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公开(公告)号：JP2019033261A
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：JP2018155908
申请日：2018-08-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上させる。 【解決手段】薄膜トランジスタ410、420において、絶縁表面を有する導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層411、421を形成する。また、画素部にはゲート電極層411、421と同じ材料、同じ第1のフォトリソグラフィ工程により容量配線を形成する。また、画素部だけでなく駆動回路に容量が必要な場合には、駆動回路にも容量配線を形成する。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020036019A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2019182587
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/28 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上させる。 【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の薄膜トランジスタ420は、基板400上にゲート電極層421と、ゲート電極層421上にゲート絶縁層402a、402bと、ゲート絶縁層402a、402b上に酸化物半導体層422と、酸化物半導体層422上にソース電極層409a及びドレイン電極層409bと、酸化物半導体層422の一部と接する保護絶縁層403と、保護絶縁層403上に画素電極層427とを有する。駆動回路の薄膜トランジスタ410のソース電極層415a及びドレイン電極層415bは、薄膜トランジスタ420のソース電極層409a及びドレイン電極層409bと材料が異なり、薄膜トランジスタ420のソース電極層409a及びドレイン電極層409bよりも低抵抗の導電材料である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020074461A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020012148
申请日：2020-01-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置 を提供することを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と 、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられ たゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体 層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該 酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重な る半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6392942B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2017131753
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/45 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
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公开(公告)号：JP6818917B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2020012148
申请日：2020-01-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/786
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6654216B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2018106869
申请日：2018-06-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP2018133597A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2018106869
申请日：2018-06-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置 を提供することを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と 、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられ たゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体 層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該 酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重な る半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017208558A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017131753
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/45 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上させる。 【解決手段】絶縁表面を有する基板400上に透光性を有する導電膜を形成した後、第1のフォトリグラフィ工程によりゲート電極層411,421を形成する。また、画素部にはゲート電極層と同じ材料、同じ工程により容量配線を形成する。また、画素部だけでなく駆動回路に容量が必要な場には、駆動回路にも容量配線を形成する。次いで、ゲート電極層411、421上にゲート絶縁層402を形成する。次いで、第2のゲート絶縁層402b上に、膜厚2nm以上200nm以下の酸化物半導体膜430を形成する。次いで、酸化物半導体膜430を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。次いで、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2021073686A
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2020218348
申请日：2020-12-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L27/1156 , H01L29/786
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置において、トランジスタ180、190は、酸化物半導体層144aと、酸化物半導体層と接するソース電極141a及びドレイン電極141bと、酸化物半導体層と重なるゲート電極148と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層146と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層150aと、を有する。酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極及びドレイン電極と接し、且つ、該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極及びドレイン電極と接する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6600055B2
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：JP2018155908
申请日：2018-08-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
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