゲート領域とアクティブ領域を備える化合物半導体基板と、ゲート領域とアクティブ領域に挟まれた範囲に設けられているトレンチと、トレンチ内に配置されているゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート配線を備える。ゲート領域は、ゲート絶縁膜に接しており、ゲート配線に接続されているp型の第1ゲート領域と、第1ゲート領域のp型不純物濃度より低いp型不純物濃度を有するp型の第2ゲート領域と、n型の第3ゲート領域と、ドレイン電極に接しているp型の第4ゲート領域、を備える。アクティブ領域は、ゲート絶縁膜に接しているn型のソース領域と、ゲート絶縁膜を介して第2ゲート領域に対向しているp型のボディ領域と、ドレイン電極に接しているn型のドレイン領域、を備える。 【選択図】 図2

Patent Agency Ranking