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公开(公告)号：JP2019220715A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2019163543
申请日：2019-09-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , H05B33/22 , H01L29/786
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6349427B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2017043381
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
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公开(公告)号：JP2017211651A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017098694
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/04 , H05B33/06 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133305 , G02F1/133528 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , G02F2001/136222 , H01L27/3276
Abstract: 【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板と、第1の基板上の第1の樹脂層と、第1の樹脂層上の、画素部及び端子部と、端子部上の第2の樹脂層と、第2の樹脂層上の第2の基板と、を有し、画素部は、トランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子とを有する表示装置において、端子部は、導電層を有し、第1の樹脂層は、開口部を有し、導電層は、開口部において、第1の樹脂層から露出した第1の領域を有し、第2の樹脂層は、第1の領域と重なる領域を有し、導電層は、トランジスタのソース及びドレイン、又は、ゲートの少なくとも一方と同層の導電層とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017108175A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2017043381
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置 を提供することを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と 、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられ たゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体 層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該 酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重な る半導体装置である。 【選択図】図1
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