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公开(公告)号：JP2020031230A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2019198605
申请日：2019-10-31
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/06 , H05B33/02 , H01L21/336
Abstract: 【課題】低コストで量産性の高い剥離方法を提供する。 【解決手段】作製基板上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、フォトリ ソグラフィ法を用いて、第1の層に、第1の領域と、第1の領域よりも厚さの薄い第2の 領域と、を形成することで、第1の領域及び第2の領域を有する樹脂層を形成し、樹脂層 の第1の領域上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成し、樹 脂層の第2の領域上に、導電層を形成し、レーザを用いて樹脂層に光を照射し、トランジ スタと作製基板とを分離する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6602918B2
公开(公告)日：2019-11-06
申请号：JP2018117778
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP2018182339A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2018140811
申请日：2018-07-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , H05B33/22 , H05B33/12 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13454 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020074461A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020012148
申请日：2020-01-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置 を提供することを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と 、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられ たゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体 層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該 酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重な る半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6666392B2
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：JP2018140811
申请日：2018-07-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , H05B33/22 , H05B33/12 , G09F9/30 , H01L21/336
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6619907B1
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：JP2019163543
申请日：2019-09-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L27/32 , H01L29/786
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019208046A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2019131984
申请日：2019-07-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/02 , H05B33/22 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 【課題】開口率を向上する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、同一基板上に第1の薄膜トランジスタ470を有する画素部と、第2の薄膜トランジスタ460を有する駆動回路を有する。画素部の薄膜トランジスタ470は、ゲート電極層471、ゲート絶縁層452b、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層472、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層476、ソース電極層475a及びドレイン電極層475b、及び画素電極層477とを有する。第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、酸化物絶縁層及び画素電極層は、透光性を有する。駆動回路の薄膜トランジスタ460のソース電極層465a及びドレイン電極層465bは、保護絶縁層453で覆われ、画素部のソース電極層475a及びドレイン電極層475bよりも低抵抗の導電材料である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021106275A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2021037947
申请日：2021-03-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/14 , C01G15/00 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物半導体層及び酸化物半導体層と接する絶縁層を含む積層構造を含み、 酸化物半導体層は、チャネルが形成される第1の層と、第1の層と絶縁層との間に設けら れ、第1の層の伝導帯下端のエネルギーよりも真空準位に近い伝導帯下端のエネルギーを 有する第2の層とを含む。上記において、第2の層は、酸化物半導体層と接する絶縁層と 、チャネルとの間に欠陥準位が形成されることを抑制するバリア層として機能する。また 、第1の層及び第2の層は、それぞれ巨視的には原子配列に周期性が見られない程度、又 は、巨視的には長距離秩序性が見られない程度に極微細な結晶部を含む。例えば、1nm 以上10nm以下の範囲で原子配列に周期性が確認される結晶部を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020102636A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2020027052
申请日：2020-02-20
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H05B33/14 , H01L51/50 , H01L27/32 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6612810B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2017096240
申请日：2017-05-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G02F1/1368 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/336
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